JW7109是一款具有可編程導(dǎo)通上升時間的低導(dǎo)通電阻雙通道負載開關(guān)，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時序的要求。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導(dǎo)通上升時間的低導(dǎo)通電阻雙通道負載開關(guān)。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 每個
2024-03-18 14:36:43
±0.50%和±10%，工作溫度范圍為-65°C至+150°C。TO-220 封裝為需要更多功率、更小封裝的客戶提供了出色的替代方案。
特征：
1.電氣隔離外殼。
2.TO-220 型電源封裝。
3.低歐姆值
2024-03-18 08:21:47
MOSFET集成在緊湊的3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3 x 3FS單體封裝中，為工業(yè)和通信應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:32:02
93 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用1.5mm × 2mm QFN封裝的TPS62903 3V 至 17V、高效率和低IQ降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-11 09:42:02
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用1.5mm × 2mm QFN封裝的TPS62902 3V 至 17V、高效率和低IQ降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-08 13:59:400 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用1.5mm×2mm QFN封裝的3V至17V、高效率、低IQ降壓轉(zhuǎn)換器TPS62901數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-08 13:49:340 如何區(qū)別普通電阻和保險電阻？如何檢驗保險電阻好壞？ 普通電阻和保險電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細介紹如何區(qū)分普通電阻和保險電阻，并說明如何檢驗保險電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險電阻的定義
2024-03-05 15:48:06201 【米爾-瑞薩RZ/G2UL開發(fā)板】3.雜項測試
不知道為啥我這板子好多奇奇怪怪的調(diào)試信息蹦出來，臨時抑制辦法
echo 1 4 1 7 > /proc/sys/kernel
2024-02-28 15:25:13
“功率電感和普通電感的區(qū)別”這是一個討論度非常高的話題。功率電感是一種專門為應(yīng)對高功率應(yīng)用而被設(shè)計出來的一種電感產(chǎn)品，而普通電感則是用于一般的普通電路中。那么，它們之間究竟有哪些區(qū)別呢？本篇我們就來
2024-02-27 22:02:070 在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。
2024-02-23 09:38:53343 
“功率電感和普通電感的區(qū)別”這是一個討論度非常高的話題。功率電感是一種專門為應(yīng)對高功率應(yīng)用而被設(shè)計出來的一種電感產(chǎn)品，而普通電感則是用于一般的普通電路中。那么，它們之間究竟有哪些區(qū)別呢？本篇我們就來
2024-02-19 10:30:52156 和限制。它們通常具有較小的尺寸和較低的功率容量。低功率電阻器通常以小型電阻器的形式存在，如普通電阻器、電位器、燒線等。 低功率電阻器的主要特點如下： 1. 高精度：低功率電阻器通常具有高精度的阻值，能夠提供穩(wěn)定的電阻
2024-02-19 09:25:13299 【米爾-瑞薩RZ/G2UL開發(fā)板】1.開箱
開箱視頻
開箱也許會遲到，但是絕對不會缺席。今天開箱的是米爾-瑞薩 RZ/G2UL 開發(fā)板，這是目前筆者接觸到的第二款米爾開發(fā)板。那么這塊板子又會給大家
2024-02-04 23:38:07
碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結(jié)晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的,。這種電阻器的電壓穩(wěn)定性好，造價低，在普通電子產(chǎn)品中應(yīng)用非常廣泛。
2024-01-21 09:58:07136 
主要用于對電路中的浪涌電流進行限制和抑制，以保護其他電子元件不受到電流過大的損害。普通電阻則主要用于電路分壓、限流、衰減等基本電阻功能。 2. 結(jié)構(gòu)區(qū)別: 抗浪涌電阻通常由金屬氧化物電阻體、導(dǎo)體引線和封裝材料組成。金屬氧化
2024-01-18 16:16:58559 功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36294 
開發(fā)板簡介 MYC-YG2UL核心板及開發(fā)板基于RZ/G2UL處理器，通用64位工業(yè)MPU
RZ/G2UL是瑞薩一款高性能處理器；
內(nèi)核Cortex-A55@1.0GHz CPU
2024-01-14 13:25:52
