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FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。
FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。
FRAM的特點是速度快,能夠像RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在如E2PROM的最大寫入次數的問題;但受鐵電晶體特性制約,FRAM仍有最大訪問(讀)次數的限制。
FRAM的存儲單元主要由電容和場效應管構成,但這個電容不是一般的電容,在它的兩個電極板中間沉淀了一層晶態的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM的每個存儲單元使用2個場效應管和2個電容,稱為“雙管雙容”(2T2C),每個存儲單元包括數據位和各自的參考位
FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。
FRAM的特點是速度快,能夠像RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在如E2PROM的最大寫入次數的問題;但受鐵電晶體特性制約,FRAM仍有最大訪問(讀)次數的限制。
FRAM的存儲單元主要由電容和場效應管構成,但這個電容不是一般的電容,在它的兩個電極板中間沉淀了一層晶態的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM的每個存儲單元使用2個場效應管和2個電容,稱為“雙管雙容”(2T2C),每個存儲單元包括數據位和各自的參考位
鐵電存儲器在多MCU系統中應用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)
1、鐵電存儲器技術原理、特性及應用 美國Ramtron公司鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體...
富士通如何在FRAM、NRAM以及ReRAM技術上滿足“定制化”需求?
各種系統對存儲器讀寫速度、可重復讀寫次數、讀寫功耗、安全性以及對供電的要求都各不相同,存儲技術正在走向細分……
關于SoC組成部分之一的嵌入式存儲器,這些技術原理您都知道嗎?
隨著超大規模集成電路工藝的發展,人類已經進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規模...
通過選擇合適的存儲器組合,工程師能夠確保汽車的可靠和安全操作,同時還能滿足駕駛員對汽車響應能力的期望。
選用存儲器時主要考慮的指標包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產品功耗和存儲容量等。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機存取特性,以...
2017下半年,伴隨業界關注已久的《乘用車企業平均燃料消耗量與新能源汽車積分并行管理辦法》(簡稱“雙積分辦法”)正式發布,眾多中外車企都面臨了更為迫切的...
鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存...
作為系統關鍵組成部分,存儲性能至關重要。各種系統對存儲器讀寫速度、可重復讀寫次數、讀寫功耗、安全性以及對供電的要求都各不相同,存儲技術正在走向細分。
FRAM的非易失性對于當時業界可以說是顛覆性的,存儲器的非易失性指在沒有上電的狀態下依然可以保存所存儲信息的特性,這意味著電路中無須加入后備電池,仍可在...
富士通半導體推出低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM MB85RC16
富士通半導體(上海)有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員-SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標準...
一、MCU之間通信的主要方式 1、采用硬件UART進行異步串行通信 這是一種占用口線少,有效、可靠的通信方式;但遺憾的是許多小型單片機沒有硬件UART,...
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