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TOLL和DFN封裝CoolGaN 650V
G5第五代氮化鎵功率晶體管
第五代CoolGaN 650V G5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效,符合業界最高質量標準,助力打造兼具超高效率與卓越可靠性的設計方案。該系列產品現已新增采用底部冷卻技術的TOLL和DFN封裝,其創新設計可降低各類工業及消費電子應用中的功率損耗。
產品型號:
■IGT65R025D2ATMA1
■IGT65R035D2ATMA1
■IGT65R045D2ATMA1
■IGT65R055D2ATMA1
■IGT65R140D2ATMA1
■IGLD65R055D2AUMA1
■IGLD65R080D2AUMA1
■IGLD65R110D2AUMA1
■IGLD65R140D2AUMA1
產品特點
650V增強型功率晶體管
超快開關速度
無反向恢復電荷
支持反向導通
低柵極電荷與低輸出電荷
卓越的換向魯棒性
動態導通電阻(RDS(on))極低
高ESD防護能力:2kV人體放電模型(HBM)-1kV元件充電模型(CDM)
底部散熱封裝
通過JEDEC認證(JESD47/JESD22標準)
應用價值
支持高頻工作模式
實現系統最高能效
賦能超高功率密度設計
降低BOM成本
應用領域
計算和數據存儲
電動汽車充電系統
工業電源
光伏
變流器
USB-C轉換器與充電器
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GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數據手冊

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