電子發燒友網報道（文/吳子鵬）日前，在華為硬、軟件工具誓師大會上，華為輪值董事長徐直軍表示，華為芯片設計EDA工具團隊聯合國內EDA企業，共同打造了14nm以上工藝所需EDA工具，基本實現了14nm
2023-03-25 00:18:46
7392 目前，蘋果、高通、聯發科等世界知名廠商已與臺積電能達成緊密合作，預示臺積電將繼續增加 5nm產能至該節點以滿足客戶需求，這標志著其在3nm制程領域已經超越競爭對手三星及英特爾。
2024-03-19 14:09:0356 本帖最后由 jf_50240986 于 2024-3-8 22:51 編輯
串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極
2024-03-06 20:49:11
達林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達林頓對（Darlington Pair），是由兩個或更多個雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復合結構。通過這種結構，第一個雙極性晶體管放大的電流可以進一步被放大，從而提供比其中任意一個雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53503 
雙極性晶體管是利用兩種離子導電，空穴和自由電子，但是對于一個實際存在的系統，其整體上是呈現電中性的，當其中的電子或者空穴移動形成電流時，與之對應的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動？
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
近日，西安電子科技大學郝躍院士團隊劉艷教授和羅拯東副教授在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進展，相
2024-02-20 18:22:20793 
加載合適的偏置電流，必須牢固地掌握晶體管的特性曲線，正確地讀取偏置電流的大小，要能在盡可能廣的范圍內加載偏置電流。
2024-02-05 15:10:21108 
三相異步電動機的轉向由電源相序、電機的外部連接方式、啟動方法以及電機的機械結構等多個因素共同決定。
2024-02-03 14:50:40555 臺中科學園區已初步規劃A14和A10生產線，將視市場需求決定是否新增2nm制程工藝。
2024-01-31 14:09:34241 晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
面晶體管不導通時，上面晶體管能導通嗎？下面發射結反偏，集電集或基本沒有電流，上面晶體管是如何導通的？或者是輸入信號的地、在什么地方？與NPN和PNP結構的地差在哪里，一般NPN PNP是雙電源供電？正負雙電源？
2024-01-25 22:28:59
據消息人士透露，臺積電已經決定將其1nm制程廠選址在嘉義科學園區。為了滿足這一先進制程技術的需求，臺積電已向相關管理局提出了100公頃的用地需求。
2024-01-23 15:15:27894 臺積電在上月早些時候的IEDM 2023大會中宣布，計劃推出包含高達1萬億個晶體管的芯片封裝方案，此舉與英特爾去年公布的規劃相呼應。為達成這一目標，該公司正專注于N2和N2P的2nm級生產節點及A14和A10的1.4nm級制造工藝，預估將于2030年投入使用。
2024-01-23 10:35:061427 放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導通，則該多發射極晶體管集電極輸出導通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對三極管的開通有害的時候，為什么還要并聯電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
晶體管也就是俗稱三極管，其本質是一個電流放大器，通過基射極電流控制集射極電流。
1、當基射極電流很小可以忽略不計時，此時晶體管基本沒有對基射極電流的放大作用，此時可以認為晶體管處在關斷狀態
2、當基
2024-01-18 16:34:45
舉例而言，一個結型場效應管，采用自偏置結構，即柵極和源極短接在一起源極也有一個電阻，在電源和漏極接一個負載，此時場效應管可以看做是一個互導放大器，壓控電流源，請問此時這種電路的輸入輸出電阻應該怎么求
2024-01-15 18:06:15
對于一個含有晶體管，場效應管，運放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時不應該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱
2024-01-03 15:14:22268 
CFET結構“初露端倪”，讓業界看到了晶體管結構新的發展前景。然而，業內專家預估，CFET結構需要7～10年才能投入商用。
2024-01-02 17:34:33593 
。它們主要包括晶體管(三極管)、存儲單元、二極管、電阻、連線、引腳等。
隨著電子產品越來越“小而精，微薄”，半導體芯片和器件尺寸也日益微小，越來越微細，因此對于分析微納芯片結構的精度要求也越來越高，在芯片
2024-01-02 17:08:51
為達成此目標，公司正加緊推進N2和N2P級別的2nm制造節點研究，并同步發展A14和A10級別的1.4nm加工工藝，預計到2030年可以實現。此外，臺積電預計封裝技術，如CoWoS、InFO、SoIC等會不斷優化升級，使他們有望在2030年前后打造出超萬億晶體管的大規模封裝解決方案。
2023-12-28 15:20:10355 在經歷了近十年和五個主要節點以及一系列半節點之后，半導體制造業將開始從 FinFET過渡到3nm技術節點上的全柵堆疊納米片晶體管架構。 相對于FinFET，納米片晶體管通過在相同的電路占位面積中增加
2023-12-26 15:15:11167 
上次我的文章解釋了所謂的7nm不是真的7nm，是在實際線寬無法大幅縮小的前提下，通過改變晶體管結構的方式縮小晶體管實際尺寸來達到等效線寬的效果那么新的問題來了：從平面晶體管結構(Planar)到立體
