近年來(lái)，在通信基站和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，為了降低電流值、提高效率，以往的12V和24V系統(tǒng)逐漸被轉(zhuǎn)換為48V系統(tǒng)，電源電壓呈提高趨勢(shì)。此外，用來(lái)冷卻這些設(shè)備的風(fēng)扇電機(jī)也使用的是48V系統(tǒng)電源，考慮到電壓波動(dòng)，起到開(kāi)關(guān)作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著與其存在權(quán)衡關(guān)系的導(dǎo)通電阻也會(huì)提高，效率會(huì)變差，因此，如何同時(shí)兼顧更高耐壓和更低導(dǎo)通電阻，是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。風(fēng)扇電機(jī)通常會(huì)使用多個(gè)MOSFET進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，為了節(jié)省空間，對(duì)于將兩枚芯片一體化封裝的雙MOSFET的需求增加。

在這種背景下，ROHM采用新工藝開(kāi)發(fā)出Nch和Pch的MOSFET芯片，并通過(guò)采用散熱性能出色的背面散熱封裝形式，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的新系列產(chǎn)品。

新產(chǎn)品通過(guò)采用ROHM新工藝和背面散熱封裝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻（Ron）*3（Nch+Nch產(chǎn)品為HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。與普通的雙MOSFET相比，導(dǎo)通電阻降低達(dá)56%，非常有助于進(jìn)一步降低應(yīng)用設(shè)備的功耗。另外，通過(guò)將兩枚芯片一體化封裝，可以減少安裝面積，有助于應(yīng)用設(shè)備進(jìn)一步節(jié)省空間。例如HSOP8封裝的產(chǎn)品，如果替換掉兩枚單MOSFET（僅內(nèi)置1枚芯片的TO-252封裝），可以減少77%的安裝面積。

新產(chǎn)品已于2023年7月開(kāi)始暫以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)（樣品價(jià)格550日元/個(gè)，不含稅）的規(guī)模投入量產(chǎn)。

目前，ROHM正在面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域擴(kuò)大雙MOSFET的耐壓陣容，同時(shí)也在開(kāi)發(fā)低噪聲產(chǎn)品。未來(lái)，將通過(guò)持續(xù)助力各種應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗并節(jié)省空間，為解決環(huán)境保護(hù)等社會(huì)問(wèn)題不斷貢獻(xiàn)力量。

產(chǎn)品陣容

Nch+Nch 雙MOSFET

Nch+Pch 雙MOSFET

*預(yù)計(jì)產(chǎn)品陣容中將會(huì)逐步增加40V、60V、80V、150V產(chǎn)品。

應(yīng)用示例

? 通信基站用風(fēng)扇電機(jī)

?FA設(shè)備等工業(yè)設(shè)備用風(fēng)扇電機(jī)

?數(shù)據(jù)中心等服務(wù)器用風(fēng)扇電機(jī)

通過(guò)與預(yù)驅(qū)動(dòng)器IC相結(jié)合,

為電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供更出色的解決方案

ROHM通過(guò)將新產(chǎn)品與已具有豐碩實(shí)際應(yīng)用業(yè)績(jī)的（找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城）單相和三相無(wú)刷電機(jī)用預(yù)驅(qū)動(dòng)器IC相結(jié)合，使電機(jī)電路板的進(jìn)一步小型化、低功耗和靜音驅(qū)動(dòng)成為可能。通過(guò)為外圍電路設(shè)計(jì)提供雙MOSFET系列和預(yù)驅(qū)動(dòng)器IC相結(jié)合的綜合支持，為客戶提供滿足其需求且更出色的電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案。

與100V耐壓雙MOSFET相結(jié)合的示例

HT8KE5（Nch+Nch 雙MOSFET）和

BM64070MUV（三相無(wú)刷電機(jī)用預(yù)驅(qū)動(dòng)器IC）

HP8KE6（Nch+Nch 雙MOSFET）和

BM64300MUV（三相無(wú)刷電機(jī)用預(yù)驅(qū)動(dòng)器IC）等

電機(jī)用新產(chǎn)品的規(guī)格書(shū)數(shù)據(jù)下載頁(yè)面

從ROHM官網(wǎng)可以下載包括新產(chǎn)品在內(nèi)的低耐壓、中等耐壓和高耐壓MOSFET的規(guī)格書(shū)。

術(shù)語(yǔ)解說(shuō)

*1）MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě)）

金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是FET中最常用的結(jié)構(gòu)，被用作開(kāi)關(guān)器件。

*2）Pch MOSFET和Nch MOSFET

Pch MOSFET：通過(guò)向柵極施加相對(duì)于源極為負(fù)的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。可用比低于輸入電壓低的電壓驅(qū)動(dòng)，因此電路結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單。

Nch MOSFET：通過(guò)向柵極施加相對(duì)于源極為正的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。相比Pch MOSFET，漏極與源極之間的導(dǎo)通電阻更小，因此可減少常規(guī)損耗。

*3）導(dǎo)通電阻（Ron）

使MOSFET啟動(dòng)（ON）時(shí)漏極與源極之間的電阻值。該值越小，運(yùn)行時(shí)的損耗（電力損耗）越少。

審核編輯 黃宇