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 引腳浮動，輸出通常會上升時間為0.4ms。可以使用外部電阻器設(shè)置電流限制水平從ISET引腳到接地。內(nèi)部充電泵驅(qū)動功率FET的柵極，允許導(dǎo)通電阻非常低，僅為28mΩ。當(dāng)輸出電流超過電流限制設(shè)置器件調(diào)節(jié)
2023-12-25 18:50:25
用萬用表如何檢測普通電阻器？ 萬用表是一種多功能測量工具，用于測量電流、電壓和電阻。它可以用于檢測各種類型的電阻器，包括普通電阻器。在本文中，我們將介紹如何使用萬用表來檢測普通電阻器的詳細步驟
2023-12-20 10:46:24669 惠斯通電橋測電阻的基本原理和方法 惠斯通電橋是一種常用的電阻測量工具，廣泛應(yīng)用于實驗室和工業(yè)控制領(lǐng)域。本文將詳細介紹惠斯通電橋的基本原理和方法，并說明其測量電阻的優(yōu)勢和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392754 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
AO6801 (VB4290)參數(shù)說明：2個P溝道，-20V，-4A，導(dǎo)通電阻75mΩ@4.5V，100mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，閾值電壓-1.2~-2.2V，封裝：SOT23-6
2023-12-06 12:01:38
：AO3407適用于功率開關(guān)和穩(wěn)壓應(yīng)用的P溝道MOSFET。其低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。優(yōu)勢與適用領(lǐng)域：具有低導(dǎo)通電阻，適用于要求低功率損耗和高效率的領(lǐng)域，如電
2023-12-06 11:52:49
模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設(shè)計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級應(yīng)用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:49446 
現(xiàn)代功率MOSFETs的發(fā)展趨勢是向著更高開關(guān)頻率和更低導(dǎo)通電阻發(fā)展，因此現(xiàn)代的功率MOSFETs相較于10年前的功率MOSFETs
2023-12-04 16:10:051481 
的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻
2023-11-20 01:30:56189 管理應(yīng)用的 MRigidCSP? 封裝技術(shù)。AOS首顆應(yīng)用該新型封裝技術(shù)的12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET——AOCR33105E，實現(xiàn)在降低導(dǎo)通電阻的同時提高CSP產(chǎn)品的機械強度。這項新升級
2023-11-13 18:11:28219 
的 SOT-23-5、SOT-23-6 和 TDFN-6 （2mm x 2mm） 封裝。
特征
●固定頻率1MHz電流模式PWM操作
●可調(diào)輸出電壓高達24V
●自動切換到PSM模式以改善輕負載時的效率
●3V至
2023-11-11 11:49:32
MYC-YG2UL核心板及開發(fā)板基于RZ/G2UL處理器，通用64位工業(yè)MPURZ/G2UL是瑞薩一款高性能處理器；內(nèi)核Cortex-A55@1.0GHz CPU、Cortex-M33@200MHz
2023-11-10 11:01:36
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導(dǎo)通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
型號 2SJ668絲印 VBE2610N品牌 VBsemi詳細參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 38A 導(dǎo)通電阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
2023-10-30 15:13:18
請教大俠們 瑞薩的集成LO芯片8V97051，8V97051 L,8V97051 A
這三款有沒有區(qū)別？？
2023-10-30 12:36:41
精密電阻和普通電阻的區(qū)別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個常見的元件，它被用來控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個主要類別，它們之間的區(qū)別在于精度和穩(wěn)定性。本文將詳細介紹
2023-10-29 11:21:55933 瑞薩RX130在時鐘頻率32MHz時，指令最短執(zhí)行時間是多少？
2023-10-28 07:01:18
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
5mm × 5 mm，28-PinQFN 封裝，帶外露熱傳導(dǎo)墊片。該小型封裝為無鉛產(chǎn)品，引線框架采用 100%霧錫電鍍
2023-10-27 09:30:29
