LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,該器件的固有優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復(fù)(可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá) 80%)以及低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴(可降低 EMI)。這些優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
*附件:具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 LMG341xR150 600V、150mΩ、GaN FET 數(shù)據(jù)表.pdf
LMG341xR150 通過(guò)集成一組獨(dú)特的功能來(lái)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能,從而為傳統(tǒng)的共源共柵 GaN 和獨(dú)立 GaN FET 提供智能替代方案。集成柵極驅(qū)動(dòng)可在接近零的 V 電壓下實(shí)現(xiàn) 100 V/ns 的開(kāi)關(guān)DS 系列振鈴、小于 100ns 的電流限制響應(yīng)可針對(duì)意外的擊穿事件進(jìn)行自我保護(hù),過(guò)熱關(guān)斷可防止熱失控,系統(tǒng)接口信號(hào)提供自我監(jiān)控功能。
特性
- TI GaN 工藝通過(guò)加速可靠性應(yīng)用內(nèi)硬開(kāi)關(guān)配置文件認(rèn)證
- 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)
- 優(yōu)于共源共柵或獨(dú)立 GaN FET 的系統(tǒng)性能
- 低電感 8 mm × 8 mm QFN 封裝,易于設(shè)計(jì)和布局
- 可調(diào)節(jié)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,用于開(kāi)關(guān)性能和 EMI 控制
- 數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號(hào)
- 只需要 +12 V 的非穩(wěn)壓電源
- 集成柵極驅(qū)動(dòng)器
- 零共源電感
- 高頻設(shè)計(jì)的傳播延遲為 20ns
- 用于補(bǔ)償閾值變化的微調(diào)柵極偏置電壓可確保可靠的開(kāi)關(guān)
- 25V/ns 至 100V/ns 可調(diào)轉(zhuǎn)換速率
- 強(qiáng)大的保護(hù)
- 無(wú)需外部保護(hù)元件
- 具有 <100 ns 響應(yīng)的過(guò)流保護(hù)
- 大于 150V/ns 的轉(zhuǎn)換速率抗擾度
- 瞬態(tài)過(guò)壓抗擾度
- 過(guò)熱保護(hù)
- 所有電源軌上的欠壓鎖定 (UVLO) 保護(hù)
- 設(shè)備選項(xiàng):
- LMG3410R150 :鎖存過(guò)流保護(hù)
- LMG3411R150 :逐周期過(guò)流保護(hù)
方框圖
1. 基本信息
- ?型號(hào)?:LMG341xR150
- ?電壓等級(jí)?:600V
- ?導(dǎo)通電阻?:150mΩ
- ?功能?:集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)功能
- ?制造商?:Texas Instruments
2. 關(guān)鍵特性
- ?集成驅(qū)動(dòng)器?:內(nèi)置低電感驅(qū)動(dòng)器,支持高達(dá)100V/ns的開(kāi)關(guān)速度,減少開(kāi)關(guān)損耗和EMI。
- ?保護(hù)功能?:
- 過(guò)流保護(hù)(OCP):快速響應(yīng)(<100ns),可選循環(huán)周期過(guò)流保護(hù)(LMG3411R150)或鎖定過(guò)流保護(hù)(LMG3410R150)。
- 過(guò)溫保護(hù)(OTP):防止熱失控,具有UVLO(欠壓鎖定)保護(hù)功能。
- 瞬態(tài)過(guò)電壓免疫:增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。
- ?高效率?:零反向恢復(fù)電荷,降低開(kāi)關(guān)損耗。
- ?封裝?:8mm × 8mm QFN封裝,便于設(shè)計(jì)和布局。
3. 電氣規(guī)格
- ?最大漏源電壓?:600V
- ?最大連續(xù)漏極電流?:
- @ T
j= 25°C:17A - @ T
j= 100°C:13.5A
- @ T
- ?最大脈沖漏源電流?:43A
- ?柵極驅(qū)動(dòng)電壓?:+12V未調(diào)節(jié)電源
- ?內(nèi)部LDO輸出?:5V,用于外部數(shù)字隔離器
- ?熱阻?:
- θ
JA:28.6°C/W - θ
JC(top):9.9°C/W - θ
JC(bot):1.4°C/W
- θ
4. 開(kāi)關(guān)性能
- ?最大開(kāi)關(guān)頻率?:支持高頻設(shè)計(jì)
- ?可調(diào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度?:通過(guò)R
DRV引腳調(diào)整,控制開(kāi)關(guān)性能和EMI。 - ?快速傳播延遲?:20ns,適用于高頻應(yīng)用。
5. 應(yīng)用領(lǐng)域
6. 設(shè)計(jì)指南
- ?布局建議?:使用四層或更多層PCB,最小化電源環(huán)路電感。
- ?旁路電容?:推薦在關(guān)鍵位置使用小尺寸、表面貼裝電容。
- ?信號(hào)隔離?:在高側(cè)和低側(cè)電路之間使用高速數(shù)字隔離器,確保信號(hào)完整性。
7. 電源推薦
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