我將從超薄晶圓淺切多道切割技術的原理、TTV 均勻性控制的重要性出發，結合相關研究案例，闡述該技術的關鍵要點與應用前景。

超薄晶圓（<100μm）淺切多道切割的 TTV 均勻性控制技術

摘要： 本文聚焦于超薄晶圓（<100μm）淺切多道切割過程中 TTV（Total Thickness Variation，總厚度變化）均勻性控制技術。闡述了該技術在現代半導體制造中的關鍵意義，分析了影響 TTV 均勻性的因素，并探討了相應的控制策略與方法，旨在提升超薄晶圓切割質量，滿足日益增長的高精度芯片制造需求。

一、引言

隨著半導體技術的飛速發展，芯片制造不斷向小型化、高性能化邁進。超薄晶圓在先進芯片制造中應用愈發廣泛，其淺切多道切割工藝的 TTV 均勻性成為影響芯片性能與良率的關鍵因素。TTV 均勻性不佳會導致芯片在后續工藝中出現鍵合不良、光刻偏差等問題，嚴重制約芯片制造水平的提升。因此，研究超薄晶圓淺切多道切割的 TTV 均勻性控制技術具有重要的現實意義。

二、影響 TTV 均勻性的因素

（一）切割設備精度

切割設備的主軸跳動、工作臺平整度等精度指標對 TTV 均勻性影響顯著。主軸跳動會使切割刀具在切割過程中產生徑向偏差，導致晶圓不同部位切割深度不一致；工作臺平整度不足則會造成晶圓放置傾斜，同樣引發切割厚度不均。

（二）切割工藝參數

切割速度、進給量、切割液流量等工藝參數的選擇直接關系到 TTV 均勻性。例如，切割速度過快可能導致切割熱集中，使晶圓局部受熱變形，影響厚度均勻性；進給量不均勻會造成切割深度波動，進而增大 TTV 值；切割液流量不足則無法有效帶走切割熱和碎屑，也會對 TTV 產生不利影響。

（三）晶圓材料特性

晶圓材料的硬度、脆性、熱膨脹系數等特性差異會影響切割過程中的應力分布和材料去除機制，從而影響 TTV 均勻性。不同材料的晶圓在相同切割條件下，TTV 表現可能截然不同。

三、TTV 均勻性控制策略

（一）設備優化

定期對切割設備進行高精度校準與維護，確保主軸跳動、工作臺平整度等關鍵精度指標滿足工藝要求。采用先進的高精度切割設備，配備智能監測與反饋系統，實時調整設備運行參數，保證切割過程的穩定性。

（二）工藝參數優化

通過實驗設計（DOE）方法，系統研究切割速度、進給量、切割液流量等工藝參數對 TTV 均勻性的影響規律，建立數學模型，優化工藝參數組合。在切割過程中，根據晶圓材料特性和切割階段，動態調整工藝參數，實現精準控制。

（三）輔助技術應用

采用臨時鍵合技術，將超薄晶圓與支撐襯底牢固鍵合，增強晶圓在切割過程中的剛性，減少變形，提升 TTV 均勻性。同時，利用先進的冷卻與潤滑技術，優化切割液配方與供給方式，有效降低切割熱，減少熱變形對 TTV 的影響。

你對上述內容中提到的控制策略是否感興趣？我可以為你詳細闡述其中某些策略在實際應用中的案例。

高通量晶圓測厚系統運用第三代掃頻OCT技術，精準攻克晶圓/晶片厚度TTV重復精度不穩定難題，重復精度達3nm以下。針對行業厚度測量結果不一致的痛點，經不同時段測量驗證，保障再現精度可靠。?

我們的數據和WAFERSIGHT2的數據測量對比,進一步驗證了真值的再現性：

（以上為新啟航實測樣品數據結果）

該系統基于第三代可調諧掃頻激光技術，相較傳統雙探頭對射掃描，可一次完成所有平面度及厚度參數測量。其創新掃描原理極大提升材料兼容性，從輕摻到重摻P型硅，到碳化硅、藍寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用：?

對重摻型硅，可精準探測強吸收晶圓前后表面；?

點掃描第三代掃頻激光技術，有效抵御光譜串擾，勝任粗糙晶圓表面測量；?

通過偏振效應補償，增強低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比；

（以上為新啟航實測樣品數據結果）

支持絕緣體上硅和MEMS多層結構測量，覆蓋μm級到數百μm級厚度范圍，還可測量薄至4μm、精度達1nm的薄膜。

（以上為新啟航實測樣品數據結果）

此外，可調諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力，在極端環境中抗干擾性強，顯著提升重復測量穩定性。

（以上為新啟航實測樣品數據結果）

系統采用第三代高速掃頻可調諧激光器，擺脫傳統SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴，憑借卓越抗干擾性實現小型化設計，還能與EFEM系統集成，滿足產線自動化測量需求。運動控制靈活，適配2-12英寸方片和圓片測量。