近幾年來，作為LED行業的細分領域，UVLED行業發展得如火如荼。UVLED（Ultra-VioletLightEmitting?Diode）是一種能發出200nm-400nm不同波長的紫外線光源，相比傳統光源，有壽命長、環保、能耗低、無熱輻射、體積小、固化時間快等優點。目前UV-ALED（波長320-400nm）主要用于固化和干燥等應用，占據整個UVLED應用產業至少半壁江山；而UV-CLED（波長200-280nm）主要用于殺菌消毒和凈化等應用，預計未來將成為UVLED市場的新動能。

不同于傳統LED，UVLED需要專門的電學、光學和熱學設計，并需要專門的特殊方案驗證。目前行業發展還存在很大的技術瓶頸，產品存在良率不高、可靠性不佳等問題。為了提升UVLED的可靠性，封裝企業需要升級使用真空焊接工藝，同時要保證原料的高質量，以及做好二次散熱設計。

真空回流焊：減少空洞率，提升可靠性

按照封裝方式與集成度的不同，UVLED分為分立式器件與集成模組。其中，集成模組又分為COB(ChipOn Board)和DOB(DeviceOnBoard)。COB是將多顆LED芯片直接焊接在一塊基板上，而DOB是先將LED芯片封裝在器件內，再將多個器件焊接在一塊基板上。相較于COB，DOB更利于實現標準化大規模生產。一旦出現制造不良，DOB只損失某個器件。而使用過程中一旦發生光源失效，DOB只需要更換失效的器件。

圖為采用垂直結構UVLED芯片的DOB模組

研究表明，DOB的互聯層（包括固晶層和錫膏層）的焊接質量對UVLED的出光率、總熱阻和可靠性有很大影響。目前固晶層的焊接技術已經比較成熟，但器件與基板間的焊接層，由于工藝問題，不可避免地會產生氣泡而形成空洞。

據研究，空洞對熱阻的影響關系為：多個隨機分布的小的空洞（總百分比V%)，對器件總熱阻（Rjc）的影響關系為Rjc＝0.007V%＋1.4987，而多個比較大的空洞對器件總熱阻的影響關系為Rjc=1.427e0.015V%?。

空洞率越小，散熱越好，空洞率越大，則散熱越差。空洞率大，散熱能力差，導致UVLED產品良率低，可靠性不佳，也減少UVLED芯片的使用壽命。一些UVLED封裝和應用企業因而蒙受了很大損失。目前行業大多采用傳統的回流焊工藝，焊接空洞率普遍高達30%以上，如下圖。

針對以上問題，UVLED行業的一些頭部企業已改用真空焊接工藝，大幅降低了UVLED芯片焊接的空洞率，有效提升了可靠性。據了解，北京中科同志科技已研發出UVLED專用真空焊接爐，即專門應用于UVLED芯片和模組焊接的真空回流焊爐，可以無縫替代進口真空焊接爐。使用中科同志科技的UVLED真空焊接爐，UVLED芯片焊接的空洞率可以控制在3%以下。（如下圖）

另外，值得一提的是，中科同志科技的UVLED專用真空回流爐，專門針對UVLED產品做了特殊優化。UVLED芯片在使用過程中，其能量全部是通過亮度發射出去的。其他焊接工藝會損傷表面，影響發光。而中科同志科技真空回流爐，絕對不會損傷UVLED照明亮度，保證了能量的完整釋放。

保證原料高質量和二次散熱設計的合理性

為了提升可靠性，除了改用真空焊接爐進行封裝焊接，降低UVLED的空洞率，還應重點關注以下兩點：

1、選擇質量高的基板、芯片和錫膏。尤其是在UVLED產品批量生產過程中，一定要確保基板的質量。用于UVLED集成模組的基板主要有兩種，即銅基板和氮化鋁(AlN)陶瓷基板。相比氮化鋁陶瓷基板，銅基板有以下優點：價格更低；質地結實，不易出現裂紋甚至破裂的情況；更容易實現形狀尺寸上的變化。封裝物料的選擇不同，器件的性能和可靠性等都會有一定的差異。

2、保證UVLED模組使用過程中二次散熱設計的合理性。可以參考如下規律：

a.以?"UVLED模組總電功率×50%÷1.3小于等于散熱功率”作為散熱充分的理論判斷依據。如果是水冷冷卻，散熱功率以(出水口溫度-進水口溫度)x流速×水或者其他散熱介質的比熱容的公式來計算。如果是風冷冷卻，也按照同樣的方式來計算。

b.實驗樣品完成后，以靠近UVLED的散熱基板的溫度不高于55攝氏度為實驗成功判斷依據。(最好能測試中間焊盤上的溫度，同時要將進入實際設備上或實際工作環境中的情況都考慮到，還要考慮周邊溫度和極端條件)。