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第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

文章:288 被閱讀:40.8w 粉絲數(shù):19 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):1

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碳化硅功率器件在新能源電能變換中的應(yīng)用和挑戰(zhàn)

SiC器件在擊穿場(chǎng)強(qiáng)、熱導(dǎo)率、熔點(diǎn)、禁帶寬度、電子飽和漂移速度等方面具有優(yōu)勢(shì)。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-24 09:39 ?1455次閱讀
碳化硅功率器件在新能源電能變換中的應(yīng)用和挑戰(zhàn)

SiC器件在電能質(zhì)量控制產(chǎn)品中的應(yīng)用

電能質(zhì)量控制產(chǎn)品的性能指標(biāo)不僅與控制系統(tǒng)的性能指標(biāo)及控制算法密不可分,也與電力電子功率器件的性能指標(biāo)....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-24 09:37 ?1768次閱讀
SiC器件在電能質(zhì)量控制產(chǎn)品中的應(yīng)用

用于電動(dòng)汽車(chē)的液冷GaN和SiC功率模塊

電源模塊的高級(jí)封裝是非常重要。包裝優(yōu)化是提高性能的解決方案之一。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-24 09:35 ?1462次閱讀
用于電動(dòng)汽車(chē)的液冷GaN和SiC功率模塊

在金剛石上制造出的氮化鎵晶體管散熱性能提高2.3倍

氮化鎵(GaN)晶體管在工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會(huì)導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命,因此亟需....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-22 10:47 ?1607次閱讀
在金剛石上制造出的氮化鎵晶體管散熱性能提高2.3倍

新型碳化硅溝槽器件技術(shù)研究進(jìn)展

碳化硅功率器件具有高壓高功率領(lǐng)域等優(yōu)勢(shì),市場(chǎng)廣闊,應(yīng)用場(chǎng)景廣泛。也被認(rèn)為是下一代800V電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-22 10:45 ?1645次閱讀
新型碳化硅溝槽器件技術(shù)研究進(jìn)展

用于日盲光通信的高效DUV微型LED和新型光電探測(cè)器的開(kāi)發(fā)

三五族氮化物半導(dǎo)體材料,包括氮化鎵,氮化鋁,氮化銦及其它們的合金,以其獨(dú)特的直接帶隙半導(dǎo)體特性和從0....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-21 09:46 ?1166次閱讀
用于日盲光通信的高效DUV微型LED和新型光電探測(cè)器的開(kāi)發(fā)

碳化硅襯底材料研磨拋光耗材和工藝技術(shù)

磨削和研磨等磨料處理是生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片的必要方式,然而研磨會(huì)導(dǎo)致芯片表面的完整性變差。因此,拋光的一致....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-21 09:44 ?2308次閱讀
碳化硅襯底材料研磨拋光耗材和工藝技術(shù)

鐳昱半導(dǎo)體(Raysolve)宣布完成Pre-A3輪融資

近日,鐳昱半導(dǎo)體(Raysolve)宣布完成Pre-A3輪融資,本輪融資由華映資本領(lǐng)投,三七互娛及米....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-20 09:55 ?796次閱讀

碳化硅功率半導(dǎo)體多芯片封裝技術(shù)研究

過(guò)去幾十年里,半導(dǎo)體技術(shù)快速發(fā)展,芯片特性顯著提升。大功率半導(dǎo)體器件是由多顆半導(dǎo)體裸芯片通過(guò)封裝集成....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-20 09:47 ?1308次閱讀
碳化硅功率半導(dǎo)體多芯片封裝技術(shù)研究

大尺寸SiC單晶的研究進(jìn)展

在新能源產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁需求下,全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長(zhǎng)期,推升了對(duì)SiC襯底產(chǎn)能的需求。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-19 10:09 ?1135次閱讀
大尺寸SiC單晶的研究進(jìn)展

金剛石/氮化鎵薄膜生長(zhǎng)工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展

氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-19 09:24 ?1483次閱讀
金剛石/氮化鎵薄膜生長(zhǎng)工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展

具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

GaN因其特性,作為高性能功率半導(dǎo)體 材料而備受關(guān)注,近年來(lái)其開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-19 09:21 ?1022次閱讀
具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

廣東科學(xué)院團(tuán)隊(duì)研制一種可用于Micro LED顯示的量子點(diǎn)圖案化技術(shù)

