近期，ROHM半導(dǎo)體公司發(fā)布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。這款器件專(zhuān)為48V電源架構(gòu)中的熱插拔電路設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器及工業(yè)電源，尤其是在需要電池保護(hù)的場(chǎng)合。隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，數(shù)據(jù)中心面臨著前所未有的計(jì)算需求，促使服務(wù)器的功耗逐年上升。尤其是生成性AI技術(shù)和高性能GPU的普及，進(jìn)一步加大了對(duì)提高電源效率的需求。

為了應(yīng)對(duì)這一趨勢(shì)，行業(yè)正逐步從傳統(tǒng)的12V電源系統(tǒng)向更高效的48V架構(gòu)轉(zhuǎn)型。在新的電源結(jié)構(gòu)中，熱插拔電路允許在服務(wù)器運(yùn)行的同時(shí)安全地更換模塊，這對(duì)MOSFET的性能提出了更高的要求。需要具備寬廣的安全工作區(qū)(SOA)和低導(dǎo)通電阻，以確保能夠有效防止涌入電流和過(guò)載情況的發(fā)生。

RY7P250BM正是為滿足這些要求而設(shè)計(jì)的。該器件將寬SOA與低導(dǎo)通電阻的優(yōu)勢(shì)整合在一個(gè)緊湊的8080尺寸封裝中，從而幫助數(shù)據(jù)中心降低功耗和熱管理負(fù)擔(dān)，提升服務(wù)器的可靠性和整體能效。隨著市場(chǎng)對(duì)8080尺寸MOSFET需求的不斷增長(zhǎng)，RY7P250BM成為現(xiàn)有解決方案的理想替代品。

在技術(shù)性能方面，RY7P250BM提供了廣泛的SOA(VDS=48V, Pw=1ms/10ms)，非常適合熱插拔應(yīng)用。此外，其導(dǎo)通電阻高達(dá)行業(yè)領(lǐng)先的1.86mΩ(VGS=10V, ID=50A, Tj=25°C)，這一數(shù)值比同尺寸的其他100V寬SOA MOSFET的平均水平2.28mΩ低約18%。這樣的性能表現(xiàn)顯著減少了功率損耗和熱生成，提升了整體能效。

在AI服務(wù)器的熱插拔電路中，寬廣的SOA顯得尤為重要，因?yàn)檫@些系統(tǒng)常常需應(yīng)對(duì)高涌入電流的挑戰(zhàn)。RY7P250BM設(shè)計(jì)用于有效處理這些情況，能夠承受10ms的16A和1ms的50A，支持高負(fù)載條件，這在傳統(tǒng)MOSFET中往往難以實(shí)現(xiàn)。這一特性使得RY7P250BM成為電源設(shè)計(jì)中不可或缺的組件，尤其在需要高可靠性和優(yōu)秀性能的應(yīng)用場(chǎng)景中。

未來(lái)，ROHM計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大其48V兼容的電源設(shè)備產(chǎn)品線，滿足服務(wù)器和工業(yè)應(yīng)用的需求。通過(guò)這些創(chuàng)新，ROHM希望能夠推動(dòng)更可持續(xù)的ICT基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，同時(shí)為客戶提供更高效、更可靠的電源解決方案。

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