LMG342xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>

LMG342xR050 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開(kāi)關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結(jié)合，可在硬開(kāi)關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_(kāi)關(guān)和最小的振鈴。可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度允許控制 20V/ns 至 150V/ns 的轉(zhuǎn)換速率，可用于主動(dòng)控制 EMI 并優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。LMG3426R050 包括零電壓檢測(cè) （ZVD） 功能，當(dāng)實(shí)現(xiàn)零電壓切換時(shí)，該功能可從 ZVD 引腳提供脈沖輸出。
*附件：LMG342xR050 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 600 V 50 mΩ GaN FET 數(shù)據(jù)表.pdf

高級(jí)電源管理功能包括數(shù)字溫度報(bào)告和故障檢測(cè)。GaN FET 的溫度通過(guò)可變占空比 PWM 輸出報(bào)告，從而簡(jiǎn)化了器件負(fù)載管理。報(bào)告的故障包括過(guò)流、短路、過(guò)熱、VDD UVLO 和高阻抗 RDRV 引腳。

特性

• 符合 JEDEC JEP180 硬開(kāi)關(guān)拓?fù)涞囊?/li>
• 600V 硅基氮化鎵 FET，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 集成高精度柵極偏置電壓
  • 200V/ns FET 抑制
  • 3.6MHz 開(kāi)關(guān)頻率
  • 20V/ns 至 150V/ns 轉(zhuǎn)換速率，用于優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能和 EMI 抑制
  • 采用 7.5V 至 18V 電源供電
• 強(qiáng)大的保護(hù)
  • 逐周期過(guò)流和鎖存短路保護(hù)，具有 < 100ns 響應(yīng)
  • 在硬開(kāi)關(guān)時(shí)可承受 720V 浪涌
  • 針對(duì)內(nèi)部過(guò)熱和 UVLO 監(jiān)控進(jìn)行自我保護(hù)
• 高級(jí)電源管理
  • 數(shù)字溫度 PWM 輸出
  • LMG3426R050 包括零電壓檢測(cè) （ZVD） 功能，便于軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?型號(hào)?：LMG342xR050
• ?特性?：600V GaN-on-Si FET，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能
• ?應(yīng)用?：開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器、商用網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器PSU、商用電信整流器、太陽(yáng)能逆變器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等

2. 主要特性

• ?集成驅(qū)動(dòng)器?：集成硅驅(qū)動(dòng)器，支持高達(dá)150V/ns的開(kāi)關(guān)速度
• ?保護(hù)功能?：循環(huán)過(guò)流保護(hù)、短路保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、欠壓鎖定（UVLO）監(jiān)測(cè)
• ?溫度報(bào)告?：通過(guò)PWM輸出報(bào)告GaN FET的溫度
• ? 零電壓檢測(cè)（ZVD） ?：LMG3426R050型號(hào)特有，實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器

3. 電氣規(guī)格

• ?最大漏源電壓?：600V
• ?漏源電壓浪涌能力?：720V（硬開(kāi)關(guān)條件下）
• ?最大漏源瞬態(tài)峰值電壓?：800V
• ? 最大漏極電流（RMS） ?：44A
• ?最大漏極脈沖電流?：96A（tp < 10μs）
• ?最大源極脈沖電流?：60A（tp < 1μs）
• ?工作溫度范圍?：-40°C至150°C（LMG3422R050）；-40°C至125°C（LMG3426R050）

4. 驅(qū)動(dòng)器特性

• ?驅(qū)動(dòng)電壓范圍?：7.5V至18V
• ?柵極驅(qū)動(dòng)精度?：提高開(kāi)關(guān)SOA性能
• ?可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度?：通過(guò)RDRV引腳調(diào)整，控制開(kāi)關(guān)速度和EMI

5. 保護(hù)功能

• ?過(guò)流保護(hù)?：循環(huán)過(guò)流保護(hù)，響應(yīng)時(shí)間<100ns
• ?短路保護(hù)?：具有快速響應(yīng)的短路保護(hù)
• ?過(guò)溫保護(hù)?：內(nèi)部過(guò)溫和驅(qū)動(dòng)器過(guò)溫保護(hù)
• ?UVLO保護(hù)?：欠壓鎖定保護(hù)，防止在低電壓條件下工作
• ?高阻抗RDRV引腳保護(hù)?：持續(xù)監(jiān)測(cè)RDRV引腳，防止高阻抗導(dǎo)致的問(wèn)題

6. 溫度報(bào)告

• ?溫度PWM輸出?：通過(guò)TEMP引腳輸出占空比可變的PWM信號(hào)，反映GaN FET的溫度

7. 應(yīng)用指南

• ?推薦使用場(chǎng)景?：硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如圖騰柱PFC、LLC諧振轉(zhuǎn)換器和移相全橋配置
• ?布局建議?：使用四層或更多層PCB，最小化功率環(huán)路電感，使用小型表面貼裝旁路電容和總線(xiàn)電容
• ?隔離電源或自舉電源?：為高側(cè)設(shè)備供電，推薦使用隔離電源以獲得最佳性能

8. 封裝信息

• ?封裝類(lèi)型?：VQFN-54，尺寸為12.00mm × 12.00mm
• ?熱阻?：θJC(bot,avg) = 0.88°C/W