【2022年5月10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200 V
2022-05-10 14:10:02
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導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34851 
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動機壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:081643 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401708 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應(yīng)用，包括電
2012-12-04 22:17:341512 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計人員在多個MOSFET并聯(lián)使用時減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211482 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006089 ? 1、超級結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:367894 
靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明顯低于橫向界面。這就為性能和魯棒性特征與可靠性的匹配提供了新的優(yōu)化潛力。 安富利合作伙伴英飛凌推出的CoolSiC MOSFET G2溝槽技術(shù)繼承了G1的高可靠性。 基于所有已售出的CoolSiC MOSFET G1、分立器件和工
2024-05-16 09:54:311022 
瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中，實現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。
2012-04-13 09:19:341587 日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141069 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出非常適用于FA和機器人等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等消費電子產(chǎn)品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V
2020-12-26 10:31:422332 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。
2020-10-20 15:18:001862 Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數(shù)（cos φ）范圍內(nèi)工作而設(shè)計，它采用最先進的CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7技術(shù)，并具備更高的二極管額定值。
2021-06-09 11:30:261618 最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361384 
? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線
2024-03-14 11:07:58975 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1有
2024-03-19 18:13:183710 
? 【 2024 年 4 月 15 日 ， 德國慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS? 7
2024-04-16 09:58:445117 
【 2024 年 6 月 18 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合
2024-06-18 17:51:28873 
MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲存系統(tǒng)、電動汽車充電、電源和電機驅(qū)動
2024-07-25 16:14:17788 ~CoolSiC? MOSFET D2PAK 7-pin這些半導(dǎo)體器件具有 3 μs的短路能力 ，MOSFET提供全壓擺率（dV/dt）控制以及4.5 V基準(zhǔn)柵極閾值電壓（VGS(th)）。它們還具備 強大的抗
2022-08-09 15:17:41
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
最后一個字母“I”識別（例如BSC010N04LSI）。圖1：英飛凌新一代MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻RDS(on) 導(dǎo)通電阻是MOSFET最重要的參數(shù)之一，但其他參數(shù)通常具備同等重要性，有時對于
2018-12-06 09:46:29
集成電路。CoolSET F3系列產(chǎn)品適用于DVD錄放機、平板液晶顯示器、數(shù)字動畫攝影機、筆記本電腦及其它便攜式電子產(chǎn)品的電源轉(zhuǎn)換器。 CoolSET F3系列產(chǎn)品內(nèi)置多種功能；主動的沖突模式
2018-08-27 16:14:04
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻
2010-05-06 08:55:20
DirectFET2功率環(huán)保封裝 由于采用COOLiRFET硅技術(shù), 40V AUIRF8736M2與上一代設(shè)備相比，導(dǎo)通電阻（Rds（on））改善了40%,從而可以將傳導(dǎo)損耗降到最低。雙面冷卻的中罐式
2018-09-28 15:57:04
MOSFET 采用 100%銅夾片LFPAK 封裝。該封裝堅固耐用，提供較高的板級可靠性和出色的熱性能。LFPAK 封裝適用于汽車以及工業(yè)和消費類應(yīng)用。△ 具有較大 SOA 的 Nexperia MOSFET適用于 36V 鋰電池系統(tǒng)應(yīng)用
2022-10-28 16:18:03
的設(shè)計而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設(shè)計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
）”，非常適用于FA等工業(yè)設(shè)備和基站（冷卻風(fēng)扇）的電機驅(qū)動。近年來，為了支持工業(yè)設(shè)備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅(qū)動的器件，需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力
2021-07-14 15:17:34
? MOSFET幾乎都沒有寄生導(dǎo)通。 假設(shè)有一個良好設(shè)計的、柵漏極電容極低的PCB布局，這時英飛凌鼓勵電力電子工程師使用0V的柵極關(guān)斷電壓來操作CoolSiC? MOSFET分立器件。這有助于簡化柵極驅(qū)動的設(shè)計，同時保證性能不受影響。原作者： Klaus Sobe 英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體
2023-02-27 13:53:56
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平，在ROHM的DC/DC
2018-10-19 16:47:06
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界最高水平，在ROHM的DC/DC轉(zhuǎn)換器
2018-12-04 10:10:43
。過去 十年 ，針對 大量 工業(yè)和 汽車應(yīng) 用售 出了逾 5000 萬個 帶有 不同芯 片組 的EasyPACK 模塊。同時，英飛凌豐富的 CoolSiC 產(chǎn)品組合被廣泛應(yīng)用于工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。隨著
2021-03-27 19:40:16
并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
銳駿半導(dǎo)體本周正式發(fā)布兩款全新超低導(dǎo) 通電阻MOSFET產(chǎn)品，型號分別為RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。這兩款產(chǎn)品均采用DFN5060封裝，憑借先進
2024-10-14 09:40:16
極電流，驅(qū)動電路簡單，需要的驅(qū)動功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR， 但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 功率
2023-02-27 11:52:38
IR推出75V低側(cè)智能功率開關(guān)，適用于嚴(yán)苛的24V汽車環(huán)境
國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出AUIPS2051L和AUIPS2052G 75V低側(cè)智能功率開關(guān)(IPS) ，適用于嚴(yán)苛的24V汽
2009-11-04 08:50:54906 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011281 適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新
功率轉(zhuǎn)換器件
英飛凌科技股份公司近日
推出適用于節(jié)能家用電器電機驅(qū)動裝置的
功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600
V RC IGBT驅(qū)動系列（RC指逆向?qū)?/div>
2010-01-23 08:37:071311 英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件
英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機驅(qū)動裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動系列（RC指
2010-01-25 08:44:191026 適用于汽車的DirectFET2功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅固可靠、
2010-01-26 16:25:041600 采用PQFN封裝的MOSFET 適用于ORing和電機驅(qū)動應(yīng)用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (R
2010-03-12 11:10:071481 IR智能電源開關(guān)為24V汽車應(yīng)用提供超低導(dǎo)通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出 AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開關(guān)。該產(chǎn)品具有超低的導(dǎo)
2010-03-19 09:14:551305 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475526 IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32899 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電
