哪吒汽車發(fā)布250kW 800V高壓SiC電驅(qū)系統(tǒng)
電驅(qū)系統(tǒng)：哪吒汽車發(fā)布了180kW 400V電驅(qū)系統(tǒng)和250kW 800V高壓SiC電驅(qū)系統(tǒng)，采用了....
又一家功率芯片廠商登陸創(chuàng)業(yè)板
資料顯示，協(xié)昌科技自成立以來專注于功率芯片的設(shè)計(jì)開發(fā)及其下游運(yùn)動(dòng)控制器的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。目前公司建....
拜登簽署對(duì)華“敏感技術(shù)”投資限制令，涉半導(dǎo)體和微電子、量子信息及AI系統(tǒng)
據(jù)悉，美國財(cái)政部發(fā)布擬議規(guī)則制定預(yù)先通知（ANPRM），詳細(xì)說明該計(jì)劃范圍，有關(guān)ANPRM的書面意見....
協(xié)昌科技將于創(chuàng)業(yè)板上市 擁有電力電子產(chǎn)業(yè)鏈縱向布局
協(xié)昌科技憑借其強(qiáng)大的研發(fā)設(shè)計(jì)能力、高品質(zhì)的產(chǎn)品和高效的營銷服務(wù)體系，逐步建立了“上游功率芯片+下游運(yùn)....
全球最大200毫米碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠將落戶馬來西亞
低碳化趨勢(shì)將推動(dòng)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)勁增長，尤其是基于寬禁帶材料的功率半導(dǎo)體。全球功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者英....
總投資8.3億元！天科合達(dá)碳化硅晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工
為進(jìn)一步完善產(chǎn)能布局，搶占市場(chǎng)先機(jī)，北京天科合達(dá)決定在徐州經(jīng)開區(qū)開展江蘇天科合達(dá)二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目建設(shè)，總....
衛(wèi)光科技李樸：600V超結(jié)MOSFET器件研究
報(bào)告中介紹，隨著功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域逐漸擴(kuò)大，當(dāng)應(yīng)用在計(jì)算機(jī)和航空電子等領(lǐng)域中時(shí)，低導(dǎo)通壓降能夠縮小整....
化學(xué)氣相沉積碳化硅生產(chǎn)線即將在常山投產(chǎn)！
浙江大和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園三期建設(shè)項(xiàng)目由浙江盾源聚芯半導(dǎo)體科技有限公司和浙江富樂德半導(dǎo)體材料科技有限公司投....
面向光電子異質(zhì)集成的微轉(zhuǎn)印技術(shù)介紹
面向光電子異質(zhì)集成的微轉(zhuǎn)印技術(shù)是一種用于將微觀尺度的光電子器件從一個(gè)基底上轉(zhuǎn)移到另一個(gè)基底上的先進(jìn)技....
可回收光催化劑的結(jié)構(gòu)調(diào)控與催化性能研究
光催化劑是一類能夠在光照條件下催化化學(xué)反應(yīng)的材料，廣泛應(yīng)用于環(huán)境凈化、水處理、能源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。
基于大面積自組裝hBN薄膜的超低暗電流真空紫外光探測(cè)器
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)....
天津工業(yè)大學(xué)李龍女：基于***的平面型封裝1700V碳化硅模塊開發(fā)與性能表征
SiC/GaN器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)、高耐壓、低開關(guān)損耗和高工作溫度當(dāng)前亟需針對(duì)SiC器件/模....
中國電氣裝備集團(tuán)研究院田鴻昌：碳化硅功率半導(dǎo)體器件與新型電力系統(tǒng)應(yīng)用
功率半導(dǎo)體器件的高效率和能量轉(zhuǎn)換能力對(duì)節(jié)能和環(huán)保具有重要意義。論壇期間，中國電氣裝備集團(tuán)研究院電力電....
華合德新材料李灝文：面向低成本碳化硅功率器件用大尺寸SiC單晶技術(shù)
碳化硅材料是制作高頻、高溫、抗輻射、大功率和發(fā)光器件的優(yōu)異材料。具有高可靠、高溫、高電壓、大功率、節(jié)....
氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測(cè)器研究
半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體，GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體前景....
SNOM對(duì)GaN基發(fā)光芯片的高空間分辨光學(xué)表征
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)....
化合物半導(dǎo)體光電及功率器件的仿真設(shè)計(jì)、數(shù)理模型與制備
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)....
基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測(cè)器件研究
一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測(cè)器。日盲紫外探測(cè)器對(duì)可見光具有很低的響應(yīng)，在環(huán)境監(jiān)測(cè)....
臺(tái)積電3納米良率僅為55%蘋果將只付可用晶片費(fèi)
國外市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Arete Research 分析師Brett Simpson 認(rèn)為，臺(tái)積電收費(fèi)方式....
比亞迪再擴(kuò)大投資版圖，入股嘉芯半導(dǎo)體
據(jù)萬業(yè)企業(yè)公告，2021年12月，萬業(yè)企業(yè)攜手寧波芯恩半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“寧波芯恩”）成立....
中國團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)！
二維半導(dǎo)體是一種新興半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，如層數(shù)依賴的可調(diào)帶隙、自旋-谷鎖定特性、超快....
中芯集成車規(guī)級(jí)IGBT芯片產(chǎn)能年底前將超過12萬片每月
IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷脖环Q為電力電子裝置的“CPU”。它是新能源汽車必不可少的組件。....
新能源汽車碳化硅MOSFET出貨量突破1200萬只
聚焦強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈，國基南方、55所持續(xù)推進(jìn)新能源汽車用碳化硅MOSFET關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，貫....
投資5000萬元！瑞能半導(dǎo)取得中電化合物1.4663%股權(quán)
本次投資是瑞能半導(dǎo)從長遠(yuǎn)戰(zhàn)略布局出發(fā)做出的投資決定，中電化合物在未來實(shí)際經(jīng)營中可能面臨宏觀經(jīng)濟(jì)、行業(yè)....
廈門大學(xué)張洪良團(tuán)隊(duì)在氧化鎵半導(dǎo)體帶隙工程和日盲紫外光電探測(cè)器研究取得進(jìn)展
另一方面，作者也通過高分辨X射線光電子能譜與密度泛函理論（DFT）計(jì)算對(duì)(AlxGa1-x)2O3的....
中國電科48所發(fā)布最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備
但是，在提升晶圓面積的同時(shí)，如何保證良率是目前需要解決的難題，也是目前8英寸晶圓設(shè)備面臨的挑戰(zhàn)之一。....
中電化合物與韓國Power Master簽約，供應(yīng)8英寸在內(nèi)的SiC材料
中電化合物致力研發(fā)、生產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要聚焦大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研發(fā)、....
電科裝備實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋
離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能....
12英寸深硅刻蝕機(jī)銷售突破百腔，北方華創(chuàng)助力Chiplet TSV工藝發(fā)展
隨著晶體管尺寸不斷向原子尺度靠近，摩爾定律正在放緩，面對(duì)工藝技術(shù)持續(xù)微縮所增加的成本及復(fù)雜性，市場(chǎng)亟....
工商網(wǎng)監(jiān)