1)內(nèi)存可用的片選線數(shù)量有限;

　　2)內(nèi)存控制器支持的最大DRAM容量。

　　目前有兩種通用的內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)可用于連接片選線。一種是每個(gè)內(nèi)存插槽兩根片選線，一種是每個(gè)內(nèi)存插槽4根片選線。由于內(nèi)存模組數(shù)量受限于插槽數(shù)量，因此最大系統(tǒng)內(nèi)存容量將是內(nèi)存插槽數(shù)量乘以每條內(nèi)存模組的容量。

　　內(nèi)存空間和內(nèi)存尺寸考慮

　　內(nèi)存子系統(tǒng)中使用的內(nèi)存外形尺寸一般取決于以下一些因素：

　　1)物理空間，更明確地說就是內(nèi)存所裝配的機(jī)械外殼;

　　2)處理器可以容忍的(由于處理器到內(nèi)存的物理距離引起的)延時(shí)和速度下降;

　　3)安裝底架的約束，如與周邊元組件的接近度、熱冷卻要求(與風(fēng)扇的接近度、使用熱傳導(dǎo)器或散熱器、液體冷卻、內(nèi)存組件之間的空隙等);

　　4)內(nèi)存布局(與處理器的接近度，垂直或水平安裝等);

　　5) 安裝、維修和升級(jí)內(nèi)存的簡(jiǎn)易度。

　　當(dāng)使用SoC中的嵌入式DRAM(eDRAM)內(nèi)存時(shí)，用于決定“片上”和片外DRAM內(nèi)存分布的標(biāo)準(zhǔn)通常基于SoC上用于流水線、緩存和低延時(shí)訪問的內(nèi)存的可用空間，以及將DRAM嵌入進(jìn)SoC的相關(guān)成本。

　　舉例來說，90nm嵌入式DRAM工藝基于的是CMOS邏輯技術(shù)，可集成插件形式的內(nèi)存模組。嵌入式工藝在與外部DRAM器件連接時(shí)不存在I/O功耗，因此可以提供更寬的總線、更低的材料成本和更高的帶寬。而且與SRAM相比正常工作功耗和待機(jī)功耗都要低。

　　然而，嵌入式內(nèi)存技術(shù)還沒有達(dá)到可以替代主板上高密度DRAM的密度水平，因?yàn)橛糜谔幚砥骱蚐oC的嵌入式內(nèi)存目前還沒超過100MB，而主板上配置的片外內(nèi)存一般最小要1GB。與處理器一樣，內(nèi)存技術(shù)同樣也遵循摩爾定律，相當(dāng)于每?jī)赡晏岣?倍密度。

　　選擇系統(tǒng)內(nèi)存的六大指標(biāo)

　　如果內(nèi)存容量是一個(gè)重要的系統(tǒng)指標(biāo)，那么相對(duì)其它結(jié)構(gòu)外形來說內(nèi)存模組更合適。目前有幾種JEDCE標(biāo)準(zhǔn)DIM可用，如RDIMM，UDIMM，S0-DIMM，Mini-DIMM，MicroDIMM和FBDIMM。下面列出了為何選用DRAM內(nèi)存模組的六大理由：

　　理由1：更低的總體擁有成本(TCO)，具體理由如下：

　　A)模組化的內(nèi)存后可以在最終裝配和測(cè)試需要時(shí)隨時(shí)購(gòu)買得到，甚至可趕在系統(tǒng)交付之前。這樣做可以減少庫(kù)存，釋放現(xiàn)金流。這樣做還能避免內(nèi)存元件庫(kù)存面臨價(jià)格下降而造成財(cái)務(wù)損失的風(fēng)險(xiǎn)。如果用于系統(tǒng)的內(nèi)存是板載芯片(COB)，那么獨(dú)立的內(nèi)存元件可能需要庫(kù)存較長(zhǎng)時(shí)間，以便預(yù)留時(shí)間生產(chǎn)主板。

　　B)開始時(shí)可以使用最小的內(nèi)存配置以較低的系統(tǒng)成本出售/購(gòu)買系統(tǒng)(預(yù)留一些空槽以便未來升級(jí))。用戶可以在增加新的應(yīng)用軟件或提高計(jì)算機(jī)速度時(shí)升級(jí)內(nèi)存，此時(shí)只需簡(jiǎn)單地升級(jí)或增加內(nèi)存模組。