電力MOSFET的反向電阻工作區(qū) 電力MOSFET在很多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用，例如電源、驅(qū)動電路、LED控制等。MOSFET是一種基于場效應(yīng)管的晶體管，其主要功能是根據(jù)輸入電壓控制輸出電流。然而
2023-10-26 11:38:19435 STC89C52的直插封裝和貼片封裝為什么引腳數(shù)會不一樣，有什么新的功能嗎
2023-10-25 07:03:15
MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設(shè)計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 穩(wěn)壓，不是本帖的討論范圍，我要探究的，是普通電阻與非線性電阻 對運放狀態(tài)的影響。
2023-10-10 23:32:52
? 1、超級結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
鉆孔主軸在鋁鑄件微小孔加工中具有高效性、高精度性、高穩(wěn)定性和長壽命等優(yōu)點。使用SycoTec高速電主軸4060ER-S，可實現(xiàn)高精度鋁鑄件微小孔φ2mm鉆孔加工。
2023-09-25 13:33:32410 
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:24
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:09:45
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:47:35
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:08:07
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 07:55:12
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 06:17:30
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 06:09:58
波動，起到開關(guān)作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著與其存在權(quán)衡關(guān)系的導(dǎo)通電阻也會提高，效率會變差，因此，如何同時兼顧更高耐壓和更低導(dǎo)通電阻，是一個很大的挑戰(zhàn)。風(fēng)扇電機通常會使用多個MOSFET進行驅(qū)動，為了節(jié)
2023-09-14 19:12:41305 
和功率水平。這些快速恢復(fù)硅基功率MOSFET的器件適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用，提供廣泛的封裝選項，包括長引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
射頻電阻和普通電阻區(qū)別? 隨著科技的不斷進步和應(yīng)用范圍的擴大，射頻技術(shù)在越來越多領(lǐng)域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。
2023-08-29 11:47:48302 
。超結(jié)MOSFET兼具高耐壓特性和低電阻特性，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導(dǎo)通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關(guān)應(yīng)用中。封裝特性美浦森S
2023-08-18 08:32:56513 
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
貼片電阻10種封裝表示法以及對應(yīng)功率我們在工作的時候，經(jīng)常會把貼片電阻這些型號尺寸弄錯，我們?yōu)榱俗尶蛻舾涌焖俦憬莸牟樵儭榇宋覀儗①N片電阻封裝英制和公制的關(guān)系及詳細的尺寸和對應(yīng)功率制定成表格以便查詢。
2023-08-08 14:29:251104 
呢? 1、0402封裝 0402封裝是目前最小的塑封貼片壓敏電阻封裝之一，其尺寸僅為1.0mm*0.5mm。由于0402封裝尺寸小，因此適用于電子產(chǎn)品中空間有限的場景，如手機、平板電腦等電子產(chǎn)品的電路板上。 2、0603封裝 0603封裝是目前應(yīng)用最為廣泛的塑
2023-07-31 11:02:31927 解一下米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板的核心板：
MYC-YG2LX核心板采用高密度高速電路板設(shè)計，在大小為43mm*45mm的板卡上集成了RZ/G2L、DDR4、eMMC、E2PROM、PMIC電源管理等電路
2023-07-29 00:21:11
。功率MOSFET的漏極之間有一個寄生二極管，當(dāng)漏極與反向電壓連接時，器件連接。功率MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù)，有利于并聯(lián)器件時的均流。
2023-07-04 16:46:37975 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結(jié)構(gòu)，對其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021448 
收到的米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板上電測試一下SSH登錄方式和其它測試！
