概述
ADRF5731 是一款硅、4 位數字衰減器，以 2 dB 步長提供 30 dB 的衰減控制范圍。

該器件的工作頻率范圍為 100 MHz 至 40 GHz，提供優于 3.5 dB 的插入損耗。在所有狀態下，ADRF5720 的 ATTIN 端口具有 26 dBm（平均值）和30 dBm（峰值）的射頻(RF)輸入功率處理能力。

ADRF5731 需要 +3.3 V 和 ?3.3 V 雙電源電壓供電。該器件具有串行外設接口(SPI)、并行模式控制和互補金屬氧化物半導體(CMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5731 與 ADRF5721（低頻截止版本）引腳兼容，工作頻率范圍為 9 kHz 至 40 GHz。

ADRF5731 RF 端口設計用于匹配 50 Ω 的特征阻抗。

ADRF5731 采用符合 RoHS 標準的 16 引腳、2.5 mm × 2.5 mm、基板柵格陣列(LGA)封裝，工作溫度范圍為 ?40°C 至 +105°C。
數據表：*附件：ADRF5731 2dB LSB、4位硅數字衰減器，100MHz至40GHz技術手冊.pdf

應用

• 工業掃描儀
• 測試和儀器儀表
• 蜂窩基礎設施：5G 毫米波
• 軍用無線電、雷達、電子對抗(ECM)
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)

特性

• 超寬帶頻率范圍：100 MHz 至 40 GHz
• 衰減范圍：2 dB 步進至 30 dB
• 低插入損耗
  • 1.7 dB 至 18 GHz
  • 2.2 dB 至 26 GHz
  • 3.5 dB 至 40 GHz
• 衰減精度
  • ±(0.1 + 2.0%)的衰減狀態，最高 18 GHz
  • ±(0.2 + 2.5%)的衰減狀態，最高 26 GHz
  • ±(0.5 + 10.0%)的衰減狀態，最高 40 GHz
• 高 RF 輸入功率處理：26 dBm 平均值，30 dBm 峰值
• 相對相位中的緊湊分布
• 典型步進誤差
  • ±0.15 dB 至 18 GHz
  • ±0.20 dB 至 26 GHz
  • ±0.60 dB 至 40 GHz
• 高輸入線性度
  • P0.1dB 插入損耗狀態：30 dBm
  • P0.1dB 其他衰減狀態：26 dBm
  • IP3：50 dBm（典型值）
• 無低頻開關雜散
• SPI 和并行模式控制，CMOS/LVTTL 兼容
• RF 幅度建立時間（0.1 dB 最終 RF 輸出）：230 ns
• 2.5 mm × 2.5 mm、16 引腳 LGA 封裝
• 與 ADRF5721 引腳兼容，低頻截止版本

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息

評估板

ADRF5731 - EVALZ是一款四層評估板。頂層和底層銅層為0.5盎司（0.7密耳），鍍覆至1.5盎司（2.2密耳），中間由電介質材料隔開。該評估板的堆疊結構如圖28所示。

所有射頻和直流走線都布置在頂層銅層，而內層和底層為接地層，為射頻傳輸線提供穩固的接地。頂層電介質材料為12密耳的Rogers RO4003，可提供最佳的高頻性能。中間和底層電介質材料提供機械強度。電路板總厚度為62密耳，可在板邊連接2.4 mm的射頻連接器。
射頻傳輸線采用共面波導（CPWG）模型設計，線寬為16密耳，與接地層間距為6密耳，特性阻抗為50Ω。為實現最佳射頻和熱接地效果，應圍繞傳輸線及器件外露焊盤布置盡可能多的過孔。
直通校準可用于校準消除ADRF5731 - EVALZ評估板測量中的板損耗效應，以確定集成電路引腳處的性能。圖29展示了ADRF5731 - EVALZ評估板的典型板損耗（THRU）、嵌入插入損耗以及去嵌入插入損耗。

圖29展示了插入損耗與頻率的關系。

圖30展示了帶有元件布局的實際ADRF5731 - EVALZ評估板。

兩個電源端口連接到VDD和VSS測試點TP1和TP2，接地參考連接到GND測試點TP4。在電源走線VDD和VSS上，使用一個100 pF的旁路電容來濾除高頻噪聲。此外，還有未安裝元件的位置，可通過添加元件來應用額外的旁路電容。
所有數字控制引腳通過數字信號走線連接到2×9引腳接頭P1。設有一個電阻電容（RC）濾波器，有助于消除直流耦合噪聲。在評估ADRF5731時，評估板上未安裝外部RC濾波器，此時串聯電阻為0Ω，并聯電容未安裝。
射頻輸入和輸出端口（ATTIN和ATTOUT）分別通過50Ω傳輸線連接到2.4 mm射頻連接器J1和J2。這些高頻射頻連接器通過接觸連接，未焊接到板上。
一條直通校準傳輸線J3和J4未安裝元件。這條傳輸線用于評估環境條件下估算印刷電路板的損耗，ADRF5731 - EVALZ評估板的示意圖如圖31所示。