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FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲器。

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串行FRAM存儲器CY15B104Q-LHXI的功能特點

賽普拉斯型號CY15B104Q-LHXI主要采用先進(jìn)鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機(jī)存取存儲器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的...

2021-05-16 標(biāo)簽：存儲器接口 fram 1800 0

富士通半導(dǎo)體成功推出擁有1 Mb內(nèi)存、業(yè)界最小尺寸的FRAM器件

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，成功推出擁有1 Mb內(nèi)存的FRAM產(chǎn)品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝（WL-CSP），...

2015-07-08 標(biāo)簽：FRAM 可穿戴設(shè)備 MB85RS1MT 1730 0

采用FRAM的MCU為何能具有諸多優(yōu)勢呢

采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢呢？舉例說明：TI做了一個實驗，如果要寫13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時間，大約要用2200uA的功耗...

2020-12-06 標(biāo)簽：mcu fram 1682 0

他找到了智能氣表、水表關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲的最佳方案！

怎樣給你的智能氣表，水表關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲找到一個最佳方案？他，富士通電子元器件（上海）有限公司產(chǎn)品管理部負(fù)責(zé)人王鈺，給你找到了！6月22日2016智能水/氣...

2017-03-27 標(biāo)簽：fram 智能氣表 1617 0

2023年ReRAM技術(shù)開始進(jìn)入主流市場

ReRAM 代工工藝由臺積電、華邦和 Globalfoundries 提供支持，ReRAM 由瑞薩（通過收購 Adesto）、富士通、Microchip...

2023-02-23 標(biāo)簽：NOR閃存 fram MRAM 1581 0

智能時代選擇：FRAM儲存解決方案

富士通高級產(chǎn)品工程師伍宏杰先生表示，“恰恰是FRAM高速讀寫的特性，決定了FRAM可以實現(xiàn)在無電池或是突然斷電的情況下實現(xiàn)讀寫，避免數(shù)據(jù)的丟失。”

2014-07-29 標(biāo)簽：FRAM 1552 0

富士通用二十年在風(fēng)譎云詭的存儲市場計劃的完美布局

根據(jù)預(yù)測，2023年人類數(shù)據(jù)的產(chǎn)生將會超過103個ZB（數(shù)據(jù)單位量級GB\TB\PB\EB\ZB）！

2019-10-30 標(biāo)簽：存儲器存儲智能電表 1544 0

FRAM具有高速讀寫、高讀寫耐久性和低功耗等優(yōu)勢

　上海，2016年3月9日–富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，將攜其FRAM鐵電隨機(jī)存儲器等自有產(chǎn)品線，以及代理產(chǎn)品線參加在中國上海舉行的“第十...

2016-03-09 標(biāo)簽：RFID FRAM 1500 0

下一代存儲“神器”NRAM已在路上富士通將引領(lǐng)計量存儲技術(shù)變革

過去十年，智能電表大范圍替代傳統(tǒng)電表的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)變，成為工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)高速發(fā)展的一個縮影。Navigant Research研究報告指出，中國在2018年第一季...

2019-07-15 標(biāo)簽：存儲技術(shù)智能電表 fram 1496 0

憑借兩大亮點，富士通引爆“2016智能水/氣計量產(chǎn)業(yè)鏈高峰論壇”

本月20號在杭州開幕的“2016智能水/氣計量產(chǎn)業(yè)鏈高峰論壇”上，富士通電子元器件公司憑借獨特的產(chǎn)品技術(shù)展示和專題技術(shù)演講兩大亮點，引爆了高峰論壇的展示...

2017-03-27 標(biāo)簽：fram 智能氣表 1464 0

4KBit I2C鐵電存儲器MB85RC04V的特點

富士通型號MB85RC04V是一款FRAM芯片，位寬為512字×8位，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元。與SRAM不同，MB85R...

2022-01-18 標(biāo)簽：fram 鐵電存儲器 1461 0

FRAM 嵌入式 MCU ——MSP430FR5739移動信用卡讀取器應(yīng)用案例

您是否曾有看似超越現(xiàn)有技術(shù)好幾年的想法？是否因為無法找到可滿足需求的 MCU 而將草稿設(shè)計遺忘？請拂去設(shè)計方案上的塵土。MSP430FR5739 器件在...

2017-04-26 標(biāo)簽：mcu fram msp430fr5739 1455 0

FRAM性能比EEPROM好的三個優(yōu)勢是什么

FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，其的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如EEPROM的最大...

2021-04-30 標(biāo)簽：存儲器 fram 富士通 1440 0

富士通FRAM存儲器的詳細(xì)介紹

FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久...

2021-07-27 標(biāo)簽：存儲器 fram 1428 0

鐵電存儲器FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具...

2021-07-27 標(biāo)簽：存儲器內(nèi)存 fram 1420 0

利用MSP430 FRAM微控制器實現(xiàn)能量采集

對于很多人來說，第一次接觸能量采集可能是在早期使用太陽能便攜式計算器的時候，雖然如今這種類型的計算器已不再是主流，但是它所使用的技術(shù)和理念仍然應(yīng)用于我們...

2022-01-11 標(biāo)簽：微控制器 msp430 存儲器 1420 0

富士通FRAM“上天入地” 拓展更多低功耗、高可靠性應(yīng)用空間

據(jù)富士通展臺工程師介紹，從要抗宇宙輻射的衛(wèi)星裝置，到頗接地氣的無電池舒適智能家居設(shè)備，已處處可見這種先進(jìn)非易失性嵌入式存儲技術(shù)的身影。除FRAM外，在本...

2016-09-05 標(biāo)簽：RFID 醫(yī)療電子 FRAM 1386 0

MSP430FRx MCU如何實現(xiàn)更高性能

不久之前，我們發(fā)布了全新的 TI Design 參考設(shè)計，展示了一種用于無線監(jiān)控電機(jī)狀態(tài)以確定是否需要維護(hù)或更換電機(jī)的解決方案。這種概念非常簡單：它監(jiān)...

2021-11-23 標(biāo)簽：mcu 嵌入式處理 FFT 1383 0

FRAM系列產(chǎn)品引領(lǐng)，富士通閃耀慕尼黑電子展

日本的富士通半導(dǎo)體攜帶傳統(tǒng)優(yōu)勢的FRAM鐵電隨機(jī)存儲器全系列產(chǎn)品亮相慕尼黑電子站，此外還展示了其合資公司索喜科技（Socionext）的車載圖形顯示控制...

2015-04-20 標(biāo)簽：FRAM 1355 0

“多、快、省”，F(xiàn)RAM以領(lǐng)先特性解決應(yīng)用瓶頸促產(chǎn)品創(chuàng)新

在海量的固態(tài)存儲技術(shù)已經(jīng)非常廣泛應(yīng)用、云存儲正在盛行的今天，還有一種KB、MB量級的存儲技術(shù)大賣，并且在物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療電子、消費電子、工業(yè)電子……幾乎所有...

2015-02-05 標(biāo)簽：存儲技術(shù)FRAM 1355 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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