憶阻器

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憶阻器全稱記憶電阻器，它是表示磁通與電荷關(guān)系的電路器件。憶阻具有電阻的量綱，但和電阻不同的是，憶阻的阻值是由流經(jīng)它的電荷確定。因此，通過(guò)測(cè)定憶阻的阻值，便可知道流經(jīng)它的電荷量，從而有記憶電荷的作用。

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憶阻器技術(shù)

如何精準(zhǔn)測(cè)量fF級(jí)超低電容

典型的半導(dǎo)體電容在pF或nF范圍內(nèi)。許多商業(yè)上可用的LCR表或電容計(jì)補(bǔ)償后可以使用適當(dāng)?shù)臏y(cè)量技術(shù)來(lái)測(cè)量這些值，然而，一些應(yīng)用需要在飛秒法（fF）或1e-...

2025-03-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電容憶阻器 1.4萬(wàn) 0

憶阻器應(yīng)用

憶阻器的存儲(chǔ)與計(jì)算“融合”的模式，避免了傳統(tǒng)架構(gòu)中每步都需要將計(jì)算結(jié)果通過(guò)總線傳輸?shù)絻?nèi)存或外存之中進(jìn)行存儲(chǔ)，從而有效地減小數(shù)據(jù)頻繁存取和傳輸?shù)呢?fù)荷，降低...

2018-10-21 標(biāo)簽：憶阻器 1.3萬(wàn) 0

憶阻器簡(jiǎn)介及測(cè)試方案

憶阻器英文名為memristor, 用符號(hào)M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無(wú)源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時(shí)具備電阻和...

2022-10-20 標(biāo)簽：存儲(chǔ)單元憶阻器阻變存儲(chǔ)器 1.1萬(wàn) 0

什么是存算一體芯片？存算一體芯片的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

存算一體片上學(xué)習(xí)在實(shí)現(xiàn)更低延遲和更小能耗的同時(shí)，能夠有效保護(hù)用戶隱私和數(shù)據(jù)。該芯片參照仿生類腦處理方式，可實(shí)現(xiàn)不同任務(wù)的快速“片上訓(xùn)練”與“片上識(shí)別”，...

2023-10-23 標(biāo)簽：芯片閃存 FlaSh 6346 0

基于憶耦器實(shí)現(xiàn)非易失性邏輯門NOR

憶耦器是一種基于非線性磁電耦合效應(yīng)的記憶元件，源于第四種基本電路元件電耦器（transtor）。憶耦器的基本特征是其表現(xiàn)出非線性電荷-磁通回滯曲線。

2022-06-10 標(biāo)簽：DRAM 摩爾定律憶阻器 5957 0

憶阻器的應(yīng)用前景

隨著信息社會(huì)的發(fā)展，人類社會(huì)產(chǎn)生的信息總量開(kāi)始呈爆炸式增長(zhǎng)，這給數(shù)據(jù)傳輸、存儲(chǔ)、分析和安全帶來(lái)了各種挑戰(zhàn)。存算一體化技術(shù)被提出用來(lái)解決大量運(yùn)算問(wèn)題，而在...

2023-02-17 標(biāo)簽：電容存儲(chǔ)憶阻器 5866 0

算力不足和能效過(guò)低，有什么方法提高AI芯片的算力呢？

隨著ChatGPT強(qiáng)勢(shì)來(lái)襲，AI人工智能應(yīng)用層出不窮。智能化時(shí)代，數(shù)據(jù)量指數(shù)型增長(zhǎng)，摩爾定律已經(jīng)不能滿足當(dāng)前的數(shù)據(jù)處理需求，元器件的物理尺寸已經(jīng)接近極限。

2023-10-22 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管人工智能憶阻器 4780 0

cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)

依靠憶阻器執(zhí)行像素級(jí)自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比，基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲(chǔ)功能，讓設(shè)計(jì)人...

