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gan技術(shù)

本土Tier1推出GaN OBC：單級拓?fù)洹?.1kW/L功率密度、98%峰值效率

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近期GaN在OBC上的應(yīng)用方案開始陸續(xù)推出市場，在一月初，陽光電動力推出了一款全新的二合一OBC方案，采用GaN器件以...

2025-02-05 標(biāo)簽：GaN OBC Tier1 1541 0

UCG28826 中文數(shù)據(jù)手冊具有集成式 GaN (65W) 的自偏置高頻 QR 反激式轉(zhuǎn)換器

UCG28826 是一款高頻準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器，內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT)，可將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，適用于高達(dá) 65W的電...

2025-01-21 標(biāo)簽：反激式轉(zhuǎn)換器 GaN 319 0

垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術(shù)

垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們...

2025-01-16 標(biāo)簽：MOS 功率器件 GaN 124 0

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測試方案

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...

2025-01-14 標(biāo)簽：功率器件 SiC GaN 624 0

利用用于多相偏置解決方案的 GMR10Dx 模塊優(yōu)化工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率控制器

作者：Ganmar Technologies 2024-12-12 本文探討了開發(fā)可靠安全的多相功率控制器所面臨的設(shè)計挑戰(zhàn)和主要考慮因素。文中利用具有浮...

2025-01-25 標(biāo)簽：驅(qū)動器 GaN 功率控制器 166 0

嵌入PCB術(shù)語拓展

一、術(shù)語 1、SiP：System-in-Package SiP是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，它將多個半導(dǎo)體器件、集成電路（IC）或其他電子組件，以及必要的輔助...

2025-01-08 標(biāo)簽：pcb SiP qfn 421 0

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？粉末純度、SiC晶錠一致性

硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領(lǐng)域，設(shè)計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導(dǎo)體。本文為白皮...

2025-01-05 標(biāo)簽：安森美 SiC GaN 877 0

電源管理芯片U8733產(chǎn)品概述

驅(qū)動電流分檔功能?是指通過配置不同的分壓電阻值來調(diào)節(jié)驅(qū)動電流的檔位，從而優(yōu)化系統(tǒng)的EMI性能和效率。這種功能通常集成在電源管理芯片中，如電源管理芯片U8...

2024-12-30 標(biāo)簽：封裝 FET GaN 375 0

TI的UCG28826無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計難題

人們對更小、更高效電源的需求不斷增長，進(jìn)而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)...

2024-12-18 標(biāo)簽：德州儀器 ti 適配器 726 0

廣芯微600W雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換平臺方案

廣芯微電子(廣州)股份有限公司于2024年12月宣布推出基于其UM32G421微處理器芯片打造的600W高效率雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換參考開發(fā)平臺，集成...

2024-12-14 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器微處理器 DC-DC 1353 0

gan帖子

STDRIVEG600驅(qū)動GAN逆變器,在某一拍出現(xiàn)控制信號丟失，導(dǎo)致電機(jī)電流跌落的原因？

標(biāo)簽：逆變器 GaN 8083 1

基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設(shè)計和損耗分析

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基于VIPerGaN50和STUSB4761的45W QR USB PD適配器參考設(shè)計

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ST GaN產(chǎn)品創(chuàng)新型快速充電器解決方案

標(biāo)簽：GaN 快速充電器 410 0

STDRIVEG600 GaN半橋驅(qū)動器

標(biāo)簽：GaN 半橋驅(qū)動器 417 0

電機(jī)控制和電源管理的基準(zhǔn)效率

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GaN器件在Class D上的應(yīng)用優(yōu)勢

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突破氮化鎵功率半導(dǎo)體的速度限制

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GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)

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GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應(yīng)用分析

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GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 31 0

變速電機(jī)驅(qū)動器受益于集成GaN立即下載

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新一代GaN器件,滿足AI服務(wù)器電源需求立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽：服務(wù)器 AI GaN 44 0

用于高頻、大功率工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的GaN功率IC創(chuàng)新立即下載

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利用GaN HEMTs降低電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的系統(tǒng)成本立即下載

