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羅姆試制出漏電流減少95%的SiC制MOSFET
- MOSFET(209657)
- SiC(61349)
- 羅姆(65965)
- 電源公司(7480)
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英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產(chǎn)品特點(diǎn)
CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng)，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:35
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15水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計(jì)
利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2024-03-13 14:31:4667
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多款產(chǎn)品通過車規(guī)認(rèn)證，國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET加速上車
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2024-03-13 01:17:002631
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在通用PWM發(fā)電機(jī)中，可以用任何型號(hào)替換SiC MOSFET嗎？
在通用PWM發(fā)電機(jī)中，我可以用任何型號(hào)替換SiC MOSFET嗎？
2024-03-01 06:34:58
SiC MOSFET模塊串?dāng)_應(yīng)用對(duì)策
SiC MOSFET模塊目前廣泛運(yùn)用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ，展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22206
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如何解決貼片電容漏電流的問題呢？
如何解決貼片電容漏電流的問題呢？ 貼片電容漏電流是電容器在正常工作條件下發(fā)生的一種特殊現(xiàn)象，會(huì)導(dǎo)致電路工作不穩(wěn)定甚至損壞。要解決貼片電容漏電流問題，需要找出漏電流的原因，并采取相應(yīng)的措施進(jìn)行修復(fù)
2024-02-03 14:37:45248
248漏電保護(hù)開關(guān)的漏電動(dòng)作電流為多少
漏電保護(hù)開關(guān)的漏電動(dòng)作電流為多少? 漏電保護(hù)開關(guān)是一種用于監(jiān)測(cè)和保護(hù)電氣設(shè)備和人身安全的重要電器設(shè)備。當(dāng)電氣系統(tǒng)發(fā)生漏電故障時(shí)，漏電保護(hù)開關(guān)能夠及時(shí)檢測(cè)到漏電電流，并迅速切斷電路，以避免漏電電流
2024-02-03 09:13:15773
773TC397漏電流如何選取？
1. 我選用了 TC397 的14引腳腳做了一個(gè)電壓采樣，需要計(jì)算機(jī)漏電流對(duì)采樣精度的影子
2.vieds我不知道選取哪個(gè)漏電流，是從Table 3-15 Class d中150na的還是 Table 3-16 ADC 參考板中的7ua？
2024-01-29 07:46:57
剩余電流測(cè)量在排查路燈漏電隱患中的應(yīng)用
。快速發(fā)現(xiàn)漏電安全隱患，通過一段時(shí)間的現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)，確定了該方法的可操作性。但是我們還無(wú)法整定出安全數(shù)值，使得檢測(cè)的過程還存在瑕疵。未來(lái)，我們還將對(duì)回路長(zhǎng)度與電纜對(duì)地分布電容造成的泄漏電流之間的關(guān)系進(jìn)行研究
2024-01-11 16:36:02
耐壓測(cè)試中漏電流的計(jì)算方法
耐壓測(cè)試是一種常用的電氣測(cè)試方法。在進(jìn)行耐壓測(cè)試時(shí)，需要對(duì)漏電流進(jìn)行計(jì)算，以確保測(cè)試過程中的安全。本文將詳細(xì)介紹耐壓測(cè)試中漏電流的計(jì)算方法。 一、漏電流的概念 漏電流是指在絕緣材料表面或內(nèi)部
2024-01-11 14:38:491324
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3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究
摘要： 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，其中金屬-氧化物-場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC MOSFET 可應(yīng)用于軌道交通和智能電網(wǎng)
2024-01-04 09:41:54593
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1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表
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2024-01-03 16:28:29
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0一文帶你認(rèn)識(shí)柔性電流探頭(羅氏線圈)
電流探頭(羅氏線圈)典型的應(yīng)用包括：
50/60Hz工頻電流測(cè)量
測(cè)量電流中的諧波成份
MOSFET，IGBT芯片等管腳電流測(cè)試
測(cè)量電力電子中的負(fù)載電流及高次諧波電流
柔性電流
2023-12-28 10:57:06
新型溝槽SiC基MOSFET器件研究
SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢(shì)，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)
2023-12-27 09:34:56466
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同是功率器件，為什么SiC主要是MOSFET，GaN卻是HEMT
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219
1219瑤芯微榮獲“國(guó)際先進(jìn)”好評(píng)的高可靠SiC MOSFET產(chǎn)品
瑤芯微此次參評(píng)的專注于“車規(guī)級(jí)低比導(dǎo)通電阻SiC MOSFET”，專家們一致贊賞該產(chǎn)品具有卓越的研究成果，堪稱行業(yè)翹楚。憑借諸多優(yōu)點(diǎn)，經(jīng)過嚴(yán)謹(jǐn)評(píng)鑒，評(píng)委會(huì)授予瑤芯微的SiC MOSFET技術(shù)極高評(píng)價(jià)，同時(shí)認(rèn)定其擁有自主創(chuàng)新產(chǎn)權(quán)，展現(xiàn)了強(qiáng)勁的技術(shù)實(shí)力。
2023-12-25 10:56:54456
456SIC MOSFET在電路中的作用是什么？
SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡(jiǎn)要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686
686怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？
怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問題，涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272
272SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求
SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動(dòng)電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416
416SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰的抑制方法簡(jiǎn)析（下）
高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而在驅(qū)動(dòng)電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
2023-12-20 09:20:45940
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NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應(yīng)用指南