2010-07-22 09:29:411349 飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391735 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專為汽車應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車應(yīng)用，還適用于電機驅(qū)動器和開關(guān)穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:301079 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101186 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221588 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441066 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司近日推出75V器件以擴充StrongIRFETMOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅(qū)動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關(guān)電源（SMPS）二次側(cè)同步整流等應(yīng)用。
2014-11-13 15:40:191135 高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù) （FOM 即柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積），該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標(biāo)。
2017-02-10 15:10:112069 MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0013926 模塊分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片組的最佳點損耗進行了優(yōu)化，具有更高的功率密度和高達48 kHz的開關(guān)頻率，適用于新一代1500V光伏和儲能應(yīng)用。
2019-09-14 10:56:004839 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:404447 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493513 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高
2021-03-01 12:16:022799 在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333484 。這種創(chuàng)新的功率器件適用于汽車應(yīng)用，特別適用于 EV 逆變器，尤其是具有 800-V 電池系統(tǒng)和更大電池容量的車輛。它提供更
2022-08-04 17:09:471830 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53952 ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44867 
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06672 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項信息。 點擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021116 
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技術(shù)，具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，這可以使電動商用車的電池電壓達到450Vdc
2023-05-19 12:42:27991 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22973 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:101010 的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻
2023-11-20 01:30:56753 產(chǎn)品推薦 | 適用于PD3.1標(biāo)準(zhǔn)的PRISEMI芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品
2023-12-29 10:29:40718 近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:571191 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:001204 另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:411446 碳化硅（SiC）技術(shù)一直是推動高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術(shù)，也是要在這個領(lǐng)域提高了MOSFET的性能指標(biāo)，擴大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領(lǐng)域的市場份額。
2024-03-12 09:33:261214 
在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:291036 英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш?b class="flag-6" style="color: red">功率密度的不斷增長需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋
2024-03-15 16:31:45908 
英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291160 英飛凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應(yīng)用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC? MOSFET，針對圖騰柱
2024-04-19 14:45:26518 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。
2024-05-24 10:13:451715 
基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管，適用于服務(wù)器和工業(yè)開關(guān)模式電源裝置（SMPS）、電動汽車充電器、微型太陽能等
2024-06-26 18:12:00716 
全球能源轉(zhuǎn)型相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域，例如，光伏、儲能、電動汽車和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。英飛凌CoolSiC產(chǎn)品系列在這些領(lǐng)域大有可為。掃碼下載英飛凌碳化硅白皮書QCoolSi
2024-07-12 08:14:41805 
英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價比，在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:45888 半導(dǎo)體器件 650 V產(chǎn)品組合。 這兩個產(chǎn)品系列基于CoolSiC 第2代（G2）技術(shù)，在性能、可靠性和易用
2024-09-07 10:02:071630 近日，銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:39686 高效率的汽車功率模塊，適用于電動汽車 (EV) 以及混合動力電動汽車 (HEV) 的牽引逆變器。 英飛凌HybridPACK Drive G2模塊結(jié)合了英飛凌新一代EDT3 (Si IGBT) 和CoolSiC? G2 MOSFET芯片技術(shù)，可實現(xiàn)性能擴
2024-11-29 14:58:55321 。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經(jīng)驗。它在性能、可靠性和堅固性方面都具有優(yōu)勢，并具有柵極驅(qū)動靈活性，從而簡化了系統(tǒng)設(shè)計，提高了成本效益，實現(xiàn)了最高的效率和功率
2024-12-20 17:04:51600 新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個高度可靠的SiCMOSFET系列，具有最佳的系統(tǒng)性
2025-01-17 17:03:27669 【2025年2月20日, 德國慕尼黑訊】 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份
2025-02-21 16:38:52441 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:04593 
英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:32469 TPS22995是一款單通道負(fù)載開關(guān)，集成了N-channel MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻（18 mΩ）和可配置的上升時間，用于限制啟動時的涌入電流。該開關(guān)適用于筆記本電腦、平板電腦、工業(yè)PC及離散工業(yè)解決方案等應(yīng)用。
2025-05-07 17:52:38289 
新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品，專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā)，包括工業(yè)
2025-05-27 17:03:36297 新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOSFET單管，專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā)，包括工業(yè)驅(qū)動
2025-05-29 17:04:21429 問題。今天的文章將會主要聚集在G2的導(dǎo)通特性上。在MOSFET設(shè)計選型過程中，工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極導(dǎo)通電阻RDS(on)作為第一評價要素。RDS(o
2025-06-16 17:34:51142 英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力和成熟的柵極氧化層技術(shù)，可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開關(guān)拓?fù)渲袑崿F(xiàn)卓越性能。
2025-06-20 14:44:26372 開關(guān)和硬開關(guān)兩種場景下，如何進行CoolSiCMOSFETG2的選型。G2在硬開關(guān)拓?fù)渲械膽?yīng)用除了RDS(on)，開關(guān)損耗在SiCMOSFET的選型中也扮演著非常
2025-06-23 17:36:47169 揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
2025-06-27 09:43:53245 
新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝（TO-263-7），該系列導(dǎo)通電阻（RDS
2025-07-01 17:03:11543 
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