TPS28225-Q1和TPS28226-Q1是高速驅動器，此驅動器用于驅動具有自適應死區時間控制的N-通道互補驅動功率MOSFET。這些驅動器針對多種高電流單一相位和多相位dc到dc轉換器中的應用進行了優化.TPS28225-Q1是一個提供高效，小尺寸，低電磁干擾（EMI）發射的解決方案。

通過8.8V柵極驅動電壓，14ns自適應死區時間控制，14ns廣播延遲和2A高源電流和4A灌電流驅動能力，可實現這一性能。較低柵極驅動器的0.4Ω阻抗保持功率MOSFET的柵極低于它的閥值并確保在dV /dt相位結點轉換中不會產生擊穿電壓。由內部二極管充電的自舉電容器允許在半橋配置中使用N-通道MOSFET。 /p>

TPS28225-Q1特有一個3態PWM輸入，此輸入與采用3態輸出特性的多相位控制器兼容。只要此輸入停留在3態窗口的持閉時間達到250ns，此驅動器將兩個輸出都切換至低位。此關斷模式避免了來自反向輸出電壓的負載。

其它的特性包括欠壓閉鎖，熱關斷和雙向使能/電源正常信號。沒有3態特性控制器的系統可以使用使能/電源正常輸入/輸出來在關斷期間將兩個輸出保持在低位。

TPS28225-Q1采用經濟型小外型尺寸集成電路（SOIC） 8引腳和耐熱增強型小尺寸雙邊扁平無引線（DFN-8）封裝方式。此驅動器額定擴展溫度范圍為-40°C至105°C，絕對最大結溫為105°C。除了輸入欠壓閉鎖，TPS28226-Q1的工作方式與TPS28225-Q1一樣。除非另外注明，否則所有對于TPS28225-Q1的參考也適用于TPS28226-Q1。