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FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。
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富士通針對車載電子和工業(yè)控制系統(tǒng)推出全新FRAM存儲解決方案
上海,2017年6月5日 –富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出全新FRAM(鐵電隨機存儲器)解決方案---MB85RS128TY和MB85R...
富士通電子推出可在高溫下穩(wěn)定運行的新款2Mbit FRAM
FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存,已有對傳統(tǒng)非易失性內存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。
富士通半導體推出新型1 Mbit 和 2 Mbit FRAM產品
富士通半導體(上海)有限公司今日宣布,推出兩款新型FRAM產品-MB85RS1MT 和 MB85RS2MT,兩款產品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbi...
2013-03-25 標簽:FRAM 1264 0
富士通半導體的FRAM產品現(xiàn)在可以直接在網(wǎng)上專店(ESHOP)下單購買了,購買攻略馬上奉上。顏值很重要,先看我們的FRAM網(wǎng)上專店(ESHOP)長什么樣子?
2017-03-28 標簽:fram 1220 0
貿澤電子即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution產品
貿澤電子宣布即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的鐵電隨機存取存儲器 (FRAM) 和高密度電阻式隨機存...
智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM的優(yōu)勢
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述,并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能...
賽普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性鐵電存儲器,采用先進鐵電工藝的512Kb非易失性存儲器。主要提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時消除了由串行閃...
?Everspin MRAM MR25H40VDF相比富士通FRAM MB85RS4MT的優(yōu)勢
Everspin是設計制造MRAM到市場和應用的翹楚,在這些市場和應用中,數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性是至關重要。MR25H40VDF是一個419...
對于很多人來說,第一次接觸能量采集可能是在早期使用太陽能便攜式計算器的時候,雖然如今這種類型的計算器已不再是主流,但是它所使用的技術和理念仍然應用于我們...
鐵電隨機存儲器RFID由于存儲容量大、擦寫速度快,一直被用作數(shù)據(jù)載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起,從而豐富了RFID應用。
“奇招”與新意并出,富士通6大創(chuàng)新方案迎2020產業(yè)回暖!
在研究FRAM的過程中,富士通發(fā)現(xiàn)FRAM的物理頻譜特性具有無規(guī)律、難以被模仿的特性,因此可替代傳統(tǒng)的加密算法,利用FRAM的工作噪聲信號來實現(xiàn)設備之間的驗證。
2020-01-03 標簽:繼電器物聯(lián)網(wǎng)fram 1157 0
盡管靜態(tài)RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途,但是隨著SPI等標準接口的出現(xiàn),這些技術在功能上有很大的重疊。本篇文章宇芯電子詳細介紹了SRAM和FRA...
新型的存儲器既具有RAM的優(yōu)點,又有非失易失性特征,同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點。 FRAM的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使...
鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,F(xiàn)RAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫耐久性,更快...
Fujitsu FRAM 鐵電隨機存儲器“免費樣片”申請活動
富士通半導體攜手武漢力源繼2013年第四季度聯(lián)手開展FRAM產品免費樣片申請活動后,受到廣大工程師朋友的大力支持,為了答謝支持此活動的朋友及使得更多工程...
2017-03-29 標簽:fram 1128 0
在今天深圳京基晶都酒店舉辦的“2015智能水/氣計量及管網(wǎng)執(zhí)行力論壇”上,“富士通鐵電在流量計中的運用”的主題分享受到業(yè)界人士的熱烈關注,展區(qū)展出的相關...
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