UCC27518和UCC27519單通道高速低側柵極驅動器器件可有效驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）電源開關.UCC27518和UCC27519采用的設計方案可最大程度減少擊穿電流，從而為電容負載提供較高的峰值拉/灌電流脈沖，同時提供軌到軌驅動能力以及超短的傳播延遲（典型值為17ns）。

當VDD = 12V時，UCC27518和UCC27519可提供峰值為4A的灌/拉（對稱驅動）電流驅動能力。

UCC27518和UCC27519具有4.5V至18V的寬VDD范圍，以及-40°C至140°C的寬溫度范圍。當前超出VDD工作范圍時，VDD引腳上的內部欠壓閉鎖（UVLO）電路可使輸出保持低電平。該器件不僅能夠工作在低于5V的低電壓下，還具備非常適用于驅動諸如GaN功率半導體器件等新上市的寬帶隙電源開關件。

UCC27518和UCC27519的輸入引腳閾值基于CMOS邏輯電路，其中閾值電壓是VDD電源電壓的函數。輸入閾值上限典型值（V _IN-H ）是V _DD 的55％，而輸入閾值下限典型值（V _IN-L ）是V _DD 的39％。閾值上下限之間的寬滯后（通常為V _DD 的16％）提供了出色的抗噪性，并且使用戶能夠通過在輸入脈寬調制（PWM）信號與器件的INx引腳之間使用RC電路來引入延遲。

UCC27518和UCC27519的EN引腳上還特有一個可懸空的使能功能。將EN引腳置于未連接狀態，可分別實現UCC27518，UCC27519與TPS2828，TPS2829之間的引腳兼容性.EN引腳的電壓閾值是固定的，不會隨V _DD 引腳偏置電壓變化。使能閾值上限的典型值（V _EN-H ）為2.1V，而使能閾值下限典型值（V _EN-L ）為1.25V。