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第三代半導體產(chǎn)業(yè)

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思坦科技公開展示全球已發(fā)布最高PPI的Micro LED微顯示器

CES 2024展會于1月9日-1月12日在美國拉斯維加斯舉行。此前,國產(chǎn)Micro LED微顯示初....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-11 09:45 ?1663次閱讀

理想汽車下一代800V高壓純電車型將采用安森美EliteSiC1200V裸芯片

半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊:2024 年1月 9日,智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美(onsemi,美國納....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-10 09:23 ?1433次閱讀

安森美推出九款全新Elite SiC功率集成模塊

2024年1月8日--領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-08 18:04 ?1238次閱讀

固態(tài)紫外線光源現(xiàn)狀和技術挑戰(zhàn)

在過去的十年里,固態(tài)照明行業(yè)創(chuàng)造了數(shù)萬億美元的收入,引領了全球照明領域的能源革命。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-08 18:02 ?1316次閱讀
固態(tài)紫外線光源現(xiàn)狀和技術挑戰(zhàn)

2029年襯底和外延晶圓市場將達到58億美元,迎來黃金發(fā)展期

在功率和光子學應用強勁擴張的推動下,到2029年,全球化合物半導體襯底和外延晶圓市場預計將達到58億....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-05 15:51 ?1423次閱讀
2029年襯底和外延晶圓市場將達到58億美元,迎來黃金發(fā)展期

國電南自引領儲能核心技術突破,碳化硅功率模塊助雙碳目標實現(xiàn)

中國電科基礎辦付興昌表示:“碳化硅器件在電網(wǎng)和儲能領域有廣闊的應用空間,希望雙方未來能發(fā)掘出更多的合....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-05 14:52 ?1821次閱讀

一種新型復合SiC-金剛石襯底與GaN器件結合的新工藝流程和制備方案

金剛石材料具有自然界物質中最高的熱導率(高達2000 W/m·K),在大功率激光器、微波器件和集成電....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-04 17:20 ?2103次閱讀
一種新型復合SiC-金剛石襯底與GaN器件結合的新工藝流程和制備方案

第三代半導體龍頭涌現(xiàn),全鏈布局從國產(chǎn)化發(fā)展到加速出海

第三代半導體以此特有的性能優(yōu)勢,在半導體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-04 16:13 ?1765次閱讀

Micro LED企業(yè)辰顯光電完成數(shù)億元A輪融資

1月2日消息,據(jù)媒體報道,維信諾參股公司成都辰顯光電有限公司(以下簡稱“辰顯光電”)于近日順利完成數(shù)....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-03 10:03 ?1329次閱讀

山東粵海金成功研制出8英寸導電型碳化硅單晶與襯底片

軟包裝復合膠粘劑龍頭——高盟新材(300200.SZ)在半導體材料領域的投資取得新進展、新成效。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-03 10:00 ?1153次閱讀
山東粵海金成功研制出8英寸導電型碳化硅單晶與襯底片

新疆首個用于超特高壓換流站的高壓電力電子實驗室正式投入使用

近日新疆首個用于超特高壓換流站大功率半導體器件性能分析的高壓電力電子實驗室正式投入使用,順利完成3支....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-02 11:46 ?978次閱讀

日本團隊公布金剛石MOSFET研制取得最新進展

早稻田大學和 Power Diamonds Systems (PDS) 開發(fā)了一種結構,其中金剛石表....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-02 11:44 ?1485次閱讀
日本團隊公布金剛石MOSFET研制取得最新進展

基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究

硅基光電集成(硅光子)具有超高速、低功耗、低時延的優(yōu)勢;無需過分追求工藝尺寸的縮小。硅光產(chǎn)業(yè)今年市場....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-02 11:42 ?1494次閱讀
基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究

益中封裝擴建車規(guī)Si/SiC器件先進封裝產(chǎn)線

近日,據(jù)晶能微電子官微消息,浙江益中封裝技術有限公司舉行一期擴建項目開工儀式。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 01-02 11:39 ?1303次閱讀

