SM74104 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) 采用同步降壓配置的側(cè)面 N 溝道 MOSFET。浮動高側(cè)驅(qū)動器是 能夠在高達(dá) 100V 的電源電壓下工作。高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器是 由單個輸入控制。每次狀態(tài)變化都以自適應(yīng)方式進(jìn)行控制，以防止 shoot-through 問題。除了 adaptive transition timing（自適應(yīng)過渡時序）之外，額外的 delay time （延遲時間） 還可以 添加，與外部設(shè)置電阻器成正比。集成的高壓二極管是 用于為高側(cè)柵極驅(qū)動自舉電容器充電。堅固的電平轉(zhuǎn)換器在 高速，低功耗，并提供來自控制邏輯的干凈電平轉(zhuǎn)換 到高側(cè)柵極驅(qū)動器。在低側(cè)和高側(cè)均提供欠壓鎖定 側(cè)面電源軌。
*附件：sm74104.pdf

特性

• 可再生能源等級
• 驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道
  MOSFET
• 具有
  可編程附加延遲的自適應(yīng)上升沿和下降沿
• 單輸入控制
• 自舉電源電壓范圍高達(dá) 118V DC
• 快速關(guān)斷傳播延遲（典型值為 25 ns）
• 以 15 ns 的上升和下降
  時間驅(qū)動 1000 pF 負(fù)載
• 電源軌欠壓鎖定

典型應(yīng)用

• 電流饋電推挽式電源轉(zhuǎn)換器
• 高壓降壓穩(wěn)壓器
• 有源鉗位正激式電源轉(zhuǎn)換器
• 半橋和全橋轉(zhuǎn)換器

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?型號?：SM
• ?類型?：高壓半橋柵極驅(qū)動器
• ?特點?：
  • 設(shè)計用于驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET
  • 浮動高側(cè)驅(qū)動器支持高達(dá)V的電源電壓
  • 自適應(yīng)上升和下降邊緣，防止穿通電流
  • 單輸入控制高側(cè)和低側(cè)輸出
  • 內(nèi)置高壓二極管，用于自舉電容充電
  • 提供欠壓鎖定保護(hù)

二、應(yīng)用領(lǐng)域

• 可再生能源系統(tǒng)
• 電流饋電推挽功率轉(zhuǎn)換器
• 高壓降壓調(diào)節(jié)器
• 有源箝位正向功率轉(zhuǎn)換器
• 半橋和全橋轉(zhuǎn)換器

三、引腳配置與功能

• ?VDD?：正電源輸入
• ?HB?：高側(cè)自舉電容正極連接
• ?HO?：高側(cè)輸出，驅(qū)動頂部MOSFET
• ?HS?：開關(guān)節(jié)點引腳，連接頂部MOSFET源極
• ?IN?：PWM控制輸入
• ?LO?：低側(cè)輸出，驅(qū)動底部MOSFET
• ?RT?：延遲定時器引腳，設(shè)置額外延遲時間
• ?VSS?：地引腳
• ?N/C?：無連接引腳

四、電氣特性

• ? 電源電壓（VDD） ?：V至V（推薦），絕對最大值為V
• ? 自舉電壓（VHB） ?：高達(dá)V
• ?輸入電壓范圍?：
  • 低電平輸入閾值（VIL）：.V至.V
  • 高電平輸入閾值（VIH）：.V至.V
• ?輸出電流?：高側(cè)和低側(cè)峰值均為.A（源）和.A（沉）
• ?傳播延遲?：典型值為ns（上下沿）
• ?上升/下降時間?：ns（pF負(fù)載）
• ?欠壓鎖定（UVLO）閾值?：VDD為.V至.V，VHB為.V至.V

五、保護(hù)功能

• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：監(jiān)測VDD和VHB電壓，防止在低電壓條件下驅(qū)動MOSFET
• ?自適應(yīng)延遲?：通過監(jiān)測MOSFET柵極電壓，防止穿通電流

六、典型應(yīng)用

• 提供了在同步降壓配置中驅(qū)動MOSFET的典型應(yīng)用電路
• 描述了設(shè)計要求和詳細(xì)設(shè)計過程，包括RT電阻的選擇、外部快恢復(fù)二極管的放置等

七、布局指南

• 推薦將柵極驅(qū)動器盡可能靠近MOSFET放置，以最小化寄生電感
• 強調(diào)了接地設(shè)計的重要性，以減少噪聲和提高穩(wěn)定性
• 提供了布局示例，展示了組件放置和走線建議

八、文檔與支持

• 提供了相關(guān)技術(shù)文檔、設(shè)計資源和社區(qū)支持的鏈接
• 提供了靜電放電警示和術(shù)語表

九、封裝與可訂購信息

• 提供SOIC-和WSON-兩種封裝選項
• 提供了詳細(xì)的封裝尺寸、材料、引腳分配和可訂購代碼信息