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FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。
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RK3568筆記分享——如何掛載SPI FRAM鐵電存儲芯片
對于做快速存儲采集數據類產品的用戶來說,在處理突發掉電情況時需要保存現有數據并避免數據丟失,這種情況下有很多種解決方案,鐵電存儲器(FRAM)就是個很好...
富士通半導體推出新型1 Mbit 和 2 Mbit FRAM產品
富士通半導體(上海)有限公司今日宣布,推出兩款新型FRAM產品-MB85RS1MT 和 MB85RS2MT,兩款產品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbi...
2013-03-25 標簽:FRAM 1165 0
貿澤電子即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution產品
貿澤電子宣布即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的鐵電隨機存取存儲器 (FRAM) 和高密度電阻式隨機存...
富士通半導體的FRAM產品現在可以直接在網上專店(ESHOP)下單購買了,購買攻略馬上奉上。顏值很重要,先看我們的FRAM網上專店(ESHOP)長什么樣子?
2017-03-28 標簽:fram 1132 0
賽普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性鐵電存儲器,采用先進鐵電工藝的512Kb非易失性存儲器。主要提供了151年的可靠數據保留,同時消除了由串行閃...
在研究FRAM的過程中,富士通發現FRAM的物理頻譜特性具有無規律、難以被模仿的特性,因此可替代傳統的加密算法,利用FRAM的工作噪聲信號來實現設備之間的驗證。
對于很多人來說,第一次接觸能量采集可能是在早期使用太陽能便攜式計算器的時候,雖然如今這種類型的計算器已不再是主流,但是它所使用的技術和理念仍然應用于我們...
?Everspin MRAM MR25H40VDF相比富士通FRAM MB85RS4MT的優勢
Everspin是設計制造MRAM到市場和應用的翹楚,在這些市場和應用中,數據持久性和完整性,低延遲和安全性是至關重要。MR25H40VDF是一個419...
鐵電隨機存儲器RFID由于存儲容量大、擦寫速度快,一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起,從而豐富了RFID應用。
Fujitsu FRAM 鐵電隨機存儲器“免費樣片”申請活動
富士通半導體攜手武漢力源繼2013年第四季度聯手開展FRAM產品免費樣片申請活動后,受到廣大工程師朋友的大力支持,為了答謝支持此活動的朋友及使得更多工程...
2017-03-29 標簽:fram 1044 0
在今天深圳京基晶都酒店舉辦的“2015智能水/氣計量及管網執行力論壇”上,“富士通鐵電在流量計中的運用”的主題分享受到業界人士的熱烈關注,展區展出的相關...
2013 年,全球最大的體育賽事因停電而延遲 34 分鐘。出現這種延遲的原因是采用較老的照明技術,這類技術需要一段冷卻時間才能繼續使用,而且需要一段預熱...
新型的存儲器既具有RAM的優點,又有非失易失性特征,同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數有限等缺點。 FRAM的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使...
鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器相比,FRAM不需要備用電池來保留數據,并且具有更高的讀/寫耐久性,更快...
盡管靜態RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途,但是隨著SPI等標準接口的出現,這些技術在功能上有很大的重疊。本篇文章宇芯電子詳細介紹了SRAM和FRA...
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