2016-10-17 標(biāo)簽：傳感器 cmos 憶阻器 3830 0

基于憶阻器存算一體芯片研究進(jìn)展、總結(jié)與展望

未來(lái)集成電路將通過(guò)計(jì)算范式、芯片架構(gòu)和集成方法等創(chuàng)新，突破高算力發(fā)展瓶頸。具體創(chuàng)新方法為：Chiplet異質(zhì)集成提高晶體管數(shù)量、存算一體技術(shù)提高每單位器...

2022-12-23 標(biāo)簽：集成電路人工智能憶阻器 2952 0

一些電路的動(dòng)圖演示分享

第一個(gè)運(yùn)算放大器是積分器。分壓器將+輸入置于控制電壓的一半。運(yùn)算放大器試圖使其輸入保持相同的電壓，這要求100k兩端流過(guò)電流，以確保其壓降為控制電壓的一半。

2022-03-28 標(biāo)簽：電路壓控振蕩器憶阻器 2895 0

知存科技助力AI應(yīng)用落地：WTMDK2101-ZT1評(píng)估板實(shí)地評(píng)測(cè)與性能揭秘

隨著當(dāng)今數(shù)據(jù)迅速增長(zhǎng)，傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)內(nèi)存墻正在成為計(jì)算性能進(jìn)一步提升的阻礙。新一代的存內(nèi)計(jì)算（IMC）和近存計(jì)算（NMC）架構(gòu)有望突破這一瓶頸，顯著...

2024-05-16 標(biāo)簽：DRAM AI 憶阻器 2551 0

支持憶阻器/神經(jīng)元的前沿研究，泰克測(cè)試系統(tǒng)提供定制開(kāi)發(fā)和系統(tǒng)集成

憶阻器代表著電荷與磁通量之間的關(guān)系。憶阻器的電阻會(huì)隨著通過(guò)的電流量而發(fā)生變化，就算電路斷電、電流停止，其電阻值仍然會(huì)被保留，直到有反向電流通過(guò)才會(huì)返回原狀。

2022-11-05 標(biāo)簽：泰克神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)憶阻器 2355 0

混合NVM/DRAM平臺(tái)上的內(nèi)存帶寬調(diào)節(jié)策略

隨著相變存儲(chǔ)器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術(shù)的快速發(fā)展，高速的、可字節(jié)尋址的新興 NVM 的產(chǎn)品逐漸涌現(xiàn)于市場(chǎng)中

2023-11-14 標(biāo)簽：PCM DRAM 存儲(chǔ)器 1907 0

不同的存算一體有什么區(qū)別？

SRAM是目前唯一一種跟先進(jìn)CMOS工藝完全兼容且能大規(guī)模量產(chǎn)的存儲(chǔ)介質(zhì)，這也是支持大算力的關(guān)鍵所在：從單獨(dú)存算一體宏單元的角度，SRAM跟先進(jìn)工藝的兼...

2023-11-19 標(biāo)簽：sram AI 憶阻器 1641 0

基于柔性聚酰亞胺憶阻器的多合一壓縮和加密引擎

CS安全問(wèn)題越來(lái)越被重視。CS是利用特定信號(hào)的結(jié)構(gòu)，通過(guò)隨機(jī)編碼過(guò)程在模擬和數(shù)字領(lǐng)域的物理界面上同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)壓縮和采集，允許以亞奈奎斯特速率進(jìn)行采集

2023-02-06 標(biāo)簽：傳感器憶阻器電脈沖 1472 0

AI芯片新選擇，憶阻器的作用

CMOS 晶體管有助于控制二維憶阻器上的電流。這有助于實(shí)現(xiàn)憶阻器約 500 萬(wàn)次開(kāi)關(guān)周期的耐用性，與現(xiàn)有的電阻式 RAM和相變存儲(chǔ)器大致相當(dāng)。如果沒(méi)有 ...

2023-04-11 標(biāo)簽：CMOS 晶圓神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 1467 0

鐵電存儲(chǔ)器和憶阻器的區(qū)別

鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）與憶阻器（Memristor）是兩種不同類型的存儲(chǔ)技術(shù)，它們?cè)诠ぷ髟怼⑿阅芴攸c(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以...

