半導體制造工藝解析

WCMP是電子束檢測應用最重要的一層，這一層的功能主要體現在：可以使工程師遇到器件的漏電和接觸不良問題。EBI的應用可以幫助提升成品率，減少半導體ict...

2023-08-11 標簽：半導體晶體管電子束 2820 0

二氧化硅玻璃陶瓷刻蝕化學及HF輔助刻蝕的觀察

關鍵詞:玻璃陶瓷；氫氟酸；蝕刻條件；蝕刻速率；機制 引言 我們江蘇華林科納研究了氧化鎂-氧化鋁-二氧化硅玻璃陶瓷在氫氟酸中的腐蝕條件和機理。結果表明，在...

2022-01-04 標簽：半導體晶圓刻蝕 2681 0

硅晶圓蝕刻過程中的流程和化學反應

引言 硅晶圓作為硅半導體制造的基礎材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產生加工變質層。為了去除該加工...

2022-04-08 標簽：半導體硅晶圓刻蝕 2494 0

碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

引言 人們對用于器件應用的碳化硅(SiC)重新產生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數和熱膨脹系數，可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應用領域，例...

2022-01-10 標簽：半導體SiC碳化硅 2333 0

光柵耦合器學習筆記

　　耦合一直是硅光集成的一個難點，目前主要有兩種解決方案。

2023-12-06 標簽：光柵帶寬耦合器 2186 0

pcb蝕刻是什么意思

　在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻工藝，可以參閱內層制作工藝中的蝕刻。

2023-09-06 標簽：pcb蝕刻刻蝕 2180 0

單晶SiC晶圓加工過程中的低溫濕法蝕刻

硅片在大口徑化的同時，要求規格的嚴格化迅速發展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴格，因此超精密磨削技術得以開發，實現了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC...

2022-04-15 標簽：晶圓SiC刻蝕 2068 0

淺談PCB蝕刻質量及先期存在的問題

要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層...

2023-09-07 標簽：pcb印刷電路板蝕刻 2064 0

半導體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步...

2023-06-26 標簽：半導體晶圓光刻 2064 0

半導體前端工藝之沉積工藝

在前幾篇文章（點擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導體制程 。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，...

2023-06-29 標簽：半導體晶圓工藝 1997 0

詳解化學鎳沉積技術的沉積過程

本文報道了這種化學鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查，研究了各種預處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對最終化學鎳碰撞質量的影響，以幫助詳細了解...

2022-05-13 標簽：工藝晶片刻蝕 1965 0

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區域；并以第一速率用...

2022-03-29 標簽：SiC碳化硅刻蝕 1965 0

什么是干法刻蝕的凹槽效應？凹槽效應的形成機理和抑制方法

但是，在刻蝕SOI襯底時，通常會發生一種凹槽效應，導致刻蝕的形貌與預想的有很大出入。那么什么是凹槽效應？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應呢？

2023-10-20 標簽：芯片SOI刻蝕 1961 0