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刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻［1］相聯系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術

兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕

反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個剝離的例子。總的來說，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件...

2018-12-14 標簽：半導體刻蝕 7.2萬 0

深度解讀TSV 的工藝流程和關鍵技術

要實現三維集成，需要用到幾個關鍵技術，如硅通孔（TSV），晶圓減薄處理，以及晶圓/芯片鍵合。TSV 互連具有縮短路徑和更薄的封裝尺寸等優點，被認為是三維...

2017-11-24 標簽：tsv 硅通孔刻蝕 6.5萬 2

半導體制造之刻蝕工藝詳解

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2023-02-13 標簽：多晶硅半導體晶體管 1.1萬 0

刻蝕工藝流程和步驟酸性蝕刻和堿性蝕刻的區別

刻蝕和蝕刻實質上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導體制造中，這個過程常常用于雕刻芯...

2023-07-28 標簽：集成電路蝕刻芯片封裝 1.0萬 0

刻蝕分為哪兩種方式刻蝕的目的和原理

刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結構。刻蝕的原理是利用化學反應或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發生形貌變化。

2023-08-01 標簽：集成電路電子器件刻蝕 9618 0

半導體八大工藝之刻蝕工藝-干法刻蝕

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2023-06-20 標簽：半導體晶硅刻蝕 7840 0

微流控芯片的發展及制造工藝介紹

微全分析系統的概念是在1990年首欠由瑞士Ciba2Geigy公司的Manz與Widmer提出的，當時主要強調了分析系統的微與全，及微管道網絡的MEMS...

2018-09-05 標簽：mems 光刻微流控芯片 7605 0

刻蝕工藝主要分為哪幾種類型刻蝕的目的是什么？

PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不...

2023-08-17 標簽：芯片封裝半導體器件刻蝕 7370 0

等離子刻蝕ICP和CCP優勢介紹

刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差，側壁容易產生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。

2024-04-12 標簽：晶體管 CCP ICP 7036 0

一文解讀DRAM的9大刻蝕技術

在將晶圓制成半導體的過程中需要采用數百項工程。其中，一項最重要的工藝是蝕刻（Etch）——即，在晶圓上刻畫精細電路圖案。蝕刻（Etch）工程的成功取決于...

2023-01-07 標簽：DRAM 刻蝕 6722 0

詳解電池片全工序工藝

采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應，采用高頻輝光放電反應，使反應氣體激活成活性粒子，如原子或各種游離基，這些活性粒子擴散到硅片邊緣，在那里與硅進行反應，...

2023-05-06 標簽：太陽電池電池片刻蝕 6105 0

微帶天線的四種基本饋電方式

射頻饋電（Microstrip Feed）：這是最常見的微帶天線饋電方式之一。射頻信號通過微帶線傳輸到天線的輻射部分，通常是通過微帶線和輻射貼片之間的...

2024-03-19 標簽：天線微帶天線刻蝕 5909 0

集成電路芯片制造工藝全流程

一般來說SiO2是作為大部分器件結構中的絕緣體或在器件制作過程中作為擴散或離子注入的阻擋層。

2024-03-11 標簽：集成電路芯片制造光刻技術 5628 0

揭秘半導體制造全流程（中篇）

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2022-08-01 標簽：晶圓半導體制造刻蝕 5520 0

光伏刻蝕工藝流程光刻蝕刻加工原理是什么

光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術，用于制造微細結構和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學和物理作用，...

2023-08-24 標簽：太陽能電池光刻膠刻蝕 5347 0

SiO2在氫氟酸中的刻蝕機理

摘要研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點，并研究了SiQ的蝕刻反應作為高頻溶液中不同物種的函數?；贖F二聚體的存在，建立了一種新的SiO~蝕刻...

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干法刻蝕在工藝制程中的分類介紹（干法刻蝕關鍵因素研究）

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