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納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著...
耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過該值（如動態波動或負載突變），可能引發擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現及系統適配性。高耐壓芯...
ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS深/圳/銀/聯/寶芯片的腳位是芯片與外部電路進行連接的橋梁。通過引腳，芯片可以與電路板上的其他...
橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉換應用領域正呈現強勁增長態勢。將這一材料體系擴展至更高電壓等級需要器件設計和襯底技術的創新。本文總結...
Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數據手冊
Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅動所有N溝道同步氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）功率級，輸出電壓高達100V。高性能...
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7892-BZ評估板數據手冊
Analog Devices EVAL-LTC7892-BZ評估板設計用于演示LTC7892 GaN FET控制器。LTC7892優化采用100V Ga...
Analog Devices Inc. ADPA1116 GaN功率放大器數據手冊
Analog Devices ADPA1116 GaN功率放大器具有39.5dBm飽和輸出功率（P ~OUT~ ），功率附加效率（PAE）為40%，輸入...
E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐壓700V，推薦功率60W，采用的是ESOP-7封裝。
氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領先。它支持多種快充協議，如PD、QC等，能夠智能識別設備所需的充電功率，實現快速充電。無論是蘋果手...
UCC27611 具有 4V UVLO 和 5V 穩壓輸出的 4A/6A 單通道柵極驅動器數據手冊
UCC27611 是一款針對 5V 驅動優化的單通道高速柵極驅動器，專門針對增強型 GaN FET 進行尋址。驅動電壓 VREF 由內部線性穩壓器精確控...
作為高速數據傳輸與光電信號處理的核心器件，垂直腔面發射激光器（VCSEL）在高速光通信、激光雷達等領域應用廣泛，其動態特性直接關聯器件調制速率及穩定性等...
意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器，為開發者帶來更高的設計靈活性和更多的功能，提高目標應用的能效和魯棒性。
GaN技術正迎來其高光時刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開關、低能耗和優異熱性能等優勢，完美契合當今AI基礎設施、電動汽車平臺、可再生能源和工業控制等...
在GaN功率器件場景化爆發的關鍵窗口期，京東方華燦以消費類GaN功率器件通過1000H可靠性為起點，正式開啟“消費級普及、工業級深化、車規級突破”的三級...
隨著電子技術的快速發展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅（Si）半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運...
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區損耗提高功率系統...
45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269
45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269氮化鎵電源電路由于減少了元件數量和功率轉換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯寶科技作為E...
基于 ICeGaN? 和IVCC1104的2.5kW圖騰柱無橋PFC設計案例研究
ICeGaN? 助力瞻芯電子輕松升級 IVCC1104 參考設計平臺，在大功率應用場景下展現易用性和卓越可靠性 英國劍橋——Cambridge GaN ...
深度分析650V國產碳化硅MOSFET的產品力及替代高壓GaN器件的潛力
深度分析B3M040065Z和B3M040065L的產品力及替代高壓GaN器件的潛力 傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(...
| 型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| GS61008P-MR | 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
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