美光動(dòng)態(tài)

• 美光加入16-Hi HBM3E內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)

  近日，全球DRAM內(nèi)存巨頭之一的美光科技公司宣布，將正式進(jìn)軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內(nèi)存市場(chǎng)。目前，美光正在

  2025-01-17 標(biāo)簽： 內(nèi)存 數(shù)據(jù)中心 美光 179 0

• 美光新加坡HBM內(nèi)存封裝工廠破土動(dòng)工

  近日，全球領(lǐng)先的HBM內(nèi)存制造商之一——美光宣布，其位于新加坡的HBM內(nèi)存先進(jìn)封裝工廠項(xiàng)目已于當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日正式破土動(dòng)工。

  2025-01-09 標(biāo)簽： 封裝 內(nèi)存 美光 339 0

• 韓廠首傳減產(chǎn)消息，NAND Flash市場(chǎng)迎供需平衡預(yù)期

  近期，NAND Flash市場(chǎng)再次迎來(lái)重要變動(dòng)。據(jù)媒體報(bào)道，繼鎧俠、美光相繼宣布減產(chǎn)后，市場(chǎng)又傳出三星、SK海力士?jī)纱箜n

  2025-01-07 標(biāo)簽： NAND 美光 SK海力士 157 0

• 美光投資21.7億美元擴(kuò)建弗吉尼亞州半導(dǎo)體工廠

  近日，美國(guó)弗吉尼亞州州長(zhǎng)格倫?楊金宣布，全球知名半導(dǎo)體公司美光計(jì)劃在該州馬納薩斯投資21.7億美元(當(dāng)前約合158.76

  2025-01-02 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器 美光 163 0

• 美光調(diào)整NAND晶圓生產(chǎn)策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求放緩

  近日，根據(jù)美光方面發(fā)布的2025財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)電話會(huì)議文稿，公司高管在會(huì)上確認(rèn)了針對(duì)當(dāng)前閃存市場(chǎng)需求放緩的應(yīng)對(duì)措施。

  2024-12-26 標(biāo)簽： 閃存 NAND 晶圓 271 0

• 美光發(fā)布HBM4與HBM4E項(xiàng)目新進(jìn)展

  近日，據(jù)報(bào)道，全球知名半導(dǎo)體公司美光科技發(fā)布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4，第四代高帶寬內(nèi)

  2024-12-23 標(biāo)簽： 接口 內(nèi)存 美光 293 0

• 美光推出速率與能效領(lǐng)先的 60TB SSD

  業(yè)界首創(chuàng) E3.S 封裝 60TB SSD，美光 6550 ION SSD 為超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心帶來(lái)業(yè)界領(lǐng)先的能效，每機(jī)架

  2024-12-19 標(biāo)簽： 美光 363 0

• 美光:人工智能影響PC內(nèi)存的供需平衡

  美光是內(nèi)存業(yè)務(wù)的主要參與者之一，包括分別用于SSD和RAM的NAND和DRAM。 “我們?nèi)揞^，海力士、我們、三星

  2024-11-12 標(biāo)簽： 內(nèi)存 美光 人工智能 470 0

• 美光預(yù)測(cè)AI需求將大幅增長(zhǎng),計(jì)劃2025年投產(chǎn)EUV DRAM

  隨著人工智能技術(shù)日益普及，從云端服務(wù)器拓展至消費(fèi)級(jí)設(shè)備，對(duì)高級(jí)內(nèi)存的需求持續(xù)攀升。鑒于此趨勢(shì)，美光科技已將其高帶寬內(nèi)存（

  2024-10-26 標(biāo)簽： 美光 人工智能 EUV 799 0

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  美光高管：AI PC存儲(chǔ)遠(yuǎn)超“基準(zhǔn)要求”，兩大策略應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)中心“存儲(chǔ)池”

  電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）生成式AI帶來(lái)的產(chǎn)業(yè)技術(shù)革新不僅在于性能越來(lái)越強(qiáng)大的GPU，它同時(shí)正在推進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)品的變化和

  2024-10-18 標(biāo)簽： 存儲(chǔ) 數(shù)據(jù)中心 美光 2728 0

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