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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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高性能SiC JFET SJEP120R100A的操作和性能
本文分析了 JFET SJEP120R100A 的操作和性能。這種 SiC JFET 適用于任何需要高功率和快速開關速度的應用。然而,它特別適合用于音頻...
越來越多的車企向800V高壓平臺進軍。那么800V高壓僅僅是指快充系統么?它到底為何能成為車企技術中的“香餑餑”?400V和800V的電動車在用車體驗上...
摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統加工方式已經不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術,本文綜述了碳化硅單晶切...
本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來的應用前景和發展趨勢,以及如何通過技術創新和優化來滿足不同應用的需求。其中,英飛凌作為國際品牌的代表,其第四代產品已...
工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC?到底該pick誰?
作為第三代功率半導體的絕代雙驕,氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業界,特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導體,是因為...
碳化硅是一種半導體材料,它具有優異的電子特性,可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的,具有高熔點、高熱穩定性和高電阻率等特性。
碳化硅逆變器是一種基于碳化硅(SiC)半導體材料的功率電子設備,主要用于將直流電轉換為交流電。與傳統的硅基功率器件相比,碳化硅逆變器具有許多優越性能,如...
全球碳化硅產業呈現明顯的行業上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產業鏈中的核心環節,已成為兵家必爭之地。
SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。表1-1顯示了每種半導體材料的電氣特性。SiC具有優異的介電擊穿場強(擊穿場)和帶隙...
以碳化硅(silicon carbide,SiC)為代表的寬禁帶半導體器件,受到了廣泛的關注。SiC中存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相...
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