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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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納微 NV6169 # 45mΩ低導阻、800V耐壓、GaNSense智能保護技術
這是一款采用 GaNSense技術的650/800 V 大功率GaNFast芯片,可滿足高功率應用,例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器...
寬電壓范圍是指設備或系統能夠在較寬的電壓區間內正常工作的能力。這意味著,當電網電壓或供電電壓在一定范圍內波動時,具備寬電壓范圍的設備仍能保持穩定運行,不...
HMC8415 40W(46 dBm),9GHz至10.5GHz,GaN功率放大器技術手冊
HMC8415LP6GE 是一款氮化鎵 (GaN) 功率放大器,可在 9 GHz 至 10.5 GHz 的帶寬范圍內提供 40 W (46 dBm) 的...
氮化鎵晶體管的并聯設計總結 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化鎵晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?:并聯開關管廣泛應用...
應用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結
德州儀器(TI)提供的一種新的驅動器集成氮化鎵(GaN)功率級產品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳(QFN)封裝中實現,該封裝尺寸為12mm x ...
TIDA-050074:140W 基于 GaN 的 USB PD3.1 USB-C? 適配器參考設計
此參考設計是基于氮化鎵 (GaN) 的 140W AC-DC 電源,具有高效率和功率密度。它支持寬輸入(90V~交流~至 264V ~交流~ ) 和輸出...
TIDA-010236:適用于電器的 4kW GaN 圖騰柱 PFC參考設計
此參考設計是一款 4kW 連續導通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC),具有頂部冷卻的氮化鎵 (GaN) 子板和TMS320F280025C...
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)。所有的偏置和電平轉換組件都已集成,...
用戶指南:LMG2100EVM-097 LMG2100R026評估模塊介紹
LMG2100R026 評估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級模塊,通過外部 PWM 信號進行控制。該電路板可配置為降壓轉換器、升壓轉換器或其他使用半橋的...
技術資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續、100V 脈沖、53A 半橋功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 ...
TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應用與設計
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 ...
TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續、100V 脈沖、35A 半橋功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 ...
TI DRV7308 具有保護和電流檢測功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能電源模塊 (IPM)
DRV7308 是一款三相智能電源模塊 (IPM),其中包含 205mΩ、650V 增強型氮化鎵 (GaN),用于驅動高達 450V 直流電源軌的三相 ...
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