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新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業級與車規級碳化硅功率器件

英飛凌工業半導體 ? 2025-07-28 17:06 ? 次閱讀
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新品

第二代CoolSiC MOSFET G2 750V -

工業級與車規級碳化硅功率器件

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第二代750V CoolSiC MOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術,在抗寄生導通方面展現出業界領先的可靠性。該器件在圖騰柱、有源中性點鉗位(ANPC)、維也納整流器和飛跨電容(FCC)等硬開關拓撲中表現卓越。更值得注意的是,第二代產品顯著降低了輸出電容(Coss),使其在循環變流器、CLLC、雙有源橋(DAB)和LLC等軟開關拓撲中能實現更高頻率的開關操作。


第二代CoolSiC MOSFET 750V完美適用于對可靠性、功率密度和效率有嚴格要求的應用,包括:車載充電機、DC-DC變換器、DC-AC逆變器,以及人工智能服務器、光伏逆變器和電動汽車充電設備。其采用的Q-DPAK封裝既能充分發揮碳化硅固有的高速開關特性,同時確保約20W的功率耗散能力。


產品型號:

AIMDQ75R016M2H

AIMDQ75R025M2H

AIMDQ75R060M2H

IMDQ75R004M2H

IMDQ75R007M2H

IMDQ75R016M2H

IMDQ75R025M2H

IMDQ75R060M2H


產品特點


100%雪崩測試驗證

業界領先的RDS(on)× Qfr

優異的RDS(on)× Qoss和RDS(on)× QG表現

低Crss/Ciss和高VGS(th)

采用.XT擴散焊

配備驅動源極引腳


應用價值


魯棒性和可靠性提升

硬開關效率卓越

開關頻率更高

抗寄生導通能力出色

行業領先的散熱性能

開關損耗顯著降低


競爭優勢


通過100%雪崩測試,專為汽車與工業應用設計

擴展負柵極驅動電壓范圍(-7V至-11V)

增強型熱性能(高達200℃)

FOM較上一代產品提升20-35%

高VGS(th)+ low Crss/Ciss=0V零伏可靠關斷

增強型熱性能(高達200℃)


應用領域


工業應用場景:

固態繼電器與隔離器

固態斷路器

電動汽車充電

光伏

不間斷電源系統UPS

儲能系統ESS

電池化成

電信基礎設施AC-DC電源轉換

服務器電源單元PSU

汽車電子應用:

高低壓DC-DC變換器

車載充電OBC

斷路器

高壓電池開關

交直流低頻開關

高壓電子熔斷

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