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內(nèi)存控制器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)部控制內(nèi)存并且負(fù)責(zé)內(nèi)存與CPU之間數(shù)據(jù)交換的重要組成部分。
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我在論壇上寫過一個(gè)。《如何搭建SoC項(xiàng)目的基本Testbench(我的流程)》,這里挑重要的和有改變的地方說一下。 假設(shè)這個(gè)SoC有CPU系統(tǒng)、內(nèi)...
pci內(nèi)存控制器和sm總線控制器感嘆號會造成電腦死機(jī)嗎?
PCI內(nèi)存控制器和SM總線控制器在設(shè)備管理器中出現(xiàn)感嘆號,通常意味著這些設(shè)備的驅(qū)動程序存在問題或設(shè)備本身出現(xiàn)故障。這些問題是否會導(dǎo)致電腦死機(jī),取決于多種...
Overlay 簡介 RISC-V-On-PYNQ Overlay實(shí)現(xiàn)了在PYNQ-Z2板上的RISC-V處理器及工具鏈集成,并提供了完整的RISC-V...
2020-11-08 標(biāo)簽:XilinxAXI內(nèi)存控制器 7180 0
處理器封裝“膠水”技術(shù)再度興盛 封裝技術(shù)的立體演進(jìn)
英特爾未來將推出十六核心的第十二代酷睿處理器的消息(詳見《8+8+1架構(gòu)見過沒!英特爾第十二代酷睿竟抄襲ARM?》)。不過,不少小伙伴都擔(dān)心這次又是膠水...
2020-08-25 標(biāo)簽:處理器amd內(nèi)存控制器 5696 0
IP新銳芯耀輝多點(diǎn)破局DDR PHY技術(shù)瓶頸
DDR PHY是DRAM和內(nèi)存控制器通信的橋梁,它負(fù)責(zé)把內(nèi)存控制器發(fā)過來的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成符合DDR協(xié)議的信號,并發(fā)送到DRAM。
什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核
Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
主板內(nèi)存控制器是計(jì)算機(jī)硬件中非常重要的一部分,它負(fù)責(zé)管理內(nèi)存與CPU之間的數(shù)據(jù)交換。當(dāng)內(nèi)存控制器出現(xiàn)問題時(shí),可能會導(dǎo)致計(jì)算機(jī)出現(xiàn)各種故障。 系統(tǒng)無法啟動...
2024-09-02 標(biāo)簽:計(jì)算機(jī)主板硬件 2615 0
北橋芯片(North Bridge)和南橋芯片(South Bridge)合稱就是主板的芯片組,是支撐整個(gè)主板運(yùn)行的關(guān)鍵,早在586時(shí)期的電腦主板就已經(jīng)...
內(nèi)存控制器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)部控制內(nèi)存并負(fù)責(zé)內(nèi)存與CPU之間數(shù)據(jù)交換的重要組成部分。它不僅是連接CPU與內(nèi)存的橋梁,還決定了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所能使用的最大內(nèi)存容量...
2024-09-04 標(biāo)簽:cpu計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)存控制器 1920 0
隨著 DFI MC-PHY 接口規(guī)范的推進(jìn),事情正朝著正確的方向發(fā)展。對于不熟悉 DFI 的人來說,這是一個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),它定義了任何通用 MC 和 PHY...
2024-03-19 標(biāo)簽:控制器內(nèi)存內(nèi)存控制器 1877 0
Pod是如何在底層實(shí)現(xiàn)的?如何使用Docker創(chuàng)建Pod?
剛開始接觸 Kubernetes 時(shí),你學(xué)到的第一件事就是每個(gè) Pod 都有一個(gè)唯一的 IP 和主機(jī)名,并且在同一個(gè) Pod 中,容器可以通過 loca...
2023-08-14 標(biāo)簽:RAMLinux系統(tǒng)虛擬機(jī) 1605 0
對IP設(shè)計(jì)中注意事項(xiàng)及FPGA原型設(shè)計(jì)進(jìn)行說明
如果我們試圖將環(huán)形連接可視化,那么在高層次上,我們可以考慮使用這種類型的FPGA內(nèi)部連接的引腳連接。IO的浪費(fèi)不能局限在這種連通性上。FPGA處于下端;...
DRAM從20世紀(jì)70年代初到90年代初生產(chǎn),接口都是異步的,其中輸入控制信號直接影響內(nèi)部功能。
2024-07-29 標(biāo)簽:DRAMSDRAM內(nèi)存控制器 1469 0
NIST開發(fā)出微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)延遲線內(nèi)存控制器
美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所(NIST)日前展示一款采用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的延遲線內(nèi)存控制器,可望作為未來量子電腦的暫存內(nèi)存控制器。
2013-03-21 標(biāo)簽:MEMS延遲線微機(jī)電系統(tǒng) 1401 0
Power Design Manager (PDM) 2023.1的新增功能
PDM 已經(jīng)與其它 AMD FPGA 和自適應(yīng) SoC 工具一起集成到統(tǒng)一的安裝程序中。這是一款獨(dú)立的工具,無需任何額外的 AMD 軟件,即可運(yùn)行或完成安裝。
2023-09-06 標(biāo)簽:SoC設(shè)計(jì)PDMDDR4 1355 0
可直接訪問的分離式內(nèi)存DirectCXL應(yīng)用案例
分離式內(nèi)存由于可以提升內(nèi)存利用率而備受關(guān)注,現(xiàn)有的分離式內(nèi)存可以根據(jù)它們?nèi)绾喂芾頂?shù)據(jù)分為1)page-based和2)object-based。Page...
2023-10-18 標(biāo)簽:處理器網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)RDMA 1354 0
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