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技術(shù)資料#LMG3410R150 具有集成驅(qū)動(dòng)器和過(guò)流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN

科技綠洲 ? 2025-02-25 14:16 ? 次閱讀

LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,該器件的固有優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復(fù)(可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá) 80%)以及低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴(可降低 EMI)。這些優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
*附件:具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 LMG341xR150 600V、150mΩ、GaN FET 數(shù)據(jù)表.pdf

LMG341xR150 通過(guò)集成一組獨(dú)特的功能來(lái)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能,從而為傳統(tǒng)的共源共柵 GaN 和獨(dú)立 GaN FET 提供智能替代方案。集成柵極驅(qū)動(dòng)可在接近零的 V 電壓下實(shí)現(xiàn) 100 V/ns 的開(kāi)關(guān)DS 系列振鈴、小于 100ns 的電流限制響應(yīng)可針對(duì)意外的擊穿事件進(jìn)行自我保護(hù),過(guò)熱關(guān)斷可防止熱失控,系統(tǒng)接口信號(hào)提供自我監(jiān)控功能。

特性

  • TI GaN 工藝通過(guò)加速可靠性應(yīng)用內(nèi)硬開(kāi)關(guān)配置文件認(rèn)證
  • 支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)
    • 優(yōu)于共源共柵或獨(dú)立 GaN FET 的系統(tǒng)性能
    • 低電感 8 mm × 8 mm QFN 封裝,易于設(shè)計(jì)和布局
    • 可調(diào)節(jié)的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,用于開(kāi)關(guān)性能和 EMI 控制
    • 數(shù)字故障狀態(tài)輸出信號(hào)
    • 只需要 +12 V 的非穩(wěn)壓電源
  • 集成柵極驅(qū)動(dòng)器
    • 零共源電感
    • 高頻設(shè)計(jì)的傳播延遲為 20ns
    • 用于補(bǔ)償閾值變化的微調(diào)柵極偏置電壓可確保可靠的開(kāi)關(guān)
    • 25V/ns 至 100V/ns 可調(diào)轉(zhuǎn)換速率
  • 強(qiáng)大的保護(hù)
    • 無(wú)需外部保護(hù)元件
    • 具有 <100 ns 響應(yīng)的過(guò)流保護(hù)
    • 大于 150V/ns 的轉(zhuǎn)換速率抗擾度
    • 瞬態(tài)過(guò)壓抗擾度
    • 過(guò)熱保護(hù)
    • 所有電源軌上的欠壓鎖定 (UVLO) 保護(hù)
  • 設(shè)備選項(xiàng):
    • LMG3410R150 :鎖存過(guò)流保護(hù)
    • LMG3411R150 :逐周期過(guò)流保護(hù)

參數(shù)

image.png

方框圖
image.png

1. 基本信息

  • ?型號(hào)?:LMG341xR150
  • ?電壓等級(jí)?:600V
  • ?導(dǎo)通電阻?:150mΩ
  • ?功能?:集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)功能
  • ?制造商?:Texas Instruments

2. 關(guān)鍵特性

  • ?集成驅(qū)動(dòng)器?:內(nèi)置低電感驅(qū)動(dòng)器,支持高達(dá)100V/ns的開(kāi)關(guān)速度,減少開(kāi)關(guān)損耗和EMI。
  • ?保護(hù)功能?:
    • 過(guò)流保護(hù)(OCP):快速響應(yīng)(<100ns),可選循環(huán)周期過(guò)流保護(hù)(LMG3411R150)或鎖定過(guò)流保護(hù)(LMG3410R150)。
    • 過(guò)溫保護(hù)(OTP):防止熱失控,具有UVLO(欠壓鎖定)保護(hù)功能。
    • 瞬態(tài)過(guò)電壓免疫:增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。
  • ?高效率?:零反向恢復(fù)電荷,降低開(kāi)關(guān)損耗。
  • ?封裝?:8mm × 8mm QFN封裝,便于設(shè)計(jì)和布局。

3. 電氣規(guī)格

  • ?最大漏源電壓?:600V
  • ?最大連續(xù)漏極電流?:
    • @ Tj = 25°C:17A
    • @ Tj = 100°C:13.5A
  • ?最大脈沖漏源電流?:43A
  • ?柵極驅(qū)動(dòng)電壓?:+12V未調(diào)節(jié)電源
  • ?內(nèi)部LDO輸出?:5V,用于外部數(shù)字隔離器
  • ?熱阻?:
    • θ JA :28.6°C/W
    • θ JC(top) :9.9°C/W
    • θ JC(bot) :1.4°C/W

4. 開(kāi)關(guān)性能

  • ?最大開(kāi)關(guān)頻率?:支持高頻設(shè)計(jì)
  • ?可調(diào)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度?:通過(guò)RDRV引腳調(diào)整,控制開(kāi)關(guān)性能和EMI。
  • ?快速傳播延遲?:20ns,適用于高頻應(yīng)用。

5. 應(yīng)用領(lǐng)域

6. 設(shè)計(jì)指南

  • ?布局建議?:使用四層或更多層PCB,最小化電源環(huán)路電感。
  • ?旁路電容?:推薦在關(guān)鍵位置使用小尺寸、表面貼裝電容。
  • ?信號(hào)隔離?:在高側(cè)和低側(cè)電路之間使用高速數(shù)字隔離器,確保信號(hào)完整性。

7. 電源推薦

  • ?高側(cè)供電?:推薦使用隔離電源或自舉二極管供電。
  • ?隔離電源設(shè)計(jì)?:注意最小化互繞電容,減少開(kāi)關(guān)損耗。
  • ?自舉二極管選擇?:選擇低反向恢復(fù)電荷和高頻性能的二極管。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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