概述
ADRF5714 是一款 1 位硅工藝數字衰減器，具有 16 dB 衰減率，并且支持無干擾操作。

該套件的工作頻率范圍為 100 MHz 至 30 GHz，具有優于 1.3 dB 的插入損耗和出色的衰減精度。ADRF5714 的 ATTIN 端口具有 30 dBm 平均和 33 dBm 峰值的 RF 輸入功率處理能力。

ADRF5714 需要 +3.3 V 和 ?3.3 V 的雙電源電壓。此套件采用互補金屬氧化物半導體 (CMOS)-/低電壓晶體管至晶體管邏輯 (LVTTL) 兼容控制。

ADRF5714 還可使用單一正電源電壓 (V DD ) 工作。負電源電壓 (V SS ) 接地。有關更多詳細信息，請參見數據手冊的“工作原理”部分。

ADRF5714 射頻端口旨在匹配 50 Ω 的特性阻抗。ADRF5714 采用符合 RoHS 標準的 12 端子、2.25 mm × 2.25 mm、LGA 封裝， 并可在 ?40°C 至 +105°C 的溫度范圍內工作。
數據表：*附件：ADRF5714硅數字衰減器，1位，100MHz至30GHz技術手冊.pdf

應用

• 工業掃描儀
• 測試和儀器儀表
• 蜂窩基礎設施：5G 毫米波
• 軍用射頻、雷達和電子對抗措施 (ECM)
• 微波射頻和甚小孔徑終端 (VSAT)

特性

• 超寬帶頻率范圍：0.1 GHz 至 30 GHz
• 16 dB 單一衰減步長
• 低插入損耗
  • 0.7 dB (8 GHz)
  • 0.9 dB (18 GHz)
  • 1.3 dB (30 GHz)
• 衰減精度：±0.20 dB 典型值，最高 30 GHz
• 高輸入線性度
• P0.1dB 插入損耗狀態：33 dBm
• P0.1dB 16 dB 衰減狀態：29 dBm
• IP3 插入損耗路徑：57 dBm（典型值）
• IP3 16 dB 衰減狀態：49 dBm（典型值）
• 高 RF 功率處理能力
  • 30 dBm（典型值）穩態平均值
  • 33 dBm（典型值）穩態峰值
• RF 幅度建立時間（0.1 dB 最終 RF OUT ）：110 ns
• 支持單電源工作
• 在相對相位中實現緊密分布
• 無低頻雜散信號
• 與 CMOS/LVTTL 兼容
• 12 端子 2.25 mm x 2.25 mm 岸面柵格陣列 (LGA) 封裝

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息

射頻傳輸線采用共面波導（CPWG）模型設計，走線寬度為16密耳，與接地層的間距為6密耳，特性阻抗為50Ω。為實現最佳射頻和熱接地效果，應通過盡可能多的過孔，圍繞器件的外露焊盤進行布線。
射頻輸入和輸出端口（ATTIN和ATTOUT）通過50Ω傳輸線連接。VDD和VSS電源引腳通過一個100 pF的旁路電容來濾除高頻噪聲。圖20展示了ADRF5714的簡化應用電路。

印刷電路板（PCB）設計建議

射頻端口需匹配50Ω阻抗，引腳設計為與PCB上的50Ω CPWG具有匹配的特性阻抗。圖21展示了ADRF5714射頻走線的推薦CPWG射頻電路設計，采用兩層12密耳厚的Rogers RO4003C介電材料。對于2.2密耳成品銅厚，建議采用寬度為16密耳、間距為6密耳的射頻走線。

圖22展示了射頻走線、電源和控制信號在ADRF5714上的布線情況。接地層通過盡可能多的過孔連接，以實現最佳射頻和熱接地效果。

圖23展示了ADRF5714從ATTIN和ATTOUT引腳到參考堆疊上50Ω CPWG的推薦布局。PCB焊盤按1:1比例繪制為器件焊盤。接地焊盤按阻焊層定義繪制，信號焊盤按焊盤限定繪制。從PCB焊盤引出的射頻走線以45°角延伸。焊膏掩模也經過設計，以匹配焊盤的阻抗降低需求。焊膏掩模被劃分為多個開口。