2023-12-19 16:29:01239 
級制程將按計劃于2025 年開始量產。 根據 SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺積電的 1.4nm 制程節點正式名稱為 A14。目前臺積電尚未透露 A14 的量產
2023-12-19 09:31:06318 年開始量產。 根據 SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片，臺積電的 1.4nm 制程節點正式名稱為 A14。IT之家注意到，目前臺積電尚未透露 A14 的量產時間和具體
2023-12-18 15:13:18191 此外，對于臺積電的1.4nm制程技術，媒體預計其名稱為A14。從技術角度來看，A14節點可能不會運用垂直堆疊互補場效應晶體管（CFET）技術。
2023-12-15 10:23:12264 全面展開。同時，臺積電重申，2nm 級制程將按計劃于 2025 年開始量產。 ? 據悉，臺積電的 1.4nm 制程節點正式名稱為 A14。目前臺積電尚未透露 A14 的量產時間和具體參數，但考慮到
2023-12-14 11:16:00733 晶體管的問世，是20世紀的一項重大發明，是微電子革命的先聲。晶體管出現后，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發明又為后來集成電路的降生吹響了號角。
2023-12-13 16:42:31427 
晶體管和電子管區別? 晶體管和電子管是兩種用于電子設備中放大和控制電流的重要元件。盡管它們在實現相同功能方面存在共同點，但它們在結構、工作原理和性能方面存在顯著差異。在本文中，我們將詳細介紹晶體管
2023-12-08 10:31:584940 一鍵解鎖！晶體管結構工藝發展歷程
2023-12-07 09:48:17243 
從平面晶體管結構(Planar)到立體的FinFET結構，我們比較容易理解晶體管尺寸縮小的原理。
2023-12-02 14:04:45267 
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
我在進行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結到環境的熱阻JA的數據，我需要結到外殼的熱阻Jc的數據，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數目是多少？
2023-11-21 06:54:43
雙方的目標是，確立設計開發線寬為1.4m1納米的半導體所必需的基礎技術。這個節點需要不同于傳統的晶體管結構，leti在該領域的膜形成等關鍵技術上占據優勢。
2023-11-17 14:13:43412 Tick-Tock，是Intel的芯片技術發展的戰略模式，在半導體工藝和核心架構這兩條道路上交替提升。半導體工藝領域也有類似的形式存在，在14nm/16nm節點之前，半導體工藝在相當長的歷史時期里有著“整代”和“半代”的差別。
2023-11-16 11:52:25963 
前兩代M1和M2系列芯片均采用5nm制程工藝，而M3系列芯片的發布，標志著蘋果Mac電腦正式進入3nm時代。 3nm利用先進的EUV（極紫外光刻）技術，可制造極小的晶體管，一根頭發的橫截面就能容納兩百萬個晶體管。蘋果用這些晶體管來優化新款芯片的每個組件。
2023-11-07 12:39:13310 
N2，也就是2nm，將采用GAAFET全環繞柵極晶體管技術，預計2025年實現量產。 2nm芯片是指采用了2nm制程工藝所制造出來的芯片，制程工藝的節點尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達到2納米級別。 2nm芯片手機
2023-10-19 17:06:18799 2nm芯片是什么意思 2nm芯片指的是采用了2nm制程工藝所制造出來的芯片，制程工藝的節點尺寸表示芯片上元件的最小尺寸。這意味著芯片上的晶體管和其他電子元件的尺寸可以達到2納米級別。 更小的節點尺寸
2023-10-19 16:59:161958 專業圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
電子發燒友網站提供《PZTA14-Q NPN達林頓晶體管產品手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 10:22:44
0 頻特性是由它的物理結構和工作原理決定的。晶體管的結構包括三個區域：發射區、基區和集電區。當外加電壓時，發射區的電子會進入基區，并增加基區電荷的密度。因此，基區的電荷密度會決定集電區的電流。晶體管的工作原理有兩種
2023-09-20 16:43:22631 的大部分時間里，用于制造芯片的工藝節點的名稱是由晶體管柵極長度的最小特征尺寸（以納米為單位）或最小線寬來指定的。350nm工藝節點就是一個例子。
2023-09-19 15:48:434475 
，單位為MHz。
倍頻：表示主頻與外頻的比值。
制程：表示芯片上晶體管之間的連接導線的線寬，單位為納米，數字越小水平越高。
緩存大小：包括一級緩存、二級緩存、三級緩存等，單位為MB。
架構：表示CPU
2023-09-05 16:42:49
華為發布首款5nm 5G SoC，集成153億晶體管? 在當今的數字時代，5G成為了一種越來越重要的通信技術，它能夠大幅提升傳輸速度和低延時，以實現更高的數據傳輸質量。而華為公司最近發布了自家
2023-09-01 16:47:357012 符號表示傳統的電流流動。該晶體管中的電流方向是從發射極端到集電極端子。一旦基極端子與發射極端子相比被拖至低電平，該晶體管將導通。PNP晶體管的符號如下所示。
NPN晶體管
NPN也是BJT（雙極結型
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個前置放大器。2通道混音器電路的第一個前置放大器具有高增益，可用于麥克風輸入，第二個前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