SSH登錄
在使用之前，需要事先連接網(wǎng)絡(luò)，筆者這里使用的是以太網(wǎng)，事先需要使用串口的登錄，然后輸入以下命令查看IP地址
2023-06-11 21:47:39
最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
【瑞薩RA MCU創(chuàng)意氛圍賽】1. PWM驅(qū)動LED以及STLINK下載配置【瑞薩RA MCU創(chuàng)意氛圍賽】2. KEIL下串口重定向printf和scanf
前言
OLED是單片機開發(fā)中會
2023-05-26 14:06:17
今天剛剛收到米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板，拆開包裹后給人的感覺是驚艷，板卡設(shè)計真的很棒，來看看視頻做個簡單了解吧。
更多板卡可以登錄官網(wǎng)了解哦。https://www.myir.cn/
2023-05-22 21:58:13
剛收到米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板打開包裝后看到的很大的一塊黑色PCB，做工精美的開發(fā)板，給人眼前一亮的感覺。
首先來介紹以下這家公司：
深圳市米爾電子有限公司，是一家專注于嵌入式處理器模組設(shè)計研發(fā)
2023-05-22 21:53:44
實驗器材
1、米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板
2、MY-TFT070-K顯示屏
實現(xiàn)步驟
1、連接開發(fā)板與顯示屏，這次配的數(shù)據(jù)線有點特殊，大家一定要按我這樣的接，還有就是線接上以后一定要用萬用表量一下
2023-05-22 19:26:15
引言
很高興能有機會參加【瑞薩RA MCU創(chuàng)意氛圍賽】，在以前學(xué)習(xí)stm32的時候，就是野火的開發(fā)板、文檔以及視頻帶我入門的。現(xiàn)在有空體驗一下野火的產(chǎn)品——瑞薩系統(tǒng)的 啟明4M2 ，主控
2023-05-21 17:02:36
感謝
感謝電子發(fā)燒友論壇、感謝米爾電子，把米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板試用話動的機會給了我。最近事情比較多，趕在這個空擋時間完成開箱報告。
開箱
第一次拿到米爾電子的試用機會，簡約的包裝盒透著電子行業(yè)
2023-05-18 19:33:10
。“導(dǎo)通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數(shù)，但對于普通的MOSFET而言，由于導(dǎo)通電阻與芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02471 
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
感謝
感謝電子發(fā)燒友論壇、感謝米爾電子，把米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板試用話動的機會給了我。雖然周五就收到了開發(fā)板，但是由于復(fù)陽了，為了能及時的完成試用活動，所以今天努力的爬起來完成開箱報告。
開箱
2023-05-14 19:41:46
TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經(jīng)在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
新產(chǎn)品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實現(xiàn)？怎樣實現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
、靈活性較差。為此，RT-Thread 聯(lián)合 瑞薩 推出了全新的 HMI Board 開發(fā)模式，取代傳統(tǒng)的 HMI + 主控板 硬件，一套硬件即可實現(xiàn) HMI + IoT + 控制 的全套能力。依托于瑞薩
2023-05-08 08:22:12
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
香蕉派 BPI-W3采用瑞芯微RK3588開源硬件開發(fā)板公開發(fā)售
香蕉派BPI-W3 開發(fā)板[]()
香蕉派BPI-W3 開發(fā)板是由bananapi開源社區(qū)最新設(shè)計的一款開源硬件開發(fā)板，采用瑞芯芯片
2023-04-24 09:29:06
瑞薩RH850 R7F7010693 誰能破解？可以的加我V：13520223020
2023-04-22 14:29:33
并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987 
1 比賽歷程總結(jié)我是在RA4M2測評活動第一次深入接觸瑞薩，瑞薩的產(chǎn)品真的是非常豐富，而且生態(tài)也做得非常好，有專業(yè)的開發(fā)工具，比如e2Studio，Renesas RA Smart
2023-04-02 21:56:47
感言有幸參加瑞薩舉辦的RA4M2網(wǎng)關(guān)設(shè)計挑戰(zhàn)賽，了解了瑞薩RA系列單片機布局，工具鏈支持等。因為工具鏈的完美支持，RA4M2作品開發(fā)起來事半功倍，用戶可以只專注于功能邏輯的開發(fā)而不需要了解底層硬件
2023-03-31 16:07:32
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