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2023-12-19 15:37:520
0NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說(shuō)明
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什么是絕緣電阻和漏電流？
在電氣工程中，絕緣電阻和漏電流是兩個(gè)非常重要的概念。它們分別描述了電氣設(shè)備或系統(tǒng)絕緣性能的兩個(gè)不同方面。
2023-12-15 15:41:57705
705IGBT漏電流增加有哪些原因
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）漏電流增加的原因有多種，以下是對(duì)這些原因的分析： 正向電壓的增加 ：當(dāng)IGBT的控制極壓加上一定的電壓時(shí)，例如正向電壓，漏結(jié)區(qū)就會(huì)被壓縮。這時(shí)候漏極和源極之間就會(huì)產(chǎn)生
2023-12-13 16:01:59844
844淺談SiC MOSFET芯片的短路能力
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時(shí)間（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us內(nèi)。
2023-12-13 11:40:56890
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2023-12-07 14:34:17221
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如何防止碳化硅SiC MOSFET失效呢？
有效的熱管理對(duì)于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系，環(huán)境過熱會(huì)降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過早失效，充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對(duì)于 MOSFET 散熱至關(guān)重要。
2023-12-05 17:14:30332
332SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
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2023-12-05 17:10:21431
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SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比
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充電樁中后級(jí)LLC用SiC MOSFET方案可用隔離驅(qū)動(dòng)BTD25350
BTD25350雙通道隔離，原方帶死區(qū)時(shí)間設(shè)置，副方帶米勒鉗位功能，非常適合充電樁中后級(jí)LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列雙通道隔離型門極驅(qū)動(dòng)器，峰值輸出電流可達(dá)10A
2023-11-30 09:42:59
瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源
11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756
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使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
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2023-11-23 09:08:34333
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如何避免ADG1419的漏電流對(duì)被測(cè)電流信號(hào)的影響？
ADA4530-1的參考電路CN0407能夠檢測(cè)fA級(jí)電流，但電路中使用的開關(guān)ADG1419的漏電流為nA級(jí)，需要什么樣的處理來(lái)避免ADG1419的漏電流對(duì)被測(cè)電流信號(hào)的影響？謝謝。
2023-11-17 08:23:41
SiC MOSFET的封裝、系統(tǒng)性能和應(yīng)用
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET和 IGBT相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。SiCMOSFET很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)
2023-11-09 10:10:02333
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電源模塊漏電流怎么測(cè)試？萬(wàn)用表如何測(cè)泄漏電流？
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PD放大電路布板時(shí)的漏電流處理
PD放大電路布板時(shí)的漏電流處理 當(dāng)PD放大電路處理pA級(jí)電流信號(hào)，布板時(shí)比較隨意、沒有考慮漏電流的影響，會(huì)發(fā)生什么呢？ 當(dāng)PD放大電路處理pA級(jí)電流信號(hào)時(shí)，在布板過程中沒有考慮漏電流的影響，可能會(huì)
2023-11-06 11:14:17228
228如何優(yōu)化SiC柵級(jí)驅(qū)動(dòng)電路？
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓
2023-11-02 19:10:01361
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變頻器漏電流濾波器的原理與優(yōu)勢(shì)
漏電流是指在電氣設(shè)備中，電流從電源到設(shè)備外殼之間的泄漏電流。變頻器漏電流濾波器是一種用于減少變頻器漏電流的裝置。變頻器漏電流濾波器的作用是通過濾波和屏蔽的方式，將漏電流降低到安全范圍內(nèi)，以保證設(shè)備的正常運(yùn)行和人身安全。接下來(lái)跟著薩頓斯一起來(lái)了解一下變頻器漏電流濾波器的原理及優(yōu)勢(shì)。
2023-11-02 13:18:50278
278SiC MOSFET和SiC SBD的優(yōu)勢(shì)
下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
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漏電流是怎么產(chǎn)生的？如何控制漏電流的危害呢？ 漏電流是電器電路中的一種異常電流，指的是在電路中的部分電流從電源發(fā)出后，沒有按照預(yù)定的路徑通過相應(yīng)的負(fù)載或元件，而是決定性地流向了地線或其他非目標(biāo)路線
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3654車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
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3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
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MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？
MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
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、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件，能夠像
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328硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來(lái)說(shuō)，MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用，而IGBT更適合高功率應(yīng)用。
2023-10-17 14:46:401025
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什么是SiC MOSFET？
碳化硅，或SiC，作為一種半導(dǎo)體材料，正在逐漸嶄露頭角，廣泛應(yīng)用于電源電子領(lǐng)域。相較于其他可用技術(shù)，碳化硅MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）表現(xiàn)出顯著的性能提升，為眾多電子應(yīng)用帶來(lái)了新的可能性。