　　C)由于內(nèi)存也是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)成本中的昂貴部分，當(dāng)原本的系統(tǒng)不再工作或被中止服務(wù)時(shí)，內(nèi)存模組可以移走，然后在其它系統(tǒng)中得到再次利用。

　　理由2：提供更高的系統(tǒng)密度。模組化內(nèi)存可以比直接安裝在主板上的單片分立DRAM提供更高的內(nèi)存容量。要求最大內(nèi)存容量的系統(tǒng)可以使用非常緊湊的內(nèi)存模組，這些模組使用了各種可提高單位密度的堆疊技術(shù)。

　　理由3：增加處理器板上的實(shí)用面積。固態(tài)雙數(shù)據(jù)速率(SSDDR)內(nèi)存模組能夠適應(yīng)“混合內(nèi)存”技術(shù)。這種方法提供了雙重功能，可將DDR DRAM和NAND閃存整合進(jìn)一個(gè)小型封裝(見圖3)，這也是將更多內(nèi)存和數(shù)據(jù)裝進(jìn)空間受限的單板計(jì)算機(jī)(SBC)和嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的一種方式。DIMM插座方向性還能使內(nèi)存放置在其它主板元件上方以節(jié)省主板空間。用于刀片服務(wù)器的ULP和VLP DIMM提供類似的空間節(jié)省特性。LeanSTOR封裝技術(shù)是另一種為AMC或ATCA電信刀片服務(wù)器節(jié)省空間的方法。

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　　圖3：SSDDR DRAM和NAND閃存SATA SODIMM。

　　理由4：更高的RAS(可靠性/可用性/可維修性)。隨著時(shí)間的推移，內(nèi)存也可能出現(xiàn)故障，產(chǎn)生SBE和多位差錯(cuò)，這種問題將影響計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的正常工作，或由于ECC處理軟件開銷而使系統(tǒng)運(yùn)行速度降低。如果是模組形式的內(nèi)存，那么就能很快地替換插槽中的故障件，從而縮短由于查錯(cuò)和維修引起的系統(tǒng)宕機(jī)時(shí)間。如果內(nèi)存直接安裝在主板上，那么排除故障內(nèi)存也是很困難的。重新焊接主板上的內(nèi)存還可能降低其質(zhì)量。如果主板要求內(nèi)置內(nèi)存測(cè)試程序以診斷故障芯片，那么系統(tǒng)設(shè)計(jì)師或BIOS編程人員可能無法利用內(nèi)存測(cè)試專業(yè)軟件，因?yàn)檫@些內(nèi)存測(cè)試程序是專門針對(duì)測(cè)試內(nèi)存模組設(shè)計(jì)的。

　　理由5：增強(qiáng)可測(cè)性和系統(tǒng)兼容性。如果系統(tǒng)中的內(nèi)存直接安裝在主板上，那么當(dāng)它發(fā)生故障時(shí)，處理器也許無法運(yùn)行診斷程序來查找錯(cuò)誤的源頭。內(nèi)存是面向總線的，通過總線與內(nèi)存控制器(或芯片組)協(xié)同工作。它們都是作為成組的器件在工作，因此那些沒有被篩選為一組(就像在模組中一樣)的失配DRAM產(chǎn)生的任何時(shí)序偏移都將導(dǎo)致不穩(wěn)定的、不可預(yù)測(cè)的或間歇性操作。另外，對(duì)只能提供BGA封裝的DDR2或DDR3內(nèi)存進(jìn)行探針測(cè)試也是不可能的。系統(tǒng)主板還經(jīng)常使用獨(dú)特的設(shè)計(jì)拓?fù)浜蛢?nèi)存控制器，它們會(huì)對(duì)DRAM的交流和直流參數(shù)作出限制。模組化的內(nèi)存可以使用系統(tǒng)軟件實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)的預(yù)測(cè)試，從而排除掉與系統(tǒng)不兼容的內(nèi)存。

　　理由6：提高可制造性。如果主板不是無鉛的，芯片組又適用于DDR2內(nèi)存，那么設(shè)計(jì)師在不是無鉛的主板上裝配無鉛RoHS DDR2 DRAM可能無法獲得較好的焊接可靠性。表2中的表格展示了在SoC上的嵌入式內(nèi)存、在主板上的分立內(nèi)存芯片(如板載芯片，COB以及某些多芯片封裝(MCP))和插槽中的內(nèi)存模組之間的一些區(qū)別。

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　　表2：COB、內(nèi)存模組與SoC嵌入式DRAM之間的比較。