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LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優勢包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復（可將開關損耗降低多達 80%）以及低開關節點振鈴（可降低 EMI）。這些優勢實現了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓撲結構。
*附件：具有集成驅動器和保護功能的 LMG341xR150 600V、150mΩ、GaN FET 數據表.pdf

LMG341xR150 通過集成一組獨特的功能來簡化設計、最大限度地提高可靠性并優化任何電源的性能，從而為傳統的共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 提供智能替代方案。集成柵極驅動可在接近零的 V 電壓下實現 100 V/ns 的開關~~DS 系列~~振鈴、小于 100ns 的電流限制響應可針對意外的擊穿事件進行自我保護，過熱關斷可防止熱失控，系統接口信號提供自我監控功能。

特性

TI GaN 工藝通過加速可靠性應用內硬開關配置文件認證
支持高密度電源轉換設計
- 優于共源共柵或獨立 GaN FET 的系統性能
- 低電感 8 mm × 8 mm QFN 封裝，易于設計和布局
- 可調節的驅動強度，用于開關性能和 EMI 控制
- 數字故障狀態輸出信號
- 只需要 +12 V 的非穩壓電源
集成柵極驅動器
- 零共源電感
- 高頻設計的傳播延遲為 20ns
- 用于補償閾值變化的微調柵極偏置電壓可確保可靠的開關
- 25V/ns 至 100V/ns 可調轉換速率
強大的保護
- 無需外部保護元件
- 具有 <100 ns 響應的過流保護
- 大于 150V/ns 的轉換速率抗擾度
- 瞬態過壓抗擾度
- 過熱保護
- 所有電源軌上的欠壓鎖定（UVLO）保護
設備選項：
- LMG3410R150 ：鎖存過流保護
- LMG3411R150 ：逐周期過流保護

參數

方框圖

1. 基本信息

?型號?：LMG341xR150
?電壓等級?：600V
?導通電阻?：150mΩ
?功能?：集成驅動器、保護功能
?制造商?：Texas Instruments

2. 關鍵特性

?集成驅動器?：內置低電感驅動器，支持高達100V/ns的開關速度，減少開關損耗和EMI。
?保護功能?：
- 過流保護（OCP）：快速響應（<100ns），可選循環周期過流保護（LMG3411R150）或鎖定過流保護（LMG3410R150）。
- 過溫保護（OTP）：防止熱失控，具有UVLO（欠壓鎖定）保護功能。
- 瞬態過電壓免疫：增強系統可靠性。
?高效率?：零反向恢復電荷，降低開關損耗。
?封裝?：8mm × 8mm QFN封裝，便于設計和布局。