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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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碳化硅襯底切割過程中，厚度不均勻問題嚴重影響其后續應用性能。傳統固定進給量切割方式難以適應材料特性與切割工況變化，基于進給量梯度調節的方法為提升切割厚度...
安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系...
對碳化硅技術進行商業化應用時，需要持續關注材料缺陷、器件可靠性和相關封裝技術。本文還將向研究人員和專業人士介紹一些實用知識，幫助了解碳化硅如何為功率半導...
引言 在碳化硅襯底加工過程中，切割進給量是影響其厚度均勻性的關鍵工藝參數。深入探究二者的量化關系，并進行工藝優化，對提升碳化硅襯底質量、滿足半導體器件制...
在碳化硅襯底厚度測量中，探頭溫漂與材料各向異性均會影響測量精度，且二者相互作用形成耦合效應。深入研究這種耦合影響，有助于揭示測量誤差根源，為優化測量探頭...
亞非拉市場工商業儲能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網不穩環境量身定制的技術革新 傾佳電子楊茜致力于推動...
引言 碳化硅襯底高溫加工過程中，溫度的劇烈變化會引發測量探頭溫漂，嚴重影響襯底厚度等參數的測量精度，進而干擾加工工藝的精準控制。探尋有效的動態修正方法，...
半導體器件作為現代電子技術的核心元件，廣泛應用于集成電路、消費電子及工業設備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（...
碳化硅MOS驅動電壓選擇15V還是18V，是電力電子設計中的關鍵權衡問題。這兩種電壓對器件的導通損耗、開關特性、熱管理和系統可靠性有顯著影響。
隨著技術的不斷進步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而，這些器件在長期連續使用后會出現老化現...
引言 碳化硅襯底 TTV（總厚度變化）厚度是衡量其質量的關鍵指標，直接影響半導體器件性能。合理選擇測量儀器對準確獲取 TTV 數據至關重要，不同應用場...
作者： Art Pini 從電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 逆變器到儲能和充電站，電力電子應用的數量和多樣性持續增加。這些應用需要更高的工作電壓、...
微管是SiC晶體中極為有害的缺陷，哪怕數量極少，也會對SiC器件的性能產生毀滅性打擊。在傳統物理氣相傳輸法（PVT）生長SiC單晶時，微管極易形成，并且...
Littelfuse新型1300V A5A溝槽分立式IGBT在電動汽車中的應用
Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT，專為800V電動汽車（BEV）應用而設計。這些IGBT具有優化的集電極-發射極飽和電壓...
2025-04-09 標簽：電動汽車IGBTLittelfuse 1086 0
在半導體技術的不斷演進中，功率半導體器件作為電力電子系統的核心組件，其性能與成本直接影響著整個系統的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙...
隨著電力電子技術的飛速發展，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）因其優異的性能，如高開關速度、低導通電阻和高工作溫度，逐漸成為高...
由于在可靠性、成本和系統級價值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業電力轉換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓...
為減緩氣候變化的步伐，人類在非化石燃料、可再生能源解決方案方面取得了進展，并且交通領域的電氣化進程也在加速。這些新興技術幾乎都要求使用大功率，對電源的要...
在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應用領域中，由第三代半導體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統硅基（Si）制成的Si IGBT。
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