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GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可實現(xiàn)效率高達(dá)95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載

類別：電子資料 2025-01-22 標(biāo)簽：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)GaN AHB 103 0

用于800V OBCM應(yīng)用的基于GaN和SiC的500kHz諧振雙向DC/DC設(shè)計立即下載

類別：電子資料 2025-01-22 標(biāo)簽：DC SiC GaN 64 0

基于GaN的多輸出反激式轉(zhuǎn)換器中平面變壓器繞組損耗的優(yōu)化方法立即下載

類別：電子資料 2025-01-22 標(biāo)簽：變壓器反激式轉(zhuǎn)換器 GaN 78 0

使用LMG5200EVM-02 GaN半橋功率級EVM用戶指南立即下載

類別：電子資料 2025-01-03 標(biāo)簽：功率模塊 GaN EVM 58 0

gan資訊

意法半導(dǎo)體推出250W MasterGaN參考設(shè)計

為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計，意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝（SiP...

2025-02-06 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體 GaN 諧振轉(zhuǎn)換器 209 0

本土Tier1推出GaN OBC：單級拓?fù)洹?.1kW/L功率密度、98%峰值效率

2025-02-05 標(biāo)簽：GaN OBC Tier1 1540 0

豐田合成開發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓

近日，日本豐田合成株式會社宣布了一項重大技術(shù)突破：成功開發(fā)出用于垂直晶體管的200mm（8英寸）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。

2025-01-23 標(biāo)簽：晶圓晶體管 GaN 444 0

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件

2025-01-23 標(biāo)簽：MOSFET SiC 氮化鎵 209 0

解析GaN器件金剛石近結(jié)散熱技術(shù)：鍵合、生長、鈍化生長

在追求更高功率密度和更優(yōu)性能的電子器件領(lǐng)域，GaN（氮化鎵）器件因其卓越的性能而備受矚目。然而，隨著功率密度的不斷提升，器件內(nèi)部的熱積累問題日益嚴(yán)重，成...

2025-01-16 標(biāo)簽：散熱 GaN 金剛石 172 0

京東方華燦與晶通半導(dǎo)體簽署合作備忘錄

隨著全球新能源汽車、人工智能、光伏及儲能等新興市場的蓬勃發(fā)展，高性能功率器件的需求呈現(xiàn)出前所未有的增長態(tài)勢。在這一背景下，2025年1月8日于珠海金灣工...

2025-01-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 GaN 321 0

HFG610-65 數(shù)據(jù)手冊和產(chǎn)品介紹具有集成 GaN HEMT 的高頻準(zhǔn)諧振反激式穩(wěn)壓器

HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振 (QR) 反激式穩(wěn)壓器，專用于高性能和高頻設(shè)計。與傳統(tǒng)QR 反激式穩(wěn)壓器不同，HFG610-...

2025-01-09 標(biāo)簽：GaN 諧振 HEMT 314 0

安森美成功收購紐約州德威特GaN晶圓制造廠，助力技術(shù)布局！

近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美(onsemi)宣布，以2000萬美元的價格成功收購位于美國紐約州德威特的原NexGenPowerSystem...

2025-01-08 標(biāo)簽：安森美 GaN 晶圓制造 200 0

第三代半導(dǎo)體廠商加速出海

近年來，在消費(fèi)電子需求帶動下，加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。

2025-01-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體消費(fèi)電子 GaN 530 0

應(yīng)用指南導(dǎo)讀 | 優(yōu)化HV CoolGaN?功率晶體管的PCB布局

作為寬禁帶半導(dǎo)體，氮化鎵（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現(xiàn)代功率電子領(lǐng)域的新寵。然而，GaN器件的高速開關(guān)行為也對PCB布局設(shè)計提出了...

2025-01-03 標(biāo)簽：pcb GaN 功率晶體管 239 0

gan數(shù)據(jù)手冊

型號	描述	數(shù)據(jù)手冊	參考價格
GS61008P-MR	增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM		獲取價格

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個垂直行業(yè)中。
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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號混頻，將輸入信號頻率變換為某個預(yù)先確定的頻率的方法。
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