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gan技術

氧化鎵射頻器件研究進展

氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優異的超寬禁帶半導體材料，不僅臨界擊穿場強大、飽和速度高，而且具有極高的巴利加優值和約翰遜優值，在功率和射頻器件領域具有重...

2025-06-11 標簽：半導體 GaN 射頻器件 409 0

Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器數據手冊

Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器是一款100V器件，集成了頂部和底部驅動器級、驅動器邏輯控制和保護功能。該驅動器可配...

2025-06-10 標簽：驅動器 GaN Analog 117 0

納芯微高壓半橋驅動芯片NSD2622N產品介紹

納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著...

2025-06-09 標簽：驅動電路氮化鎵 GaN 145 0

PD快充芯片U8722SP的工作原理

耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過該值（如動態波動或負載突變），可能引發擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現及系統適配性。高耐壓芯...

2025-06-03 標簽：PD GaN 快充芯片 119 0

ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS

ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS深/圳/銀/聯/寶芯片的腳位是芯片與外部電路進行連接的橋梁。通過引腳，芯片可以與電路板上的其他...

2025-05-29 標簽：GaN 電源芯片快充 130 0

浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實現更高的電壓路徑

橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉換應用領域正呈現強勁增長態勢。將這一材料體系擴展至更高電壓等級需要器件設計和襯底技術的創新。本文總結...

2025-05-28 標簽：晶體管功率器件 GaN 114 0

Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數據手冊

Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅動所有N溝道同步氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）功率級，輸出電壓高達100V。高性能...

2025-05-27 標簽：FET N溝道 GaN 172 0

Analog Devices Inc. EVAL-LTC7892-BZ評估板數據手冊

Analog Devices EVAL-LTC7892-BZ評估板設計用于演示LTC7892 GaN FET控制器。LTC7892優化采用100V Ga...

2025-05-27 標簽：GaN Analog 評估板 162 0

Analog Devices Inc. ADPA1116 GaN功率放大器數據手冊

Analog Devices ADPA1116 GaN功率放大器具有39.5dBm飽和輸出功率（P ~OUT~ ），功率附加效率（PAE）為40%，輸入...

2025-05-27 標簽：功率放大器輸出功率 GaN 118 0

E-GaN電源芯片U8722FE產品概述

E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐壓700V，推薦功率60W，采用的是ESOP-7封裝。

2025-05-26 標簽：芯片 GaN 電源芯片 146 0

gan帖子

《電子發燒友電子設計周報》聚焦硬科技領域核心價值第14期：2025.06.2--2025.06.6

標簽：GaN Qorvo 5G-A 860 0

STDRIVEG600驅動GAN逆變器,在某一拍出現控制信號丟失，導致電機電流跌落的原因？

標簽：逆變器 GaN 8280 1

基于GaN HEMT的半橋LLC優化設計和損耗分析

標簽：GaN LLC 1312 0

基于VIPerGaN50和STUSB4761的45W QR USB PD適配器參考設計

標簽：適配器 GaN 507 0

標簽：GaN 快速充電器 534 0

標簽：GaN 半橋驅動器 554 0

標簽：GaN 1435 0

標簽：GaN 1560 0

標簽：GaN 功率半導體 1355 0

標簽：GaN 功率半導體 1217 0

gan資料下載

GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規格書立即下載

類別：電子資料 2025-02-13 標簽：FET 氮化鎵 GaN 151 0

GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規格書立即下載

類別：電子資料 2025-02-13 標簽：氮化鎵 GaN 125 0

GANE3R9-150QBA氮化鎵(GaN)FET規格書立即下載

類別：電子資料 2025-02-12 標簽：FET 氮化鎵 GaN 124 0

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導體立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標簽：GaN 功率半導體 108 0

變速電機驅動器受益于集成GaN立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標簽：驅動器 GaN 變速電機 103 0

新一代GaN器件,滿足AI服務器電源需求立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標簽：服務器 AI GaN 148 0