近年來(lái),隨著通信技術(shù)的迅速發(fā)展以及人們對(duì)顯示色彩和實(shí)用性的追求,顯示技術(shù)呈現(xiàn)多元化的發(fā)展。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-18 11:27 ?1181次閱讀
廣東科學(xué)院團(tuán)隊(duì)研制一種可用于Micro LED顯示的量子點(diǎn)圖案化技術(shù)

液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究

碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學(xué)穩(wěn)定性、GaN的近晶格常數(shù)和....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-18 11:25 ?2070次閱讀
液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究

東芝與羅姆投資27億美元聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片

近日,據(jù)路透社消息,東芝和羅姆表示,他們將投資 3883 億日元(27 億美元)聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-14 09:30 ?852次閱讀

碳化硅器件在新能源車(chē)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的應(yīng)用

隨著全球及國(guó)內(nèi)在新能源汽車(chē)、新能源發(fā)電和儲(chǔ)能等終端市場(chǎng)需求的快速增長(zhǎng),行業(yè)對(duì)碳化硅襯底需求呈現(xiàn)出持續(xù)....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-14 09:25 ?1917次閱讀
碳化硅器件在新能源車(chē)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的應(yīng)用

英特爾發(fā)力具有集成驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵GaN器件

在最近的IEDM大會(huì)上,英特爾表示,已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成,用....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-14 09:23 ?1575次閱讀
英特爾發(fā)力具有集成驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵GaN器件

SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展

功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時(shí)導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-13 09:39 ?1505次閱讀
SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展

瞻芯電子:碳化硅車(chē)載功率轉(zhuǎn)換解決方案

碳化硅(Silicon Carbide)是C元素和Si元素形成的化合物。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-13 09:37 ?1001次閱讀
瞻芯電子:碳化硅車(chē)載功率轉(zhuǎn)換解決方案

面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開(kāi)發(fā)

高性能陶瓷基板具有優(yōu)異的機(jī)械、熱學(xué)和電學(xué)性能,在電子和半導(dǎo)體領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,可以支撐和固定半導(dǎo)體....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-12 09:35 ?1157次閱讀
面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開(kāi)發(fā)

提升SiC MOS器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑

SiC MOSFET器件存在可靠性問(wèn)題,成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-12 09:33 ?1425次閱讀
提升SiC MOS器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑

基于半導(dǎo)體激光器件的高級(jí)光學(xué)建模與仿真

VCSEL是很有發(fā)展前景的新型光電器件,也是光通信中革命性的光發(fā)射器件。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-12 09:32 ?1645次閱讀
基于半導(dǎo)體激光器件的高級(jí)光學(xué)建模與仿真

基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)

第三代半導(dǎo)體,具有寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、良好的化學(xué)穩(wěn)定....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 16:43 ?2581次閱讀
基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)

Micro LED顯示技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用趨勢(shì)

Micro LED具有低功耗、高亮度、高分辨率等優(yōu)點(diǎn),有數(shù)據(jù)顯示,受智能穿戴和超高清大屏顯示需求影響
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 16:40 ?4711次閱讀
Micro LED顯示技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用趨勢(shì)

顯示用Micro-LED芯片與集成技術(shù)新進(jìn)展

近日,在廈門(mén)召開(kāi)的第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCH....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 16:38 ?1903次閱讀
顯示用Micro-LED芯片與集成技術(shù)新進(jìn)展

Micro LED新型投影顯示技術(shù)展望

“十四五”以來(lái),基于自發(fā)光顯示的微投影顯示光學(xué)系統(tǒng)成為了研究熱點(diǎn)。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 15:53 ?1763次閱讀
Micro LED新型投影顯示技術(shù)展望

Micro-LED顯示關(guān)鍵技術(shù)突破

當(dāng)前,Micro-LED顯示是備受關(guān)注的新一代顯示技術(shù),具備高質(zhì)量顯示的大多數(shù)特征;
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 15:51 ?2411次閱讀
Micro-LED顯示關(guān)鍵技術(shù)突破

高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能研究

近日,第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇在廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 15:48 ?1861次閱讀
高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能研究

GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管

近日,第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)于廈....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 14:49 ?2197次閱讀
GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管

利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長(zhǎng)SiC和AlN晶體

近日,第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)在廈....
的頭像 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 發(fā)表于 12-09 14:47 ?1644次閱讀
利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長(zhǎng)SiC和AlN晶體
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