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晶閘管漏電流是什么意思
晶閘管漏電流是什么意思? 晶閘管漏電流是電子元件中的一種現(xiàn)象，是指晶閘管在正常工作時(shí)，由于制造過程的缺陷以及外部環(huán)境的影響等因素，在關(guān)閉狀態(tài)下產(chǎn)生的未被正常導(dǎo)通的電流。這種電流會(huì)不斷流動(dòng)，直到晶閘管
2023-09-13 16:39:48779
779如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？
在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
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SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么
相對(duì)于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:33566
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“漏電流”與“泄露電流”的區(qū)別
“漏電流”與“泄露電流”兩個(gè)專業(yè)名詞十分相似，導(dǎo)致很多工程師對(duì)著兩個(gè)量經(jīng)常混淆，傻傻分不清楚。 實(shí)際上他們之間的實(shí)質(zhì)截然不同，一個(gè)是用電器在輸入正常電壓下的測(cè)試，另一個(gè)是用電器不同電下，用另外的幾千
2023-09-10 10:50:301967
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面向SiC MOSFET的STGAP2SICSN隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
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影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的因素有哪些？
碳化硅（SiC）MOSFET支持功率電子電路以超快的開關(guān)速度和遠(yuǎn)超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。
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y電容與漏電流的計(jì)算
y電容與漏電流的計(jì)算? 電容是電學(xué)中的一種重要的元件，它可以在電路中儲(chǔ)存電荷，并在需要時(shí)將其釋放。在許多應(yīng)用中，電容被用來(lái)濾波、穩(wěn)壓，以及作為時(shí)序電路的元件。然而，電容也會(huì)引起漏電流的問題，影響電路
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2956談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的短路能力
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車規(guī)級(jí)！碳化硅(SiC)MOSFET，正式開啟量產(chǎn)交付
據(jù)介紹，瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V，可提升應(yīng)用兼容性，簡(jiǎn)化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì)，使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%，并顯著降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2023-08-23 15:38:01703
703瞻芯電子正式開發(fā)第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品
瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線，開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品，其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
（安世半導(dǎo)體）如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起，以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。 合并 PIN 肖特基（MPS）結(jié)構(gòu)可減小漏電流 金屬-半導(dǎo)體接面的缺陷是導(dǎo)致 SiC 肖特基二極管漏電流的主要原因。盡管采用更厚的漂移層可減小漏電流，
2023-08-14 16:06:29540
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SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀分析
對(duì)于SiC功率MOSFET技術(shù)，報(bào)告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí)，解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:57428
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SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化方案
;1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC
2023-08-03 11:09:57740
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如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)？這款I(lǐng)C方案推薦給您
高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET
2023-07-18 19:05:01462
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空調(diào)漏電能否用鉗表測(cè)量漏電流呢？
在空調(diào)安裝維修時(shí)，經(jīng)常使用鉗表測(cè)電流，使用方便快捷。在用鉗表測(cè)電流時(shí)，只需要將檔位打到適當(dāng)量程，然后鉗住被測(cè)電流的線路即可，如下圖就是測(cè)火線電流的示例。那么，能否用鉗表測(cè)量漏電流？
2023-06-29 09:29:32643
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用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377
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SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結(jié)構(gòu)的中間
2023-06-19 16:39:467
7安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 動(dòng)態(tài)特性分析
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC
2023-06-16 14:40:01389
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安森美M1 1200 V SiC MOSFET動(dòng)態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT
2023-06-16 14:39:39538
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GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管可實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變
二極管中觀察到的電容恢復(fù)特性為獨(dú)立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實(shí)際外延規(guī)范將肖特基二極管降級(jí)為< 600 V的應(yīng)用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設(shè)計(jì)的，以盡量減少電容電荷，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變。
2023-06-16 11:42:39
為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
LEM替代 |?國(guó)產(chǎn)電流傳感器如何檢測(cè)漏電流？
電流傳感器能夠檢測(cè)電流，并利用傳感器測(cè)量出過電流和欠電流的狀況。那么對(duì)于漏電流，電流傳感器是怎么檢測(cè)到的呢？具體是怎么實(shí)現(xiàn)的？ 電流傳感器如何檢測(cè)漏電流 漏電流傳感器是一種依據(jù)互感器電磁隔離、磁調(diào)制
