碳化硅功率器件在新能源電能變換中的應(yīng)用和挑戰(zhàn)
SiC器件在擊穿場(chǎng)強(qiáng)、熱導(dǎo)率、熔點(diǎn)、禁帶寬度、電子飽和漂移速度等方面具有優(yōu)勢(shì)。

SiC器件在電能質(zhì)量控制產(chǎn)品中的應(yīng)用
電能質(zhì)量控制產(chǎn)品的性能指標(biāo)不僅與控制系統(tǒng)的性能指標(biāo)及控制算法密不可分,也與電力電子功率器件的性能指標(biāo)....

在金剛石上制造出的氮化鎵晶體管散熱性能提高2.3倍
氮化鎵(GaN)晶體管在工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會(huì)導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命,因此亟需....

新型碳化硅溝槽器件技術(shù)研究進(jìn)展
碳化硅功率器件具有高壓高功率領(lǐng)域等優(yōu)勢(shì),市場(chǎng)廣闊,應(yīng)用場(chǎng)景廣泛。也被認(rèn)為是下一代800V電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)....

用于日盲光通信的高效DUV微型LED和新型光電探測(cè)器的開(kāi)發(fā)
三五族氮化物半導(dǎo)體材料,包括氮化鎵,氮化鋁,氮化銦及其它們的合金,以其獨(dú)特的直接帶隙半導(dǎo)體特性和從0....

鐳昱半導(dǎo)體(Raysolve)宣布完成Pre-A3輪融資
近日,鐳昱半導(dǎo)體(Raysolve)宣布完成Pre-A3輪融資,本輪融資由華映資本領(lǐng)投,三七互娛及米....
碳化硅功率半導(dǎo)體多芯片封裝技術(shù)研究
過(guò)去幾十年里,半導(dǎo)體技術(shù)快速發(fā)展,芯片特性顯著提升。大功率半導(dǎo)體器件是由多顆半導(dǎo)體裸芯片通過(guò)封裝集成....

大尺寸SiC單晶的研究進(jìn)展
在新能源產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁需求下,全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長(zhǎng)期,推升了對(duì)SiC襯底產(chǎn)能的需求。

金剛石/氮化鎵薄膜生長(zhǎng)工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展
氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景....

具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究
GaN因其特性,作為高性能功率半導(dǎo)體 材料而備受關(guān)注,近年來(lái)其開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。

廣東科學(xué)院團(tuán)隊(duì)研制一種可用于Micro LED顯示的量子點(diǎn)圖案化技術(shù)
近年來(lái),隨著通信技術(shù)的迅速發(fā)展以及人們對(duì)顯示色彩和實(shí)用性的追求,顯示技術(shù)呈現(xiàn)多元化的發(fā)展。

液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究
碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學(xué)穩(wěn)定性、GaN的近晶格常數(shù)和....

東芝與羅姆投資27億美元聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片
近日,據(jù)路透社消息,東芝和羅姆表示,他們將投資 3883 億日元(27 億美元)聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片。
碳化硅器件在新能源車(chē)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的應(yīng)用
隨著全球及國(guó)內(nèi)在新能源汽車(chē)、新能源發(fā)電和儲(chǔ)能等終端市場(chǎng)需求的快速增長(zhǎng),行業(yè)對(duì)碳化硅襯底需求呈現(xiàn)出持續(xù)....

SiC功率模塊中微米級(jí)Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展
功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時(shí)導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。

面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開(kāi)發(fā)
高性能陶瓷基板具有優(yōu)異的機(jī)械、熱學(xué)和電學(xué)性能,在電子和半導(dǎo)體領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,可以支撐和固定半導(dǎo)體....

基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)
第三代半導(dǎo)體,具有寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、良好的化學(xué)穩(wěn)定....

Micro LED顯示技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用趨勢(shì)
Micro LED具有低功耗、高亮度、高分辨率等優(yōu)點(diǎn),有數(shù)據(jù)顯示,受智能穿戴和超高清大屏顯示需求影響

顯示用Micro-LED芯片與集成技術(shù)新進(jìn)展
近日,在廈門(mén)召開(kāi)的第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCH....

高導(dǎo)熱GaN/金剛石結(jié)構(gòu)制備及器件性能研究
近日,第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇在廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。

GaN基單片電子器件的集成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管
近日,第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)于廈....

利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長(zhǎng)SiC和AlN晶體
近日,第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)在廈....
