LM5088 高壓非同步降壓控制器具有使用最少數(shù)量的外部元件實(shí)現(xiàn)高效高壓降壓轉(zhuǎn)換器所需的所有功能。LM5088 可配置為在 4.5V 至 75V 的超寬輸入電壓范圍內(nèi)工作。這款易于使用的控制器包括一個(gè)電平轉(zhuǎn)換柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠控制外部 N 溝道降壓開(kāi)關(guān)。該控制方法基于利用仿真電流斜坡的峰值電流模式控制。使用仿真控制斜坡可降低脈寬調(diào)制電路的噪聲靈敏度，從而能夠可靠地控制高輸入電壓和低輸出電壓應(yīng)用中所需的非常小的占空比。LM5088 開(kāi)關(guān)頻率可在 50kHz 至 1MHz 范圍內(nèi)進(jìn)行編程。
*附件：LM5088、LM5088-Q1 寬輸入范圍非同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf

LM5088 提供兩個(gè)版本：LM5088-1 提供 ±5% 的頻率抖動(dòng)功能以降低傳導(dǎo)和輻射 EMI，而 LM5088-2 則提供用于過(guò)載保護(hù)的多功能重啟定時(shí)器。其他功能包括低壓差偏置穩(wěn)壓器、用于控制關(guān)斷和待機(jī)模式的三電平使能輸入、軟啟動(dòng)和振蕩器同步功能。該器件采用熱增強(qiáng)型 16 引腳 HTSSOP 封裝。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下：
  • 器件溫度等級(jí) 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類(lèi) 2 級(jí)
  • 器件 CDM ESD 分類(lèi)等級(jí) C5
• 仿真電流模式控制
• 驅(qū)動(dòng)外部高側(cè) N 溝道 MOSFET
• 4.5 V 至 75 V 的超寬輸入電壓范圍
• 低 IQ關(guān)機(jī)和待機(jī)模式
• 高占空比功能，可降低壓差
• 擴(kuò)頻 EMI 降低 （LM5088-1）
• 用于過(guò)載保護(hù)的打嗝定時(shí)器 （LM5088-2）
• 可調(diào)輸出電壓為 1.205 V，反饋參考精度為 1.5%
• 寬帶寬誤差放大器
• 單電阻振蕩器頻率設(shè)置
• 振蕩器同步功能
• 可編程軟啟動(dòng)
• 高電壓、低壓差偏置穩(wěn)壓器
• 熱關(guān)斷保護(hù)
• 16 引腳 HTSSOP 封裝

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱(chēng)?：LM5088、LM5088-Q1
• ?類(lèi)型?：寬輸入范圍非同步降壓控制器
• ?特點(diǎn)?：適用于高壓、高效率的降壓轉(zhuǎn)換應(yīng)用，支持4.5V至75V的超寬輸入電壓范圍。

二、主要特性

• ?AEC-Q100認(rèn)證?：適用于汽車(chē)級(jí)應(yīng)用，溫度等級(jí)為-40°C至+125°C。
• ?峰值電流模式控制?：采用模擬電流斜坡，降低噪聲敏感性。
• ?寬輸入電壓范圍?：支持4.5V至75V的輸入電壓。
• ?低靜態(tài)電流?：在關(guān)斷和待機(jī)模式下具有低電流消耗。
• ?高占空比?：支持低壓降操作。
• ?頻率調(diào)制?：LM5088-1版本提供±5%的頻率抖動(dòng)，減少EMI。
• ?重載保護(hù)?：LM5088-2版本提供重啟定時(shí)器，用于過(guò)載保護(hù)。
• ?可編程軟啟動(dòng)?：防止啟動(dòng)時(shí)的電流沖擊。
• ?熱關(guān)斷保護(hù)?：防止過(guò)熱損壞。

三、引腳配置與功能

• ?VIN?：輸入電源電壓，范圍4.5V至75V。
• ?EN?：使能輸入，控制控制器的開(kāi)關(guān)。
• ?SS?：軟啟動(dòng)引腳，控制啟動(dòng)時(shí)的電壓上升速率。
• ?RAMP?：斜坡控制信號(hào)，設(shè)置電流模式控制的斜坡斜率。
• ?RT/SYNC?：振蕩器頻率設(shè)置輸入和同步輸入。
• ?GND?：接地。
• ?COMP?：誤差放大器輸出，連接補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)。
• ?FB?：反饋信號(hào)輸入，連接至輸出電壓的分壓器。
• ?OUT?：輸出電壓連接。
• ?DITH/RES?：頻率抖動(dòng)電容連接（LM5088-1）或重啟定時(shí)器電容連接（LM5088-2）。
• ?CS?：電流感應(yīng)輸入，連接至電流感應(yīng)電阻。
• ?CSG?：電流感應(yīng)地。
• ?SW?：開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)，連接至外部MOSFET的源極。
• ?HG?：高側(cè)門(mén)驅(qū)動(dòng)輸出，連接至外部MOSFET的柵極。
• ?BOOT?：自舉電容輸入，為門(mén)驅(qū)動(dòng)提供偏置電壓。
• ?VCC?：控制器內(nèi)部偏置電壓輸出，可外接電容去耦。
• ?EP?：暴露焊盤(pán)，必須接地以減小熱阻。

四、電氣特性

• ?工作電壓范圍?：VIN為4.5V至75V，VCC為8.3V至13V（外部供電時(shí)）。
• ?靜態(tài)電流?：待機(jī)模式下為2.9mA，關(guān)斷模式下為15μA。
• ?輸出電壓精度?：反饋參考電壓為1.205V，精度為1.5%。
• ?頻率范圍?：可編程范圍為50kHz至1MHz。
• ?熱關(guān)斷溫度?：165°C。

五、功能描述

• ?峰值電流模式控制?：通過(guò)模擬電流斜坡實(shí)現(xiàn)，提高小占空比控制的可靠性。
• ?動(dòng)態(tài)頻率控制?：在低壓降模式下自動(dòng)降低工作頻率，以減小壓降。
• ?頻率抖動(dòng)?：LM5088-1版本提供，用于減少EMI。
• ?重載保護(hù)?：LM5088-2版本提供重啟定時(shí)器，防止長(zhǎng)時(shí)間過(guò)載。
• ?軟啟動(dòng)?：通過(guò)SS引腳控制輸出電壓的上升速率。
• ?熱關(guān)斷?：防止控制器過(guò)熱損壞。

六、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：包括電信、工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域，適用于需要高壓降和高效率的應(yīng)用場(chǎng)合。
• ?設(shè)計(jì)考慮?：包括電感選擇、輸出電容選擇、電流感應(yīng)電阻選擇等。