2023-06-13 08:20:11624
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC
2023-06-08 20:45:02281
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SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記：各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)
當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來(lái)區(qū)分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074304
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耐壓和漏電流測(cè)試區(qū)別
在安規(guī)測(cè)試中，有耐壓測(cè)試和漏電流測(cè)試兩項(xiàng)，發(fā)現(xiàn)兩者的測(cè)試連接方式幾乎一致，一端接零火線，一端接外殼，而且耐壓合不合格看的就是電流有沒有小于要求值，兩者原理看似一致，為何要分耐壓測(cè)試和漏電流測(cè)試？
2023-06-05 09:09:081912
1912漏電電流和零序電流的區(qū)別和聯(lián)系
漏電電流是指由于電器設(shè)備絕緣的破損、老化、安裝不良等原因，在電氣設(shè)備的工作過程中，引起的電流泄露到地線上的電流。漏電電流是指在電氣設(shè)備的工作過程中，出現(xiàn)了電路的電源線與地線之間的電流泄露現(xiàn)象，通常是由于設(shè)備絕緣失效或者絕緣破損所引起。
2023-06-03 09:54:443379
3379如何實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的短路檢測(cè)及保護(hù)？
過程中SiC MOSFET的高短路電流會(huì)產(chǎn)生極高的熱量，因此SiC MOSFET需要快速的短路檢測(cè)與保護(hù)。同時(shí)，電流關(guān)斷速率也需要控制在一定范圍內(nèi)，防止關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生過高的電壓尖峰。
2023-06-01 10:12:07998
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SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記2：短路保護(hù)—軟關(guān)斷
想象一個(gè)場(chǎng)景：一輛高端新能源車行駛在高速公路上，作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機(jī)的核心部件，SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的，你關(guān)我開，你開我關(guān)
2023-05-30 11:35:071905
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優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)的方法
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢(shì)。
2023-05-26 09:52:33462
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柵極驅(qū)動(dòng)器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)
碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多個(gè)應(yīng)用的高效率電力輸送，比如電動(dòng)車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。
2023-05-22 17:36:411063
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泄漏電流的測(cè)試方案分享
泄漏電流是一種普遍存在于電器電子設(shè)備中的現(xiàn)象。當(dāng)設(shè)備中的絕緣被破壞或未經(jīng)充分絕緣而形成的電流，被稱為泄漏電流。泄漏電流對(duì)電器電子設(shè)備正常運(yùn)行產(chǎn)生了很大的影響。為了保證設(shè)備的正常工作，我們需要及時(shí)檢測(cè)泄漏電流。電流探頭就是在這個(gè)過程中起著重要的作用。
2023-05-18 09:45:211151
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如何降低驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)漏電流
驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)總漏電流由驅(qū)動(dòng)器本身漏電流、電機(jī)電纜線漏電流、電機(jī)漏電流組成。驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)漏電流大小取決于驅(qū)動(dòng)器逆變IGBT的開關(guān)頻率，逆變IGBT的開關(guān)的速度，直流母線電壓的幅值，電機(jī)的繞組對(duì)機(jī)殼的分布電容（i=C*dU/dt），因此，IGBT的開關(guān)頻率由10kHz降低到5kHz時(shí)，漏電流明顯降低
2023-05-17 10:19:53730
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測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測(cè)量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2023-05-08 11:23:14642
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MOS晶體管漏電流的6個(gè)原因
漏電流會(huì)導(dǎo)致功耗，尤其是在較低閾值電壓下。了解MOS晶體管中可以找到的六種泄漏電流。 在討論MOS晶體管時(shí)，短通道器件中基本上有六種類型的漏電流元件： 反向偏置PN結(jié)漏電流 亞閾值漏電流
2023-05-03 16:27:007772
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了解短通道MOS晶體管中的漏電流元件
本文介紹了MOS晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)，以期更好地了解此類晶體管中可能發(fā)生的漏電流。 MOS晶體管正在縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致了氧化物厚度的減少，從而降低了MOS器件
2023-05-03 11:33:001279
1279R課堂 | SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法－總結(jié)
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對(duì)策、負(fù)電壓浪涌對(duì)策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02813
813碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢(shì)壘二極管
，單極性反向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">電流是條形花紋排列SBD實(shí)現(xiàn)電流的兩倍。2.7m??cm2條件下，RonA降低約20%。SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用逆變器時(shí)，這種經(jīng)過驗(yàn)證的改進(jìn)效果是至關(guān)重要的。目前正在繼續(xù)進(jìn)行
2023-04-11 15:29:18
測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測(cè)量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2023-04-06 09:11:46731
731溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET常見的類型
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
2023-04-01 09:37:171329
1329SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)
在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，PracticalAspectsandBod
2023-03-31 10:48:08529
529ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論