概述
ADRF5717是一款2位硅數(shù)字衰減器,衰減范圍為48 dB,步進(jìn)為16 dB,支持無毛刺操作。
ADRF5717的工作頻率范圍為1 MHz至30 GHz,插入損耗優(yōu)于2.8 dB,衰減精度優(yōu)于3.3 dB。
ADRF5717的ATTIN和ATTOUT端口具有30 dBm穩(wěn)態(tài)平均值和33 dBm穩(wěn)態(tài)峰值的RF功率處理能力。
ADRF5717需要+3.3 V和-3.3 V的雙電源電壓供電。該器件具有并行模式控制和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)/低壓晶體管對晶體管邏輯(LVTTL)兼容控制特性。
當(dāng)負(fù)電源電壓(V DD )接地時(shí),ADRF5717也可在單一正電源電壓(VDD)下工作。更多信息參見工作原理部分。
ADRF5717 RF端口設(shè)計(jì)用于匹配50 Ω的特征阻抗。ADRF5717采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的20引腳、3 mm × 3 mm LGA封裝,工作溫度范圍為?40℃至+105℃。
數(shù)據(jù)表:*附件:ADRF5717數(shù)字步進(jìn)衰減器, 2-Bit, 1MHz至30GHz技術(shù)手冊.pdf
應(yīng)用
特性
- 寬帶頻率范圍:1 MHz至30 GHz
- 衰減范圍:典型步進(jìn)16 dB,最大可達(dá)48 dB
- 低插入損耗
- 1.5 dB至8 GHz
- 2.0 dB至18 GHz
- 2.8 dB至30 GHz
- 衰減精度
- ±(0.20 + 2.3%衰減狀態(tài))dB(典型值,高達(dá)8 GHz)
- ±(0.30 + 3.2%衰減狀態(tài))dB(典型值,高達(dá)18 GHz)
- ±(0.30 + 6.5%衰減狀態(tài))dB(典型值,高達(dá)30 GHz)
- 典型步進(jìn)誤差
- ±0.8 dB(典型值,高達(dá)8 GHz)
- ±1.3 dB(典型值,高達(dá)18 GHz)
- ±3.3 dB(典型值,高達(dá)30 GHz)
- 高輸入線性度
- P0.1dB插入損耗狀態(tài):30 dBm(典型值)
- P0.1dB其他衰減狀態(tài):30 dBm(典型值)
- IP3插入損耗狀態(tài):51 dBm(典型值)
- IP3其他衰減狀態(tài):49 dBm(典型值)
- 高RF功率處理
- ATTIN和ATTOUT的輸入
- 30 dBm典型穩(wěn)態(tài)平均值
- 33 dBm典型穩(wěn)態(tài)峰值
- ATTIN和ATTOUT的輸入
- RF幅度建立時(shí)間(與最終RFOUT相差0.1 dB):6.6 μs(典型值)
- 支持單電源供電
- 相對相位中的緊湊分布
- 無低頻雜散信號
- 并行模式控制,兼容CMOS/LVTTL
- 20引腳、3 mm x 3 mm、柵格陣列(LGA)封裝
框圖
引腳配置描述
接口示意圖
典型性能特征
應(yīng)用信息
射頻傳輸線采用共面波導(dǎo)(CPWG)模型設(shè)計(jì),線寬為16密耳,與接地層間距為6密耳,特性阻抗為50Ω。為實(shí)現(xiàn)最佳射頻和熱接地效果,應(yīng)圍繞傳輸線及器件下方布置盡可能多的過孔。
射頻輸入和輸出端口(ATTIN和ATTOUT)通過50Ω傳輸線連接。在VDD和VSS電源引腳上,接有一個(gè)100 pF的旁路電容來濾除高頻噪聲。圖21展示了ADRF5717的簡化應(yīng)用電路。
印刷電路板(PCB)設(shè)計(jì)建議
射頻端口內(nèi)部匹配至50Ω,引腳設(shè)計(jì)為與PCB上的50Ω CPWG具有匹配的特性阻抗。圖22展示了ADRF5717在12密耳厚Rogers RO4003介電材料射頻基板上的推薦CPWG射頻電路設(shè)計(jì)。對于2.2密耳成品銅厚,建議采用線寬16密耳、間距6密耳的射頻走線。
圖23展示了ADRF5717的射頻走線、電源和控制信號的布線情況。接地層通過盡可能多的過孔連接,以實(shí)現(xiàn)最佳射頻和熱性能。該器件主要的散熱路徑在底部。
圖24展示了ADRF5717從ATTIN和ATTOUT引腳到參考堆疊上50Ω CPWG的推薦布局。PCB焊盤按1:1比例繪制為器件焊盤。接地焊盤按阻焊層定義繪制,信號焊盤按焊盤限定繪制。從PCB焊盤引出的射頻走線延伸2密耳,呈90° 錐形。焊膏掩模也經(jīng)過設(shè)計(jì),以匹配焊盤而無開口縮減。焊膏掩模被劃分為多個(gè)開口。
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