優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

產品詳情

HMC219B是一款超小型通用雙平衡混頻器，采用8引腳超小型塑料表貼封裝，帶裸露焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造，無需外部元件或匹配電路。該器件可用作頻率范圍為2.5 GHz至7.0 GHz的上變頻器、下變頻器、雙相調制器或相位比較器。

HMC219B采用經過優化的巴倫結構，提供出色的本振(LO)至射頻(RF)隔離及LO至中頻(IF)隔離性能。符合RoHS標準的HMC219B無需線焊，與高容量表貼制造技術兼容。MMIC性能穩定可提高系統工作效率并確保符合HiperLAN、U-NII和ISM法規要求。

應用

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)
• 工業、科研和醫療(ISM)

方框圖