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本應(yīng)用簡報介紹 TI GaN 器件如何改進光伏充電控制器。與 MOSFET 相比,使用 TI GaN 器件可提高效率并減小 PCB 尺寸,而且不會增加 ...
2025-07-28 標簽:德州儀器電源轉(zhuǎn)換器GaN 1765 0
英飛凌 120 W USB PD用于多端口充電應(yīng)用的XDPS2221E控制器和CoolGaN?開關(guān)
在多端口USBPD充電應(yīng)用中,英飛凌推出了一款高效、創(chuàng)新的120WUSB電源傳輸(PD)評估板,采用XDP數(shù)字電源XDPS2221E控制器和CoolGa...
基于板級封裝的異構(gòu)集成作為彌合微電子與應(yīng)用差距的關(guān)鍵方法,結(jié)合“延續(xù)摩爾”與“超越摩爾”理念,通過SiP技術(shù)集成多材料(如Si、GaN、光子器件等)裸片...
基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計
鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂,當前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長,尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微...
通常來講,充電器輸出功率的增加,充電器的體積也要相應(yīng)擴大。因為內(nèi)置GaN芯片的使用,快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點,所以快充充電器比...
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈...
2025-07-11 標簽:半橋場效應(yīng)晶體管GaN 179 0
GaN器件當前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧...
Texas Instruments LMG3650EVM子卡評估模塊數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG3650EVM子卡評估模塊支持兩個LMG3650R025 650V GaN FET,具有集成驅(qū)動器和保護功能,...
GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體立即下載
類別:電子資料 2025-01-24 標簽:GaN功率半導(dǎo)體 132 0
GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓撲結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)效率高達95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載
類別:電子資料 2025-01-22 標簽:拓撲結(jié)構(gòu)GaNAHB 465 0
芯干線邀您共赴2025電源與電磁兼容技術(shù)應(yīng)用大會
2025年8月9日,電極限將在上海長榮桂冠酒店舉辦“電源與電磁兼容技術(shù)應(yīng)用大會”,并開設(shè)EMC設(shè)計與整改實戰(zhàn)特訓(xùn)班。
英諾賽科與聯(lián)合電子成立 GaN 技術(shù)聯(lián)合實驗室
近日,氮化鎵領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科與全球領(lǐng)先的汽車電子系統(tǒng)供應(yīng)商聯(lián)合電子宣布,雙方攜手成立氮化鎵(GaN)技術(shù)聯(lián)合實驗室。這一合作旨在充分發(fā)揮氮化鎵器件...
54%關(guān)稅之后,我們才看懂ST和英諾賽科這場GaN合作的真正價值
近日,美國宣布對全球大多數(shù)進口商品加征10%基礎(chǔ)關(guān)稅,并對包括中國在內(nèi)的多個國家追加“對等關(guān)稅”,將中國商品綜合稅率推升至54%。中國隨后反制,擴大關(guān)稅...
大連理工大學(xué):科研團隊在氮化鎵高溫三維磁傳感芯片領(lǐng)域取得突破性進展
近期,光電工程與儀器科學(xué)學(xué)院黃火林教授團隊在第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)磁傳感器領(lǐng)域取得重要進展,在國際上率先研制出可穩(wěn)定工作在1.9 K~673K極寬...
小功率高效率E-GaN開關(guān)電源管理方案:U8723AH+U7116W
小功率高效率E-GaN開關(guān)電源管理方案:U8723AH+U7116W小功率開關(guān)電源的效率是一個重要的設(shè)計指標,它決定了電源的功耗和發(fā)熱量。為了提高效率,...
2025-07-10 標簽:開關(guān)電源GaN 189 0
重磅!英偉達800V高壓直流架構(gòu)革新AI數(shù)據(jù)中心,三大功率GaN大廠新品揭秘
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 GaN作為一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來在功率半導(dǎo)體市場備受關(guān)注,從消費電子快充領(lǐng)域崛起,到如今的AI服務(wù)器、人形機器人等...
瑞薩電子推出全新GaN FET,增強高密度功率轉(zhuǎn)換能力, 適用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)應(yīng)用
基于成熟的SuperGaN技術(shù),650V第四代增強型產(chǎn)品 憑借卓越的熱效率和超低功率損耗帶來強勁性能 瑞薩電子今日宣布推出三款新型高壓650V GaN ...
2025-07-09 標簽:功率轉(zhuǎn)換AIGaN 210 0
瑞薩電子發(fā)布新一代650V GaN FET:用獨特D-MODE賦能高功率場景
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文 / 吳子鵬)隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子和消費電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展,第三代半導(dǎo)體 ——GaN(氮化鎵)正迎來前所未有的增長...
型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
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GS61008P-MR | 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
獲取價格
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