LMG341xR050 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)包括：超低輸入和輸出電容、零反向恢復(fù)（可將開關(guān)損耗降低多達(dá) 80%），以及低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴（可降低 EMI）。這些優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

*附件：具有過流保護(hù)功能的 LMG341xR050 600V 50mΩ 集成 GaN Fet 功率級(jí)數(shù)據(jù)表 .pdf

LMG341xR050 通過集成一組獨(dú)特的功能來簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能，從而為傳統(tǒng)的共源共柵 GaN 和獨(dú)立 GaN FET 提供智能替代方案。集成柵極驅(qū)動(dòng)可實(shí)現(xiàn) 100 V/ns 開關(guān)，Vds 振鈴接近于零，電流限制響應(yīng)小于 100 ns，可防止意外擊穿事件，過熱關(guān)斷可防止熱失控，系統(tǒng)接口信號(hào)提供自我監(jiān)控功能。

特性

• TI GaN FET 的可靠性符合應(yīng)用內(nèi)硬開關(guān)加速應(yīng)力曲線的要求
• 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)
  • 優(yōu)于共源共柵或獨(dú)立 GaN FET 的系統(tǒng)性能
  • 低電感 8 mm x 8 mm QFN 封裝，易于設(shè)計(jì)和布局
  • 可調(diào)節(jié)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，用于開關(guān)性能和 EMI 控制
  • 數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號(hào)
  • 僅需 +12 V 非穩(wěn)壓電源
• 集成柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 零共源電感
  • MHz作時(shí)傳播延遲為 20 ns
  • 用于補(bǔ)償閾值變化的微調(diào)柵極偏置電壓可確保可靠的開關(guān)
  • 25 至 100V/ns 用戶可調(diào)轉(zhuǎn)換速率
• 強(qiáng)大的保護(hù)
  • 無需外部保護(hù)元件
  • 過流保護(hù)，響應(yīng)小于 100 ns
  • 大于 150 V/ns 的轉(zhuǎn)換速率抗擾度
  • 瞬態(tài)過壓抗擾度
  • 過熱保護(hù)
  • 所有電源軌上的欠壓鎖定 （UVLO） 保護(hù)
• 強(qiáng)大的保護(hù)
  • LMG3410R050 ：鎖存過流保護(hù)
  • LMG3411R050 ：逐周期過流保護(hù)

參數(shù)

方框圖

1. 概述

LMG341xR050 是一款集成 GaN FET 功率級(jí)，具有過流保護(hù)功能，適用于高電壓應(yīng)用。它提供了高功率密度和轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)具有多種保護(hù)機(jī)制，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

2. 主要特性

• ?GaN FET 技術(shù)?：超低輸入和輸出電容，零反向恢復(fù)電荷，減少開關(guān)損失和 EMI。
• ?集成驅(qū)動(dòng)器?：內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器，支持高達(dá) 100V/ns 的開關(guān)速度，具有可調(diào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。
• ?過流保護(hù)?：具有快速的過流響應(yīng)（<100ns），LMG3410R050 采用鎖存式過流保護(hù)，LMG3411R050 采用逐周期過流保護(hù)。
• ?多種保護(hù)機(jī)制?：包括過溫保護(hù)、欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)等，無需外部保護(hù)組件。
• ?應(yīng)用廣泛?：適用于高密度工業(yè)和消費(fèi)類電源、多級(jí)轉(zhuǎn)換器、太陽能逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。

3. 電氣特性

• ?電源電壓?：VDD 范圍為 9.5V 至 18V。
• ?最大漏源電壓?：VDS 最大為 600V，瞬態(tài)電壓可達(dá) 800V。
• ?連續(xù)漏極電流?：@Tj = 25°C 時(shí)為 34A，@Tj = 100°C 時(shí)為 27A。
• ?熱特性?：結(jié)到環(huán)境的熱阻（RθJA）為 24.4°C/W。

4. 功能描述

• ?直接驅(qū)動(dòng) GaN 架構(gòu)?：通過集成柵極驅(qū)動(dòng)器直接控制 GaN FET，提高開關(guān)性能。
• ?內(nèi)部 Buck-Boost DC-DC 轉(zhuǎn)換器?：生成負(fù)電壓，用于 GaN 器件的關(guān)斷電源。
• ?內(nèi)部輔助 LDO?：提供 5V 輸出，用于外部數(shù)字隔離器等負(fù)載。
• ?故障檢測(cè)?：包括過流保護(hù)（OCP）、過溫保護(hù)（OTP）和欠壓鎖定（UVLO），具有故障狀態(tài)輸出信號(hào)。

5. 應(yīng)用和實(shí)施

• ?典型應(yīng)用?：適用于半橋配置，如硬開關(guān)和全橋諧振 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
• ?設(shè)計(jì)要求?：包括選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)電阻以調(diào)整開關(guān)速度和 EMI 控制。
• ?布局指南?：建議使用四層或更多層 PCB，最小化功率環(huán)路電感，確保信號(hào)完整性。

6. 熱管理

• ?散熱?：推薦使用散熱器連接 PCB 背面以提取額外熱量，使用多個(gè)熱過孔將熱量分散到 PCB 的另一側(cè)。

7. 包裝和訂購信息

• ?封裝類型?：QFN 32 引腳封裝，尺寸為 8mm x 8mm。
• ?訂購狀態(tài)?：ACTIVE，推薦用于新設(shè)計(jì)。

8. 注意事項(xiàng)

• ?使用前必讀?：全面理解數(shù)據(jù)表，包括應(yīng)用筆記和布局建議。
• ?避免事項(xiàng)?：不要使用單層或雙層 PCB，不要降低旁路電容器的值，不要讓器件承受超過 600V 的漏極瞬態(tài)電壓。