富士電機將投2000億日元提高功率半導體產(chǎn)能

據(jù)日經(jīng)新聞消息,日本富士電機(Fuji Electric)將在2024~2026年度的3年內(nèi)向半導體....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-29 10:22 ?1027次閱讀

芯微泰克功率器件超薄芯片背道加工線項目投產(chǎn)

12月27日,浙江芯微泰克半導體有限公司(以下簡稱“芯微泰克”)功率器件超薄芯片背道加工線項目正式通....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-29 10:20 ?1149次閱讀

大尺寸AlN單晶生長研究

AlN單晶襯底以其優(yōu)異的性能和潛在的應用前景引起了人們的廣泛研究興趣. 物理氣相輸運(PVT)是最適....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-28 09:20 ?1403次閱讀
大尺寸AlN單晶生長研究

GaN濺射技術進展

氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-28 09:18 ?1121次閱讀
GaN濺射技術進展

基于外延層殘余應變調控的InGaN基紅光LED器件

III族氮化物半導體可用于固態(tài)照明、電源和射頻設備的節(jié)能。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-28 09:15 ?1600次閱讀
基于外延層殘余應變調控的InGaN基紅光LED器件

新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢,SiC溝槽MOSFET(UMOSFET)....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-27 09:34 ?1745次閱讀
新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

低成本垂直GaN功率器件研究

隨著半導體技術的發(fā)展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-27 09:32 ?1370次閱讀
低成本垂直GaN功率器件研究

SOI+SiN平臺上III-V集成的考慮因素

硅光子是一種光子集成電路,經(jīng)過幾十年的發(fā)展,硅光子學已經(jīng)取得了重大進展
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-26 11:33 ?1238次閱讀
SOI+SiN平臺上III-V集成的考慮因素

碳化硅SiC的高溫氧化研究

SiC材料具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、耐腐蝕性、熱導性能和機械強度等優(yōu)勢,因此受到廣泛關注和應用。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-26 10:13 ?2087次閱讀
碳化硅SiC的高溫氧化研究

面向1200V功率應用的異質襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢

近年來,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導體的開發(fā)和市場導入速度加快,但與....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-26 10:11 ?1543次閱讀
面向1200V功率應用的異質襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢

單晶藍綠雙波長LED在寬色域背光應用的研究

利用具有窄波峰寬和精確可調峰值的色轉換材料是當今電視和顯示器背光中獲得寬色域 (WCG) 的常見方法....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-26 10:09 ?2304次閱讀
單晶藍綠雙波長LED在寬色域背光應用的研究

普興電子:200mm 4H-SiC高質量厚層同質外延生長

當前,SiC器件已廣泛應用在新能源車的主驅、OBC等關鍵部件,有效的降低了提升了開關速度,降低了能量....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-25 10:43 ?1228次閱讀
普興電子:200mm 4H-SiC高質量厚層同質外延生長

武漢大學袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領域最新研究進展

近日,武漢大學工業(yè)科學研究院袁超課題組和斯洛伐克科學院Filip Gucmann課題組合作,在國際權....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-25 10:41 ?2182次閱讀
武漢大學袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領域最新研究進展

8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進展

當前,大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術的重要發(fā)展方向。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-24 14:18 ?1560次閱讀
8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進展

意法半導體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議助力800V平臺

12 月 22 日消息,據(jù)意法半導體官微消息,該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協(xié)議....
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-24 10:35 ?953次閱讀

增強GaN/3C-SiC/金剛石結構的散熱性能以適應實際器件應用

熱管理在當代電子系統(tǒng)中至關重要,而金剛石與半導體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。
的頭像 第三代半導體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-24 10:03 ?1806次閱讀
增強GaN/3C-SiC/金剛石結構的散熱性能以適應實際器件應用
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