概述
ADRF5717是一款2位硅數字衰減器，衰減范圍為48 dB，步進為16 dB，支持無毛刺操作。

ADRF5717的工作頻率范圍為1 MHz至30 GHz，插入損耗優于2.8 dB，衰減精度優于3.3 dB。

ADRF5717的ATTIN和ATTOUT端口具有30 dBm穩態平均值和33 dBm穩態峰值的RF功率處理能力。

ADRF5717需要+3.3 V和-3.3 V的雙電源電壓供電。該器件具有并行模式控制和互補金屬氧化物半導體(CMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。

當負電源電壓(V DD )接地時，ADRF5717也可在單一正電源電壓(VDD)下工作。更多信息參見工作原理部分。

ADRF5717 RF端口設計用于匹配50 Ω的特征阻抗。ADRF5717采用符合RoHS標準的20引腳、3 mm × 3 mm LGA封裝，工作溫度范圍為?40℃至+105℃。
數據表：*附件：ADRF5717數字步進衰減器， 2-Bit, 1MHz至30GHz技術手冊.pdf

應用

• 工業掃描儀
• 測試和儀器儀表
• 蜂窩基礎設施：5G毫米波
• 軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM)
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)

特性

• 寬帶頻率范圍：1 MHz至30 GHz
• 衰減范圍：典型步進16 dB，最大可達48 dB
• 低插入損耗
  • 1.5 dB至8 GHz
  • 2.0 dB至18 GHz
  • 2.8 dB至30 GHz
• 衰減精度
  • ±（0.20 + 2.3%衰減狀態）dB（典型值，高達8 GHz）
  • ±（0.30 + 3.2%衰減狀態）dB（典型值，高達18 GHz）
  • ±（0.30 + 6.5%衰減狀態）dB（典型值，高達30 GHz）
• 典型步進誤差
  • ±0.8 dB（典型值，高達8 GHz）
  • ±1.3 dB（典型值，高達18 GHz）
  • ±3.3 dB（典型值，高達30 GHz）
• 高輸入線性度
  • P0.1dB插入損耗狀態：30 dBm（典型值）
• P0.1dB其他衰減狀態：30 dBm（典型值）
• IP3插入損耗狀態：51 dBm（典型值）
• IP3其他衰減狀態：49 dBm（典型值）
• 高RF功率處理
  • ATTIN和ATTOUT的輸入
    • 30 dBm典型穩態平均值
    • 33 dBm典型穩態峰值
• RF幅度建立時間（與最終RFOUT相差0.1 dB）：6.6 μs（典型值）
• 支持單電源供電
• 相對相位中的緊湊分布
• 無低頻雜散信號
• 并行模式控制，兼容CMOS/LVTTL
• 20引腳、3 mm x 3 mm、柵格陣列(LGA)封裝

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息

射頻傳輸線采用共面波導（CPWG）模型設計，線寬為16密耳，與接地層間距為6密耳，特性阻抗為50Ω。為實現最佳射頻和熱接地效果，應圍繞傳輸線及器件下方布置盡可能多的過孔。
射頻輸入和輸出端口（ATTIN和ATTOUT）通過50Ω傳輸線連接。在VDD和VSS電源引腳上，接有一個100 pF的旁路電容來濾除高頻噪聲。圖21展示了ADRF5717的簡化應用電路。

印刷電路板（PCB）設計建議

射頻端口內部匹配至50Ω，引腳設計為與PCB上的50Ω CPWG具有匹配的特性阻抗。圖22展示了ADRF5717在12密耳厚Rogers RO4003介電材料射頻基板上的推薦CPWG射頻電路設計。對于2.2密耳成品銅厚，建議采用線寬16密耳、間距6密耳的射頻走線。

圖23展示了ADRF5717的射頻走線、電源和控制信號的布線情況。接地層通過盡可能多的過孔連接，以實現最佳射頻和熱性能。該器件主要的散熱路徑在底部。

圖24展示了ADRF5717從ATTIN和ATTOUT引腳到參考堆疊上50Ω CPWG的推薦布局。PCB焊盤按1:1比例繪制為器件焊盤。接地焊盤按阻焊層定義繪制，信號焊盤按焊盤限定繪制。從PCB焊盤引出的射頻走線延伸2密耳，呈90° 錐形。焊膏掩模也經過設計，以匹配焊盤而無開口縮減。焊膏掩模被劃分為多個開口。