LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,LMG341x 的固有優勢包括:超低輸入和輸出電容、零反向恢復(可將開關損耗降低多達 80%),以及低開關節點振鈴(可降低 EMI)。這些優勢實現了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓撲結構。
LMG341xR050 通過集成一組獨特的功能來簡化設計、最大限度地提高可靠性并優化任何電源的性能,從而為傳統的共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 提供智能替代方案。集成柵極驅動可實現 100 V/ns 開關,Vds 振鈴接近于零,電流限制響應小于 100 ns,可防止意外擊穿事件,過熱關斷可防止熱失控,系統接口信號提供自我監控功能。
*附件:具有過流保護功能的 LMG341xR050 600V 50mΩ 集成 GaN Fet 功率級數據表.pdf
特性
- TI GaN FET 的可靠性符合應用內硬開關加速應力曲線的要求
- 支持高密度電源轉換設計
- 優于共源共柵或獨立 GaN FET 的系統性能
- 低電感 8 mm x 8 mm QFN 封裝,易于設計和布局
- 可調節的驅動強度,用于開關性能和 EMI 控制
- 數字故障狀態輸出信號
- 僅需 +12 V 非穩壓電源
- 集成柵極驅動器
- 零共源電感
- MHz作時傳播延遲為 20 ns
- 用于補償閾值變化的微調柵極偏置電壓可確保可靠的開關
- 25 至 100V/ns 用戶可調轉換速率
- 強大的保護
- 無需外部保護元件
- 過流保護,響應小于 100 ns
- 大于 150 V/ns 的轉換速率抗擾度
- 瞬態過壓抗擾度
- 過熱保護
- 所有電源軌上的欠壓鎖定 (UVLO) 保護
- 強大的保護
- LMG3410R050 :鎖存過流保護
- LMG3411R050 :逐周期過流保護
參數
1. 產品概述
- ?產品名稱?:LMG341xR050
- ?類型?:600V 50mΩ 集成 GaN FET 功率級
- ?特點?:具有過流保護、過溫保護、欠壓鎖定(UVLO)等保護功能,集成柵極驅動,適用于高密度功率轉換設計。
2. 主要特性
- ?高性能?:GaN FET 提供超低輸入和輸出電容,零反向恢復電荷,減少開關損耗。
- ?集成柵極驅動?:直接驅動架構,提供高達 100V/ns 的開關速度,近零 Vds 振鈴。
- ?保護功能?:
- ?過流保護?:快速響應(<100ns),LMG3410R050 為鎖存型,LMG3411R050 為逐周期型。
- ?過溫保護?:超過 165°C 時關斷 GaN FET。
- ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:在柵極驅動電源、LDO 5V 或負電源低于閾值時保護設備。
- ?可調驅動強度?:通過 RDRV 引腳設置,控制開關性能和 EMI。
3. 應用領域
4. 電氣特性
- ?最大漏源電壓?:600V
- ?連續漏極電流?:@Tj = 25°C 時為 34A,@Tj = 125°C 時為 12A
- ?柵極驅動電壓?:9.5V 至 18V
- ?開關特性?:
- 上升時間:2.9ns 至 32ns(取決于 RDRV 設置)
- 下降時間:8.9ns 至 26ns
- 傳播延遲:16ns 至 32ns
5. 熱性能
- ?熱阻?:
- 結到環境熱阻(RθJA):24.4°C/W
- 結到頂部外殼熱阻(RθJC(top)):7.9°C/W
- 結到底部外殼熱阻(RθJC(bot)):1.0°C/W
6. 功能框圖與引腳描述
- ?功能框圖?:顯示了內部降壓-升壓轉換器、LDO、故障輸出等關鍵組件。
- ?引腳描述?:詳細說明了每個引腳的功能,包括漏極、源極、柵極驅動輸入、故障輸出等。
7. 設計指南與布局建議
- ?設計指南?:提供了典型應用電路、設計要求和詳細設計步驟。
- ?布局建議?:強調了最小化功率環路電感、信號地連接、旁路電容放置等關鍵布局考慮因素。
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技術資料#LMG3426R050 600V 50mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和零電壓檢測

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