TLV755P 是一款超小型、低靜態電流、低壓差穩壓器 （LDO），可提供 500mA 電流，具有良好的線路和負載瞬態性能。TLV755P 支持 1.45V 至 5.5V 的輸入電壓范圍，針對各種應用進行了優化。為了最大限度地降低成本和解決方案尺寸，該器件提供 0.6V 至 5V 的固定輸出電壓，以支持現代微控制器 （MCU） 的較低內核電壓。此外，TLV755P 具有低 IQ 和使能功能，可最大限度地降低待機功耗。該器件具有內部軟啟動功能，可降低浪涌電流，從而為負載提供受控電壓，并最大限度地減少啟動期間的輸入壓降。關斷時，該器件主動拉低輸出，以快速對輸出放電并提供已知的啟動狀態。

*附件：TLV755P 500mA、低 IQ、小尺寸、低壓差穩壓器 數據表.pdf

TLV755P 使用小型陶瓷輸出電容器時保持穩定，從而允許較小的整體解決方案尺寸。精密帶隙和誤差放大器提供 1% 的典型精度。所有器件版本均集成了熱關斷、電流限制和欠壓鎖定 （UVLO）。TLV755P具有內部折返電流限制，有助于減少短路事件期間的熱耗散。

TLV755 采用流行的 WSON、X2SON 和 SOT23-5（DRV、DQN 和 DBV）封裝。該器件還采用熱增強型 SOT23-5 （DYD） 封裝，與標準 SOT23-5 封裝相比，帶有導熱墊，可顯著降低熱阻。

特性

• SOT-23-5 封裝，可提供 60.3°C/W RθJA
• 輸入電壓范圍：1.45V 至 5.5V
• 低 IQ：25μA（典型值）
• 低壓差：
  • 500mA （3.3VOUT） 時為 238mV （最大值）
• 輸出精度：1%（最大 85°C）
• 內置軟啟動，具有單調 VOUT 上升
• 折返電流限制
• 有源輸出放電
• 高 PSRR：46dB （在 100kHz）
• 采用 1μF 陶瓷輸出電容器時保持穩定
• 包：
  • 2.9 毫米 × 2.8 毫米 SOT-23-5 （DBV）
  • 2.9mm × 2.8mm SOT-23-5 （DYD） 封裝，帶導熱墊
  • 1 毫米 × 1 毫米 X2SON-4 （DQN）
  • 2 毫米 × 2 毫米 WSON-6 （DRV）

參數

方框圖

1. 產品概述

TLV755P是一款低靜態電流（IQ）、小尺寸、低壓差穩壓器（LDO），能夠提供高達500mA的輸出電流。它支持廣泛的應用，包括機頂盒、電視、游戲控制器、便攜式設備、筆記本電腦、平板電腦、遙控器、家用電器、電網基礎設施和保護繼電器等。

2. 主要特性

• ?小尺寸封裝?：提供SOT-23-5封裝，熱阻為60.3°C/W。
• ?寬輸入電壓范圍?：1.45V至5.5V。
• ?低靜態電流?：典型值為25μA。
• ?低壓差?：在500mA輸出時，最大壓差為238mV（3.3V輸出）。
• ?高精度?：輸出電壓精度最大為1%（85°C時）。
• ?內置軟啟動?：具有單調上升的輸出電壓，減少浪涌電流。
• ?折返電流限制?：保護器件免受過載或短路損壞。
• ?熱關斷保護?：防止器件因過熱而損壞。

3. 電氣特性

• ?輸出電壓范圍?：0.6V至5V（固定輸出）。
• ?負載調節?：在0.1mA至500mA輸出電流范圍內具有良好的負載調節能力。
• ?線性調節?：輸入電壓變化時，輸出電壓變化小。
• ? 電源抑制比（PSRR） ?：在1kHz時為52dB，100kHz時為46dB，1MHz時為52dB。
• ?啟動時間?：典型值為550μs。
• ?關機電流?：在使能引腳電壓低于0.4V時，關機電流為0.11μA。

4. 功能描述

• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：防止在輸入電壓過低時啟動器件。
• ?軟啟動?：通過內置軟啟動電路，減少啟動時的浪涌電流。
• ?折返電流限制?：在輸出電壓低于一定值時，自動降低輸出電流，防止器件損壞。
• ?熱關斷?：當結溫超過熱關斷溫度時，自動關斷輸出。

5. 應用信息

• ?電容器選擇?：建議使用X5R和X7R類型的陶瓷電容器作為輸入和輸出電容。
• ?布局指南?：提供詳細的布局指南和布局示例，以確保最佳性能。
• ?電源耗散?：討論了電源耗散對電路可靠性的影響，并提供了估算結溫的方法。

6. 典型應用電路

數據表中提供了詳細的典型應用電路圖，包括輸入電容、輸出電容、使能引腳和地引腳的連接方式。同時，還提供了設計要求和詳細設計步驟，以幫助用戶實現可靠的設計。

7. 文檔與支持資源

• ?數據表?：提供了詳細的技術規格、電氣特性和應用信息。
• ?相關文檔?：包括評估模塊用戶指南和應用報告等。