TPS28225 是一款高速驅(qū)動(dòng)器，適用于具有自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制的 N 溝道互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適用于各種大電流單相和多相 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。TPS28225 是一種提供高效率、小尺寸和低 EMI 輻射的解決方案。
*附件：tps28225.pdf

該效率是通過(guò)高達(dá) 8.8V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓、14ns 自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制、14ns 傳播延遲以及大電流 2A 拉電流和 4A 灌電流驅(qū)動(dòng)能力實(shí)現(xiàn)的。較低柵極驅(qū)動(dòng)器的 0.4Ω 阻抗將功率 MOSFET 的柵極保持在其閾值以下，并確保在高 dV/dt 相節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換時(shí)沒(méi)有擊穿電流。由內(nèi)部二極管充電的自舉電容器允許在半橋配置中使用 N 溝道 MOSFET。

特性

• 以 14ns 自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET
• 寬柵極驅(qū)動(dòng)電壓：4.5V 至 8.8V，在 7V 至 8V 時(shí)具有最佳效率
• 寬電源系統(tǒng)組輸入電壓：3V 至 27V
• 寬輸入 PWM 信號(hào)：2.0V 至 13.2V 幅度
• 能夠以每相 ≥40A 的電流驅(qū)動(dòng) MOSFET
• 高頻作：14ns 傳播延遲和 10ns 上升/下降時(shí)間允許 FSW – 2MHz
• 能夠傳播 <30ns 輸入 PWM 脈沖
• 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器吸收導(dǎo)通電阻 （0.4Ω） 可防止與 dV/dT 相關(guān)的擊穿電流
• 用于功率級(jí)關(guān)斷的 3 態(tài) PWM 輸入
• 節(jié)省空間的使能（輸入）和電源良好（輸出）信號(hào)位于同一引腳上
• 熱關(guān)斷
• UVLO 保護(hù)
• 內(nèi)部自舉二極管
• 經(jīng)濟(jì)型 SOIC-8 和熱增強(qiáng)型 3mm x 3mm VSON-8 封裝
• 高性能替代流行的 3 態(tài)輸入驅(qū)動(dòng)器

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

TPS 是一款高頻同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET，具有自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間、寬輸入電壓范圍和高效率等特點(diǎn)。它適用于多種高電流單相和多相DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

二、主要特性

• ?高頻操作?：最高可達(dá)2MHz的開(kāi)關(guān)頻率。
• ?寬輸入電壓范圍?：VDD輸入電壓范圍為V至V，PWM輸入信號(hào)幅度為.V至.V。
• ?高效率?：高達(dá)8.8V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓和ns的自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間，提高系統(tǒng)效率。
• ?低dV/dt相關(guān)穿透電流?：低側(cè)驅(qū)動(dòng)器具有0.4?的阻抗，防止高dV/dt時(shí)的穿透電流。
• ?3態(tài)PWM輸入?：支持電源級(jí)關(guān)斷，具有使能（輸入）和電源良好（輸出）信號(hào)。
• ?保護(hù)功能?：包括熱關(guān)斷和欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)。
• ?小型封裝?：提供SOIC-8和VSON-封裝選項(xiàng)，節(jié)省空間。

三、引腳配置與功能

• ?UGATE?：上柵極驅(qū)動(dòng)輸出，連接到高側(cè)功率N溝道MOSFET的柵極。
• ?LGATE?：下柵極驅(qū)動(dòng)輸出，連接到低側(cè)功率N溝道MOSFET的柵極。
• ?PWM?：PWM信號(hào)輸入，控制驅(qū)動(dòng)器。
• ?EN/PG?：使能/電源良好輸入/輸出引腳。
• ?VDD?：V偏置電源輸入。
• ?GND?：地引腳，所有信號(hào)均參考此節(jié)點(diǎn)。
• ?PHASE?：連接到上MOSFET的源極和下MOSFET的漏極，提供上柵極驅(qū)動(dòng)器的返回路徑。
• ?BOOT?：浮動(dòng)自舉電源引腳，用于上柵極驅(qū)動(dòng)。

四、電氣特性

• ?UVLO閾值?：VDD欠壓鎖定上升閾值典型值為.V，下降閾值典型值為3.0V。
• ?輸出阻抗?：上柵極驅(qū)動(dòng)器源阻抗典型值為1.0?，沉阻抗典型值為1.0?；下柵極驅(qū)動(dòng)器源阻抗典型值為1.0?，沉阻抗典型值為0.4?。
• ?傳播延遲?：UGATE和LGATE的關(guān)斷和開(kāi)啟傳播延遲典型值為ns。
• ?死區(qū)時(shí)間?：LGATE關(guān)斷到UGATE開(kāi)啟的死區(qū)時(shí)間典型值為ns。

五、功能描述

• ?UVLO保護(hù)?：當(dāng)VDD電壓低于UVLO閾值時(shí)，驅(qū)動(dòng)器禁用，外部功率FET處于關(guān)閉狀態(tài)。
• ?3態(tài)PWM輸入?：當(dāng)PWM輸入信號(hào)處于高阻抗?fàn)顟B(tài)時(shí)，驅(qū)動(dòng)器將兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)輸出設(shè)置為低電平，關(guān)閉外部功率FET。
• ?使能/電源良好信號(hào)?：EN/PG引腳允許驅(qū)動(dòng)器根據(jù)外部信號(hào)啟用或禁用，并提供電源良好狀態(tài)反饋。
• ?自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間?：確保在高低側(cè)MOSFET之間切換時(shí)不會(huì)產(chǎn)生穿透電流。
• ?熱關(guān)斷?：當(dāng)結(jié)溫超過(guò)°C時(shí)，驅(qū)動(dòng)器關(guān)閉輸出，防止過(guò)熱損壞。

六、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：包括多相DC-DC轉(zhuǎn)換器、桌面和服務(wù)器VRM、便攜式和筆記本調(diào)節(jié)器、隔離電源的同步整流等。
• ?設(shè)計(jì)要點(diǎn)?：包括自舉電容和VDD電容的選擇、柵極驅(qū)動(dòng)電阻的選取、布局和接地考慮等。
• ?系統(tǒng)示例?：提供了單相POL調(diào)節(jié)器、同步整流驅(qū)動(dòng)器和多相同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用示例。

七、封裝與訂購(gòu)信息

• ?封裝類型?：SOIC-和VSON-8。
• ?訂購(gòu)代碼?：提供了不同封裝和狀態(tài)的訂購(gòu)代碼選項(xiàng)。

八、文檔與支持

• ?相關(guān)文檔?：提供了應(yīng)用筆記、數(shù)據(jù)手冊(cè)和其他相關(guān)文檔的鏈接。
• ?社區(qū)資源?：鏈接到TI的EE在線社區(qū)，用戶可以在此獲取技術(shù)支持和與其他工程師交流。

九、其他信息

• ?安全警示?：提醒用戶注意靜電放電（ESD）防護(hù)。
• ?商標(biāo)與版權(quán)?：聲明了TI的商標(biāo)和版權(quán)信息。