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氧化鎵射頻器件研究進展

氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優異的超寬禁帶半導體材料，不僅臨界擊穿場強大、飽和速度高，而且具有極高的巴利加優值和約翰遜優值，在功率和射頻器件領域具有重...

2025-06-11 標簽：半導體 GaN 射頻器件 443 0

Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器數據手冊

Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器是一款100V器件，集成了頂部和底部驅動器級、驅動器邏輯控制和保護功能。該驅動器可配...

2025-06-10 標簽：驅動器 GaN Analog 123 0

納芯微高壓半橋驅動芯片NSD2622N產品介紹

納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著...

2025-06-09 標簽：驅動電路氮化鎵 GaN 162 0

PD快充芯片U8722SP的工作原理

耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過該值（如動態波動或負載突變），可能引發擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現及系統適配性。高耐壓芯...

2025-06-03 標簽：PD GaN 快充芯片 121 0

ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS

ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS深/圳/銀/聯/寶芯片的腳位是芯片與外部電路進行連接的橋梁。通過引腳，芯片可以與電路板上的其他...

2025-05-29 標簽：GaN 電源芯片快充 132 0

浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實現更高的電壓路徑

橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉換應用領域正呈現強勁增長態勢。將這一材料體系擴展至更高電壓等級需要器件設計和襯底技術的創新。本文總結...

2025-05-28 標簽：晶體管功率器件 GaN 120 0

Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數據手冊

Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅動所有N溝道同步氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）功率級，輸出電壓高達100V。高性能...

2025-05-27 標簽：FET N溝道 GaN 176 0

Analog Devices Inc. EVAL-LTC7892-BZ評估板數據手冊

Analog Devices EVAL-LTC7892-BZ評估板設計用于演示LTC7892 GaN FET控制器。LTC7892優化采用100V Ga...

2025-05-27 標簽：GaN Analog 評估板 166 0

Analog Devices Inc. ADPA1116 GaN功率放大器數據手冊

Analog Devices ADPA1116 GaN功率放大器具有39.5dBm飽和輸出功率（P ~OUT~ ），功率附加效率（PAE）為40%，輸入...

2025-05-27 標簽：功率放大器輸出功率 GaN 120 0

E-GaN電源芯片U8722FE產品概述

E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐壓700V，推薦功率60W，采用的是ESOP-7封裝。

2025-05-26 標簽：芯片 GaN 電源芯片 153 0

gan帖子

《電子發燒友電子設計周報》聚焦硬科技領域核心價值第14期：2025.06.2--2025.06.6

標簽：GaN Qorvo 5G-A 883 0

STDRIVEG600驅動GAN逆變器,在某一拍出現控制信號丟失，導致電機電流跌落的原因？

標簽：逆變器 GaN 8280 1

基于GaN HEMT的半橋LLC優化設計和損耗分析

標簽：GaN LLC 1313 0

基于VIPerGaN50和STUSB4761的45W QR USB PD適配器參考設計

標簽：適配器 GaN 508 0

標簽：GaN 快速充電器 534 0

標簽：GaN 半橋驅動器 554 0

標簽：GaN 1437 0

標簽：GaN 1565 0

標簽：GaN 功率半導體 1358 0

標簽：GaN 功率半導體 1220 0

gan資料下載

GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規格書立即下載

類別：電子資料 2025-02-13 標簽：FET 氮化鎵 GaN 151 0

GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規格書立即下載

類別：電子資料 2025-02-13 標簽：氮化鎵 GaN 125 0

GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規格書立即下載

類別：電子資料 2025-02-12 標簽：FET 氮化鎵 GaN 124 0

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導體立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標簽：GaN 功率半導體 108 0

變速電機驅動器受益于集成GaN立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標簽：驅動器 GaN 變速電機 103 0

新一代GaN器件,滿足AI服務器電源需求立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標簽：服務器 AI GaN 148 0

用于高頻、大功率工業電機驅動的GaN功率IC創新立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標簽：電機驅動高頻 GaN 159 0

電動汽車的SiC演變和GaN革命立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標簽：電動汽車 SiC GaN 149 0

利用GaN HEMTs降低電機驅動應用的系統成本立即下載

類別：電子資料 2025-01-23 標簽：電機驅動 GaN 85 0

GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓撲結構可實現效率高達95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載

類別：電子資料 2025-01-22 標簽：拓撲結構 GaN AHB 384 0

gan資訊

氮化鎵器件在高頻應用中的優勢

氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠實現更高效率，主要歸功于GaN材料本身的內在特性。

2025-06-13 標簽：半導體氮化鎵 GaN 97 0

鎵未來攜手聯想 GaN黑科技賦能筆電，解鎖“小體積高效率”快充新體驗

全球第一大PC廠商聯想Lenovo，近期發布 Lenovo Air X AI元啟版，Lenovo YOGA 360 14 Aura Al元啟翻轉輕薄本、...

2025-06-13 標簽：芯片 GaN 48 0

E-GaN快充電源IC U8731的特點

作為蘋果全新打造的iOS操作系統，視覺效果確實令人耳目一新，但新界面所帶來的耗電量嚴重、續航時間縮短、機身發熱發燙等問題，讓體驗感大打折扣。無論系統多么...

2025-06-13 標簽：GaN 電源IC 快充 224 0

增強AlN/GaN HEMT

一種用于重摻雜n型接觸的選擇性刻蝕工藝實現了AlN/GaN HEMT的縮小上圖：原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖俄亥俄州立大學的工...

2025-06-12 標簽：GaN HEMT AlN 77 0

新成果：GaN基VCSEL動態物理模型開發

作為高速數據傳輸與光電信號處理的核心器件，垂直腔面發射激光器（VCSEL）在高速光通信、激光雷達等領域應用廣泛，其動態特性直接關聯器件調制速率及穩定性等...

2025-06-05 標簽：VCSEL GaN 101 0

意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器

意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器，為開發者帶來更高的設計靈活性和更多的功能，提高目標應用的能效和魯棒性。

2025-06-04 標簽：意法半導體 GaN 柵極驅動器 300 0

浮思特 | 攻克GaN材料挑戰：實現性能突破的關鍵

GaN技術正迎來其高光時刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開關、低能耗和優異熱性能等優勢，完美契合當今AI基礎設施、電動汽車平臺、可再生能源和工業控制等...

2025-05-27 標簽：材料氮化鎵 GaN 331 0

京東方華燦消費類GaN功率器件通過1000H可靠性認證

在GaN功率器件場景化爆發的關鍵窗口期，京東方華燦以消費類GaN功率器件通過1000H可靠性為起點，正式開啟“消費級普及、工業級深化、車規級突破”的三級...

2025-05-23 標簽：京東方功率器件 GaN 185 0

第三代半導體的優勢和應用領域

隨著電子技術的快速發展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅（Si）半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運...

2025-05-22 標簽：半導體 SiC GaN 441 0

英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管

英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區損耗提高功率系統...

2025-05-21 標簽：晶體管肖特基二極管 GaN 267 0

gan數據手冊

型號	描述	數據手冊	參考價格
GS61008P-MR	增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM		獲取價格

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