用于高頻、大功率工業電機驅動的GaN功率IC創新立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標簽：電機驅動高頻 GaN 159 0

電動汽車的SiC演變和GaN革命立即下載

類別：電子資料 2025-01-24 標簽：電動汽車 SiC GaN 148 0

利用GaN HEMTs降低電機驅動應用的系統成本立即下載

類別：電子資料 2025-01-23 標簽：電機驅動 GaN 84 0

GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓撲結構可實現效率高達95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載

類別：電子資料 2025-01-22 標簽：拓撲結構 GaN AHB 380 0

gan資訊

增強AlN/GaN HEMT

一種用于重摻雜n型接觸的選擇性刻蝕工藝實現了AlN/GaN HEMT的縮小上圖：原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖俄亥俄州立大學的工...

2025-06-12 標簽：GaN HEMT AlN 63 0

新成果：GaN基VCSEL動態物理模型開發

作為高速數據傳輸與光電信號處理的核心器件，垂直腔面發射激光器（VCSEL）在高速光通信、激光雷達等領域應用廣泛，其動態特性直接關聯器件調制速率及穩定性等...

2025-06-05 標簽：VCSEL GaN 97 0

意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器

意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅動器，為開發者帶來更高的設計靈活性和更多的功能，提高目標應用的能效和魯棒性。

2025-06-04 標簽：意法半導體 GaN 柵極驅動器 297 0

浮思特 | 攻克GaN材料挑戰：實現性能突破的關鍵

GaN技術正迎來其高光時刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開關、低能耗和優異熱性能等優勢，完美契合當今AI基礎設施、電動汽車平臺、可再生能源和工業控制等...

2025-05-27 標簽：材料氮化鎵 GaN 328 0

京東方華燦消費類GaN功率器件通過1000H可靠性認證

在GaN功率器件場景化爆發的關鍵窗口期，京東方華燦以消費類GaN功率器件通過1000H可靠性為起點，正式開啟“消費級普及、工業級深化、車規級突破”的三級...

2025-05-23 標簽：京東方功率器件 GaN 184 0

第三代半導體的優勢和應用領域

隨著電子技術的快速發展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅（Si）半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運...

2025-05-22 標簽：半導體 SiC GaN 435 0

英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管

英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區損耗提高功率系統...

2025-05-21 標簽：晶體管肖特基二極管 GaN 266 0

45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269

45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269氮化鎵電源電路由于減少了元件數量和功率轉換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯寶科技作為E...

2025-05-15 標簽：電源 GaN 快充 153 0

基于 ICeGaN? 和IVCC1104的2.5kW圖騰柱無橋PFC設計案例研究

ICeGaN? 助力瞻芯電子輕松升級 IVCC1104 參考設計平臺，在大功率應用場景下展現易用性和卓越可靠性英國劍橋——Cambridge GaN ...

2025-05-13 標簽：大功率 GaN 瞻芯電子 845 0

芯干線GaN/SiC功率器件如何優化開關損耗

在功率器件的世界里，開關損耗是一個繞不開的關鍵話題。

2025-05-07 標簽：功率器件 SiC GaN 260 0

gan數據手冊

型號	描述	數據手冊	參考價格
GS61008P-MR	增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM		獲取價格

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藍牙5

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
Qorvo

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5G網絡作為最新一代的移動互聯網通訊技術，相對4G而言，網速更快；5G手機是指使用第五代通信系統的智能手機。相對4G手機，5G手機有更快的傳輸速度，低時延，通過網絡切片技術，擁有更精準的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍牙耳機市場得到迅猛發展，藍牙耳機種類也層出不窮，TWS藍牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經面世TWS無線藍牙耳機開始大行其道。
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　　智能工業：是將具有環境感知能力的各類終端、基于泛在技術的計算模式、移動通信等不斷融入到工業生產的各個環節，大幅提高制造效率，改善產品質量，降低產品成本和資源消耗，將傳統工業提升到智能化的新階段。
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