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標(biāo)簽 > 光刻技術(shù)

光刻技術(shù)

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隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個(gè)數(shù)量級(jí)(從毫米級(jí)到亞微米級(jí)),已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù);使用波長已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。

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光刻技術(shù)資訊

美國將光刻技術(shù)納入出口限制清單

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基于聲表面波的無線無源溫度傳感器為此提供了良好的解決方案

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研究人員基于不同Pt膜厚與波長比的LGS/Pt器件的結(jié)構(gòu)開展實(shí)驗(yàn)研究。科研人員采用最小二乘法對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合,得出反射系數(shù)計(jì)算公式,利用有限元方法提取...

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DMD無掩膜光刻技術(shù)解析

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2020-08-13 標(biāo)簽:光刻技術(shù)DMD 2.0萬 0

新型高精度技術(shù)讓納米圖形“變身”二維材料

微工程研究所的研究人員采用了新型納米結(jié)構(gòu)化技術(shù),稱為熱掃描探針光刻(thermal scanning probe lithography,t-SPL)技...

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新型光刻技術(shù)解決硅材料脆性難題,MEMS機(jī)械性能極限有望突破

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2020-06-24 標(biāo)簽:mems光刻技術(shù)半導(dǎo)體芯片 2903 0

DNA納米光刻構(gòu)建高度有序的微流控納米界面

與傳統(tǒng)組織活檢相比,檢測原發(fā)或轉(zhuǎn)移灶中脫離進(jìn)入外周血循環(huán)的腫瘤細(xì)胞(CTC)具有腫瘤分子信息全、侵入性小、取樣方便等優(yōu)勢。CTC分析技術(shù)的挑戰(zhàn)在于如何從...

2020-06-01 標(biāo)簽:微流控光刻技術(shù) 3111 0

一種新型激元光刻技術(shù),已成為工業(yè)制造的關(guān)鍵技術(shù)

據(jù)國內(nèi)媒體報(bào)道,來自中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所等單位的研究人員,開發(fā)了一種新型飛秒激光等離子激元光刻技術(shù)(FPL)。

2020-05-14 標(biāo)簽:工業(yè)自動(dòng)化光刻技術(shù) 3153 0

新光刻技術(shù)將會(huì)對(duì)納米芯片的發(fā)展產(chǎn)生重大影響

該行業(yè)正在不斷刷新納米芯片的記錄,這無疑將為我們帶來更多的未來計(jì)算可能性。為此,來自世界各地的研究人員正在不斷努力。

2020-04-15 標(biāo)簽:納米芯片光刻技術(shù) 1829 0

光刻測量技術(shù)與感應(yīng)式測量技術(shù)解析

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絕對(duì)測量法是指編碼器通電時(shí)就立即提供位置值并隨時(shí)供后續(xù)信號(hào)處理電子電路讀取。無需移動(dòng)軸執(zhí)行參考點(diǎn)回零操作。絕對(duì)位置信息來自一系列絕對(duì)碼構(gòu)成的光柵刻線。單...

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利用激光測振技術(shù)提升MEMS器件仿真精度

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臺(tái)積電總市值達(dá)到2482億美元超越英特爾,成為半導(dǎo)體行業(yè)第一

據(jù)臺(tái)積電稱,采用EUV光刻技術(shù)的N7+(7nm+)工藝已經(jīng)大批量的供應(yīng)客戶,但官方?jīng)]有透露具體的合作廠商,目前唯一可完全確認(rèn)的就是華為麒麟990 5G,...

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7nm節(jié)點(diǎn)后光刻技術(shù)從DUV轉(zhuǎn)至EUV,設(shè)備價(jià)值劇增

芯片行業(yè)從20世紀(jì)90年代開始就考慮使用13.5nm的EUV光刻(紫外線波長范圍是10~400nm)用以取代現(xiàn)在的193nm。EUV本身也有局限,比如容...

2019-10-01 標(biāo)簽:摩爾定律光刻技術(shù)EUV 8405 0

2019年第一季度全球個(gè)人電腦出貨量為5850萬臺(tái),比2018年第一季度下降4.6%

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2019-04-18 標(biāo)簽:臺(tái)積電聯(lián)想光刻技術(shù) 7276 0

半導(dǎo)體光刻技術(shù)及其發(fā)展歷程,一個(gè)詳盡立體的光刻世界

對(duì)于采用不同設(shè)備制造相同制程IC的制造廠來說,其技術(shù)水平差異就會(huì)很突出,例如,有的廠商用EUV設(shè)備(光刻波長為13.5nm)才能做7nm芯片,而有的廠商...

2018-11-27 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體光刻技術(shù) 1.1萬 0

三星半導(dǎo)體已經(jīng)開始使用其7LPP制造工藝生產(chǎn)芯片

三星在其位于韓國華城的Fab S3生產(chǎn)7LPP EUV芯片。該公司每天可以在其ASML Twinscan NXE:3400B EUVL步進(jìn)掃描系統(tǒng)和每個(gè)...

2018-10-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體三星電子光刻技術(shù) 5166 0

新思科技Fusion技術(shù)助力三星7LPP EUV工藝降低功耗、縮小面積并提高性能

新思科技設(shè)計(jì)事業(yè)部營銷與商務(wù)開發(fā)副總裁Michael Jackson表示:“我們與三星的工具和參考流程合作重點(diǎn)在于使設(shè)計(jì)人員能夠使用三星最新的EUV 7...

2018-07-05 標(biāo)簽:三星電子新思科技光刻技術(shù) 4539 0

芯片升級(jí)神助攻 光刻技術(shù)你了解多少?

光刻技術(shù)是集成電路最重要的加工工藝。在整個(gè)芯片制造工藝中,幾乎每個(gè)工藝的實(shí)施,都離不開光刻技術(shù)。光刻也是制造芯片的最關(guān)鍵技術(shù),占芯片制造成本的35%以上。

2018-04-22 標(biāo)簽:光刻技術(shù) 3528 0

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