在半導體行業的最初幾十年里，新的工藝節點只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實現性能、功耗和面積增益，這稱為經典縮放。集成電路工作得更好，因為電信號在每個晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:43413 “晶體管”現在可以分為多種類型，每種類型具有不同的功能和結構，例如FET、MOS FET、CMOS等也是廣義上的晶體管。當然，它仍然是有源的，主要用于電壓/信號放大和開關控制。在本文中，工程師將解釋這種雙極晶體管是什么，以及它的原理、機制和特點。
2023-07-07 10:14:492343 MAT14是一款四通道單芯片NPN型晶體管，具有出色的參數匹配性能，適合精密放大器和非線性電路應用。MAT14的性能特征包括：在很寬的集電極電流范圍內提供高增益（最小300）、低噪聲（在100 Hz
2023-06-20 18:14:26
該路線圖概述了標準 FinFET 晶體管將持續到 3nm，然后過渡到新的全柵 (GAA) 納米片設計，該設計將在 2024 年進入大批量生產。Imec繪制了 2nm和A7（0.7nm）Forksheet設計的路線圖，隨后分別是A5和A2的CFET 和原子通道等突破性設計。
2023-06-14 09:31:34911 
的基礎上，實現了國內14nm 晶圓芯片零的突破，并在梁孟松等專家的帶領下，向著更加先進的芯片制程發起沖鋒。 然而，最近在中芯國際的公司官網上，有關于14nm芯片制程的工藝介紹，已經全部下架，這讓很多人心存疑惑，作為自家最為先進的
2023-06-06 15:34:2117913 今天為大家介紹晶體管由兩個PN結構成，分為NPN型和PNP型兩類，根據使用材料的不同，將晶體管分為NPN型鍺管和NPN型硅管，PNP型鍺管和PNP型硅管。
2023-06-03 09:29:111254 
我正在尋找摩托羅拉收音機 VHF 射頻末級中使用的這些舊射頻晶體管的數據表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
結構上，數字晶體管有的在基極上串聯一只電阻R1，有的在基極與發射極之間并聯了一只電阻R2，大多數同時連接了R1和R2。隨著電阻R1、R2的組合搭配的變化，數字晶體管的型號遠比普通晶體管豐富多彩。
2023-05-29 16:46:57288 雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT)是一種半導體器件，它是一種基于電子和空穴的雙極性導電性質的三極管。與場效應晶體管相比，雙極型晶體管的控制電流較大，但具有高電流放大系數和高頻特性等優點。
2023-05-17 15:23:134370 光電晶體管是基極端子暴露的晶體管，來自撞擊光的光子不會向基極發送電流，而是激活晶體管。這是因為光電晶體管由雙極半導體制成，并集中在通過它的能量上。
2023-05-16 15:59:06286 
場效應晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041366 
%。西安二廠預計將生產13.5萬片，比之前的14.5萬片減少了約7%。業界觀察人士認為，三星選擇砍掉部分NAND產能，因為當前內存市場形勢慘淡。
【臺積電28nm設備訂單全部取消！】
4月消息，由于
2023-05-10 10:54:09
808nm 激光二極管 TO56封裝 500mW
XL-808TO56-ZSP-500 、XL-TO18-785-120、XL-9402TO5-ZS-1W、XL-505TO56-ZSP-100
2023-05-09 11:23:07
單結晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負的反饋
2023-04-25 16:15:31
雙極結晶體管電路輸入振幅變大為什么會導致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
1 前言 大家好，我是硬件花園！ 華為輪值董事長徐直軍，在前些日子舉行“突破烏江天險，實現戰略突圍”的軟硬件開發工具誓師大會上表示，華為芯片設計EDA工具團隊聯合國內EDA企業，共同打造了14nm
2023-04-20 03:00:575418 我正在尋找零件號“PCAL6408ABSHP”中有關工藝節點和晶體管數量的信息。NXP 網站上是否有一個位置可以找到 NXP 部件號的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴展模塊控制步進電機嗎？
2023-04-17 14:13:13
臺積電的16nm有多個版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術（16FF +）和16nm FinFET Compact技術（16FFC）。
2023-04-14 10:58:15636 采用晶體管互補對稱輸出時，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請問BJT工藝的線性穩壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒有負觸發導通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發射極調換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
快訊：2023年全面驗證華為14nm以上EDA工具 美國芯片法案限制細則公布 我們來看看近期的一些行業熱點新聞： 華為14nm以上EDA工具國產化 華為輪值董事長徐直軍透露了幾個關鍵信息點：華為芯片
2023-03-27 16:27:184778 工藝技術節點進入亞3 nm以后，垂直鰭片溝道架構的新器件開發仍備受關注，人們正在考慮制造基于垂直鰭式結構開發垂直圍柵器件（VGAA）或垂直傳輸場效應晶體管（VTFET），以滿足“后摩爾時代”芯片的更高集成度、高性能和低功耗發展要求，世界著名集成電路制造龍頭公司IBM和三星已進行相關研發。
2023-03-27 11:25:401373
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