TPS28225-Q1 是一款高速驅動器，適用于具有自適應死區時間控制的 N 溝道互補驅動功率 MOSFET。該驅動器經過優化，適用于各種大電流、單相和多相 DC-DC 轉換器。TPS28225-Q1 效率高，解決方案尺寸小，EMI 輻射低。

TPS28225-Q1 器件提供高性能特性，例如 8.8V 柵極驅動電壓、14ns 自適應死區時間控制、14ns 傳播延遲以及大電流 2A 拉電流和 4A 灌電流驅動功能。較低柵極驅動器的 0.4-Ω 阻抗將功率 MOSFET 的柵極保持在其閾值以下，并確保在高 dV/dt 相節點轉換時沒有擊穿電流。自舉電容器由內部二極管充電，允許在半橋配置中使用 N 溝道 MOSFET。
*附件：tps28225-q1.pdf

TPS28225-Q1 采用經濟型 SOIC-8 封裝和熱增強型小尺寸 VSON 封裝。該驅動器的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 105°C，絕對最高結溫為 150°C。

特性

• 適用于汽車應用
• 驅動兩個具有 14ns 自適應死區時間的 N 溝道 MOSFET
• 寬柵極驅動電壓：4.5 V 至 8.8 V，7 V 至 8 V 時效率最佳
• 寬電源系統輸入電壓：3 V 至 27 V
• 寬輸入 PWM 信號：2V 至 13.2V 幅度
• 能夠以每相 ≥40A 的電流驅動 MOSFET
• 高頻作：14ns 傳播延遲和 10ns 上升或下降時間允許 F西 南部高達 2 MHz
• 能夠傳播 <30ns 輸入 PWM 脈沖
• 低側驅動器灌電流導通電阻 （0.4 Ω） 可防止與 dV/dT 相關的擊穿電流
• 用于功率級關斷的三態 PWM 輸入
• 節省空間的使能（輸入）和電源良好（輸出）信號位于同一引腳上
• 熱關斷
• UVLO 保護
• 內部自舉二極管
• 經濟型 SOIC-8 和熱增強型 3mm × 3mm VSON-8 封裝
• 高性能替代流行的三態輸入驅動器

參數

方框圖

一、產品概述

• ?型號?：TPS5-Q
• ?類型?：汽車級高頻4-A沉電流同步MOSFET驅動器
• ?特點?：
  • 專為汽車電子應用設計
  • 驅動兩個N通道MOSFET，具有4-ns自適應死區時間
  • 寬柵極驅動電壓范圍：. V至8.8 V，最佳效率在7 V至 V
  • 寬輸入PWM信號范圍：2 V至3.2 V
  • 高頻操作：傳播延遲 ns，上升/下降時間 ns，支持高達2 MHz的開關頻率
  • 低側驅動器沉電阻（0.4 Ω）防止dV/dT相關的穿透電流
  • 三態PWM輸入，用于功率級關斷
  • 節省空間的使能（輸入）和電源良好（輸出）信號共用引腳
  • 熱關斷和欠壓鎖定（UVLO）保護
  • 內部自舉二極管
  • 經濟型SOIC-和熱增強型-mm × 3-mm VSON-8封裝

二、應用領域

• 多相DC-DC轉換器（模擬或數字控制）
• 隔離點負載的同步整流
• 無線充電發射器

三、引腳配置與功能

• ?UGATE?：高側柵極驅動源和沉輸出
• ?BOOT?：自舉供電引腳，連接自舉電容
• ?EN/PG?：使能/電源良好輸入-輸出引腳
• ?PWM?：PWM控制輸入
• ?VDD?：電源輸入
• ?GND?：地
• ?LGATE?：低側柵極驅動源和沉輸出
• ?PHASE?：相位引腳，連接高側MOSFET的源極和低側MOSFET的漏極

四、電氣特性

• ?VDD工作范圍?：. V至8.8 V
• ?輸出電流?：
  • UGATE源電流： A
  • UGATE沉電流： A
  • LGATE源電流： A
  • LGATE沉電流： A
• ?傳播延遲?： ns
• ?上升/下降時間?： ns
• ?死區時間?：4 ns

五、保護功能

• ?UVLO?：欠壓鎖定，當VDD電壓低于閾值時禁用輸出
• ?熱關斷?：當結溫超過°C時關斷輸出

六、典型應用

• 提供了在多相DC-DC轉換器、同步整流和無線充電發射器中的典型應用電路
• 詳細描述了設計要求和設計過程，包括布局指南、寄生電感影響等

七、布局指南

• 推薦將驅動器盡可能靠近MOSFET放置，以最小化寄生電感
• 推薦在VDD和GND之間放置低ESR陶瓷電容器
• 提供了布局示例，展示了如何優化PCB布局以提高性能

八、文檔與支持

• 提供了相關技術文檔、工具、軟件和社區資源的鏈接
• 提供了靜電放電警示和術語表

九、封裝與可訂購信息

• 提供SOIC-和VSON-8封裝選項
• 提供了詳細的封裝尺寸、材料、引腳分配和可訂購代碼信息