概述
ADRF5715 是一款 1 位數(shù)字硅工藝衰減器，衰減率為 16 dB。

ADRF5715 的工作頻率范圍為 1 MHz 至 30 GHz，具有優(yōu)于 1.15 dB 的插入損耗和出色的衰減精度。ADRF5715 的 ATTIN 和 ATTOUT 端口的射頻功率處理能力為 30 dBm 穩(wěn)態(tài)平均值和 33 dBm 穩(wěn)態(tài)峰值。

ADRF5715 需要 +3.3 V 和 ?3.3 V 的雙電源電壓。此套件采用互補金屬氧化物半導體 (CMOS)-/低電壓晶體管至晶體管邏輯 (LVTTL) 兼容控制。

ADRF5715 也可以使用單個正電源電壓 (V DD ) 下工作，同時負電源電壓 (VSS) 接地。有關更多詳細信息，請參見“工作原理”部分。

ADRF5715 射頻端口旨在匹配 50 Ω 的特性阻抗。ADRF5715 采用符合 RoHS 標準的 12 端子、2.25 mm × 2.25 mm、LGA 封裝， 并可在 ?40°C 至 +105°C 的溫度范圍內(nèi)工作。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5715硅數(shù)字衰減器，1位，1MHz至30GHz技術手冊.pdf

應用

• 工業(yè)掃描儀
• 測試和儀器儀表
• 蜂窩基礎設施：5G 毫米波
• 軍用射頻、雷達和電子對抗措施 (ECM)
• 微波射頻和甚小孔徑終端 (VSAT)

特性

• 超寬帶頻率范圍：1 MHz 至 30 GHz
• 衰減范圍：16 dB（典型值）
• 低插入損耗
  • 0.6 dB (8 GHz)
  • 0.8 dB (18 GHz)
  • 1.15 dB (30 GHz)
• 衰減精度
  • ±0.15 dB 典型值，最高 18 GHz
  • 18 GHz 至 30 GHz：±0.20 dB（典型值）
• 高輸入線性度
  • P0.1dB 插入損耗狀態(tài)：33 dBm（典型值）
  • P0.1dB 16 dB 衰減狀態(tài)：30 dBm（典型值）
  • IP3 插入損耗路徑：51 dBm（典型值）
  • IP3 16 dB 衰減狀態(tài)：49 dBm（典型值）
• 高 RF 功率處理能力
  • ATTIN 和 ATTOUT 的輸入
    • 30 dBm（典型值）穩(wěn)態(tài)平均值
    • 33 dBm（典型值）穩(wěn)態(tài)峰值
• RF 幅度建立時間（0.1 dB 最終 RF OUT ）：6.5 μs（典型值）
• 支持單電源工作
• 在相對相位中緊密分布
• 無低頻雜散信號
• 與 CMOS/LVTTL 兼容
• 12 端子 2.25 mm x 2.25 mm 岸面柵格陣列 (LGA) 封裝

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息

射頻傳輸線采用共面波導（CPWG）模型設計，走線寬度為16密耳，接地間距為6密耳，特性阻抗為50Ω。為實現(xiàn)最佳射頻和熱接地效果，在傳輸線周圍以及封裝裸露焊盤下方盡可能多地布置了過孔。

射頻輸入和輸出端口（ATTIN和ATTOUT）通過50Ω傳輸線連接。在VDD和VSS電源走線上，一個100 pF的旁路電容可濾除高頻噪聲。圖20展示了ADRF5715的簡化應用電路。

印刷電路板（PCB）設計建議

射頻端口內(nèi)部已匹配至50Ω，引腳布局設計用于與印刷電路板上具有50Ω特性阻抗的共面波導相匹配。圖21展示了基于12密耳厚Rogers RO4003介電材料的推薦CPWG走線設計。對于2.2盎司成品銅厚，建議采用16密耳寬的射頻走線和6密耳的間距。

圖22展示了ADRF5715的射頻走線、電源和控制信號的布線情況。接地層通過盡可能多的填充過孔連接，以實現(xiàn)最佳射頻和熱性能。器件的主要散熱焊盤與底層相連。

圖23展示了從ADRF5715的ATTIN和ATTOUT引腳到參考疊層上50Ω CPWG的推薦布局。PCB焊盤按1:1比例繪制，與器件焊盤對應。接地焊盤采用阻焊層定義，信號焊盤采用焊盤定義。從PCB焊盤引出的射頻走線寬度為2密耳，并以90°角逐漸變細。助焊層也經(jīng)過設計，可與焊盤匹配，且不減小開口尺寸。助焊層被劃分為多個開口，以適應焊盤。

對于具有不同介電厚度和CPWG設計的其他PCB疊層，請聯(lián)系亞德諾半導體技術支持獲取進一步建議。