概述
ADRF5474是一款具有22 dB衰減控制范圍和2 dB步長的4位數(shù)字衰減器，采用連接在砷化鎵(GaAs)載波襯底上的硅工藝制造。該襯底集成了芯片和引線裝配焊盤，且器件底部經(jīng)過金屬化處理并接地。

該器件的工作頻率范圍為10 MHz至60 GHz，在55 GHz時提供優(yōu)于2.7 dB的插入損耗和出色的衰減精度。在所有狀態(tài)下，ADRF5474具有23 dBm（平均值）和24 dBm（峰值）的RF輸入功率處理能力。

ADRF5474需要+3.3 V和?3.3 V雙電源電壓供電。該器件具有并行模式控制和互補金屬氧化物半導體(CMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5474設計用于匹配50 Ω的特征阻抗。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADRF5474硅數(shù)字衰減器，2dB LSB，4位，10MHz至60GHz技術(shù)手冊.pdf

應用

• 工業(yè)掃描儀
• 測試和儀器儀表
• 蜂窩基礎(chǔ)設施：5G毫米波
• 軍用無線電、雷達、電子對抗(ECM)
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)

特性

• 超寬帶頻率范圍：10 MHz 至 60 GHz
• 衰減范圍：22 dB，步長為 2 dB
• 用于線焊和帶狀鍵合的焊盤
• 低插入損耗
  • 1.3 dB 典型值，最高 20 GHz
  • 2.0 dB 典型值，最高 44 GHz
  • 2.7 dB 典型值，最高 55 GHz
• 衰減精度
• ±（0.3 + 1.0% 的衰減狀態(tài)）通常高達 20 GHz
• ±（0.4 + 4.0% 的衰減狀態(tài)）通常高達 44 GHz
• ±（0.4 + 6.0% 的衰減狀態(tài)）通常高達 55 GHz
• 典型步進誤差
• ±0.30 dB 典型值，最高 20 GHz
• ±0.65 dB 典型值，最高 44 GHz
• ±1.10 dB 典型值，最高 55 GHz
• 高輸入線性度
  • P0.1dB：25.5 dBm（典型值）
  • IP3：45 dBm（典型值）
• 高 RF 功率處理能力
• 23 dBm 穩(wěn)態(tài)和熱切換，平均值
• 24 dBm 穩(wěn)態(tài)和熱切換，峰值
• 在相對相位中實現(xiàn)緊密分布
• 無低頻雜散信號
• 并行模式控制，與 CMOS/LVTTL 兼容
• RF 幅度建立時間（0.1 dB 最終 RF 輸出）：175 ns
• 16 焊盤、2.770 mm × 1.620 mm、載體上裸片 [CHIP]

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息

芯片組裝

ADRF5474的組裝圖如圖25所示。

ADRF5474經(jīng)過設計，采用3 mil×0.5 mil的金帶線，典型環(huán)路高度為3 mil ，可實現(xiàn)最佳的射頻輸入和輸出阻抗匹配。鍵合圖如圖26和圖27所示。此外，使用具有等效電感的多根線鍵合也能產(chǎn)生相似的性能。對于從器件引出的射頻布線，可使用共面波導或微帶傳輸線。傳輸線焊盤無需進行阻抗匹配，因為器件已進行內(nèi)部設計，可與推薦的帶線相匹配。建議從射頻傳輸線到器件邊緣保持3 mil的間距，以實現(xiàn)最佳性能。

直流焊盤可使用標準的1 mil直徑金線進行連接，應使線長盡可能短，以最小化寄生電感。如果直流焊盤足夠大，能夠容納帶線鍵合，則優(yōu)先采用帶線鍵合。
所有鍵合必須在150°C的標稱平臺溫度下進行熱超聲鍵合，并且必須施加足夠的超聲能量，以實現(xiàn)可靠的鍵合。
器件背面有金屬化層，接地連接可通過直接連接器件來實現(xiàn)。在這種情況下，將射頻接地層與導電環(huán)氧樹脂連接，連接接地焊盤雖非必需，但仍建議進行，以確保接地牢固。

搬運、安裝和環(huán)氧芯片粘貼

器件在運輸時置于防靜電密封袋中，所有裸芯片應存放在干燥氮氣環(huán)境中。
對于手動拾取，通常使用鑷子拾取砷化鎵（GaAs）器件。然而，對于芯片載體器件，建議使用真空工具，以免對器件襯底造成損壞。應在清潔環(huán)境中操作這些器件。
粘貼芯片時，應在安裝表面涂抹少量環(huán)氧樹脂，以便在芯片放置到位后，在其周邊形成薄的環(huán)氧樹脂溢邊。在制造商指定的固化溫度下固化環(huán)氧樹脂。設置芯片粘貼工藝和環(huán)氧樹脂固化溫度，以降低組裝后的累積應力。
由于芯片通過焊點粘貼，用戶必須遵循其模塊組件的熱機械設計最佳實踐。襯底材料的熱膨脹系數(shù)必須與砷化鎵（GaAs）和硅（Si）芯片的熱膨脹系數(shù)相匹配。請勿讓襯底發(fā)生翹曲或其他機械變形。