2024-09-29 標(biāo)簽：存儲(chǔ)技術(shù)憶阻器鐵電存儲(chǔ)器 1397 0

全球首顆清華憶阻器存算一體芯片究竟是個(gè)啥？

業(yè)界很多也都在研究相關(guān)的解決方案，以實(shí)現(xiàn)更為有效的數(shù)據(jù)運(yùn)算和更大的數(shù)據(jù)吞吐量，其中“存算一體”被認(rèn)為是未來(lái)計(jì)算芯片的架構(gòu)趨勢(shì)。它是把之前集中存儲(chǔ)在外面的...

2023-10-22 標(biāo)簽：芯片人工智能憶阻器 1115 0

憶阻器單元基礎(chǔ)研究和性能研究測(cè)試方案

2023-07-12 標(biāo)簽：存儲(chǔ)憶阻器 860 0

基于垂直架構(gòu)的新型二維半導(dǎo)體/鐵電多值存儲(chǔ)器

二維層狀半導(dǎo)體材料得益于原子級(jí)薄的厚度，其受到靜電場(chǎng)屏蔽效應(yīng)大大減弱，利用門電壓可以對(duì)其電學(xué)性能進(jìn)行有效調(diào)控。利用二維層狀半導(dǎo)體材料構(gòu)建的多端憶阻晶體管...

2022-11-28 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 807 0

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Verilog HDL是一種硬件描述語(yǔ)言（HDL:Hardware Description Language），以文本形式來(lái)描述數(shù)字系統(tǒng)硬件的結(jié)構(gòu)和行為的語(yǔ)言，用它可以表示邏輯電路圖、邏輯表達(dá)式，還可以表示數(shù)字邏輯系統(tǒng)所完成的邏輯功能。
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在 Maxim Integrated，我們正在解決工程問(wèn)題并支持設(shè)計(jì)創(chuàng)新，使我們的客戶能夠創(chuàng)造出塑造我們世界的產(chǎn)品。我們創(chuàng)新的高性能模擬和混合信號(hào)產(chǎn)品和技術(shù)使系統(tǒng)更小、更智能，同時(shí)增強(qiáng)了安全性并提高了能源效率。
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藍(lán)牙ble稱低功耗藍(lán)牙。低功耗藍(lán)牙是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟設(shè)計(jì)和銷售的一種個(gè)人局域網(wǎng)技術(shù)。旨在用于醫(yī)療保健、運(yùn)動(dòng)健身、信標(biāo)、安防、家庭娛樂(lè)等領(lǐng)域的新興應(yīng)用。相較經(jīng)典藍(lán)牙，低功耗藍(lán)牙旨在保持同等通信范圍的同時(shí)顯著降低功耗和成本。
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匯頂科技成立于2002年，作為人機(jī)交互領(lǐng)域可靠的技術(shù)與解決方案提供商，在包括手機(jī)、平板和可穿戴產(chǎn)品在內(nèi)的智能移動(dòng)終端人機(jī)交互技術(shù)領(lǐng)域不斷取得新進(jìn)展，陸續(xù)推出擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Goodix Link技術(shù) 、指紋識(shí)別與觸控一體化的IFS技術(shù) 、活體指紋檢測(cè)技術(shù)等。
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蘇州納芯微電子股份有限公司（Suzhou NOVOSENSE Microelectronics Co.， Ltd.）是高性能高可靠性模擬芯片的研發(fā)設(shè)計(jì)企業(yè)。
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　　選頻放大器（frequency selective amplifier）對(duì)某一段頻率或單一頻率的信號(hào)具有突出的放大作用，而對(duì)其他頻率的信號(hào)具有較強(qiáng)抑制作用的放大單元。
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IO模塊是工業(yè)級(jí)遠(yuǎn)程采集與控制模塊，該模塊提供了無(wú)源節(jié)點(diǎn)的開(kāi)關(guān)量輸入采集，繼電器輸出，高頻計(jì)數(shù)器等功能。

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憶阻器

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