采用硅工藝的高功率開關(guān)的特點就應(yīng)用
采用硅(SOI)工藝的高功率開關(guān)簡介這些部件非常適用于大規(guī)模MIMO和類似的多通道系統(tǒng)，它們采用緊湊的SMT封裝，5 V單電源供電，具有低偏置電流，無需使用外部元件。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
電源
+關(guān)注
關(guān)注
185文章
18352瀏覽量
256005 -
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
128文章
8641瀏覽量
145317 -
功率開關(guān)
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
177瀏覽量
26621
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
Analog Devices Inc. ADRF5162大功率硅SPDT反射開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. ADRF5162大功率單刀雙擲 (SPDT) 反射式硅開關(guān)是一款采用硅
ADRF5345高線性度硅SP4T開關(guān)英文手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADRF5345高線性度硅SP4T開關(guān)英文手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 03-14 18:23
?0次下載
ADRF5130 0.7GHz至3.5GHz高功率、44W峰值、硅SPDT、反射式開關(guān)技術(shù)手冊
ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、單刀雙擲(SPDT)硅開關(guān)，采用無引腳、表貼封裝。該
ADRF5021 9kHz至30GHz、硅SPDT開關(guān)技術(shù)手冊
ADRF5021是一款通用型單刀雙擲(SPDT)開關(guān)，采用硅工藝制造。它采用3 mm × 3 mm、20引腳基板柵格陣列(LGA)封裝，在9
ADRF5044 100MHz至30GHz硅SP4T開關(guān)技術(shù)手冊
ADRF5044 是一款利用硅工藝制造的通用單極四投 (SP4T) 開關(guān)。 它采用 24 端子岸面柵格陣列 (LGA) 封裝，在 100 MHz 至 30 GHz 頻率范圍內(nèi)具有隔離程
ADRF5045 9kHz至30GHz硅SP4T開關(guān)技術(shù)手冊
ADRF5045 是一款利用硅工藝制造的通用單刀四擲 (SP4T) 開關(guān)。它采用 24 端子岸面柵格陣列 (LGA) 封裝，在 9 kHz 至 30 GHz 頻率范圍內(nèi)具有隔離程度
ADRF5160 0.7 GHz至4.0 GHz高功率88W峰值硅SPDT反射開關(guān)技術(shù)手冊
ADRF5160 是一款硅基高功率 0.7 GHz 到 4.0 GHz 硅單刀雙擲 (SPDT) 反射開關(guān)，
ADRF5024 100MHz至44GHz硅SPDT反射式開關(guān)技術(shù)手冊
ADRF5024 是一款反射式、單刀雙擲(SPDT)開關(guān)，采用硅工藝制造。
該開關(guān)的工作頻率范圍為 100 MHz 至 44 GHz，
ADRF5345高線性度硅SP4T開關(guān)，1.8 GHz至3.8 GHz技術(shù)手冊
ADRF5345是一款高線性度、反射式、單刀四擲(SP4T)開關(guān)，采用硅工藝制造。
ADRF5345的工作頻率范圍為1.8 GHz至3
ADRF5301 SPDT 37 GHz至49 GHz硅開關(guān)技術(shù)手冊
ADRF5301 是一款利用硅工藝制造的反射式單刀四擲 (SPDT) 開關(guān)。
ADRF5301 專為 37 GHz 至 49 GHz 的 5G 應(yīng)用而開發(fā)。該器件具有 1.4 dB 的低
ADRF5142 8GHz至11GHz高功率40W峰值硅SPDT反射開關(guān)技術(shù)手冊
ADRF5142 是一款利用硅工藝制造的反射式單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān)。
ADRF5142 的工作頻率范圍為 8 GHz 至 11 GHz，具有優(yōu)于 1.2 dB 的典型插入損耗和 40
DRF5162使用高功率、100W峰值、硅SPDT、反射式開關(guān)，0.4GHz至8GHz技術(shù)手冊
ADRF5162 是一種反射式單刀雙擲 （SPDT） 開關(guān)采用硅工藝制造。
該ADRF5162的工作頻率范圍為 0.4 GHz 至 8 GHz，典型插入頻率 損耗為 0.6 dB
功率模塊封裝工藝
封與雙面散熱模塊 1 常見功率模塊分類 一、智能功率模塊（IPM）封裝工藝 工藝特點： 塑封、多芯片封裝，包括ICBT、FRD及高低壓IC等
功率模塊封裝工藝有哪些
（IPM）封裝工藝 工藝特點： 塑封、多芯片封裝，包括ICBT、FRD及高低壓IC等元器件。 采用引線框架、DBC（直接敷銅板）、焊料裝片、金鋁線混打等
高功率電阻的特點與應(yīng)用
高功率電阻的特點 高熱耗散能力 ：高功率電阻設(shè)計用于承受和耗散大量的熱量，以防止過熱和損壞。 大電流承載能力 ：由于其
工商網(wǎng)監(jiān)
評論