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FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。
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富士通推出了一款能在高達125攝氏度高溫下正常運作的FRAM產品
富士通電子在過去約20年量產各種FRAM非易失性內存產品,具備比EEPROM及閃存更高的讀∕寫耐久性、高速寫入速度及超低功耗。近幾年來,這些產品被廣泛應...
富士通FRAM已廣泛應用在多領域 勢必將在存儲行業再次快速拓展新局面
全球內存市場幾年前價格瘋漲對于IT產業業者大概仍然心有余悸!隨著這場“芯片戰爭”的硝煙而起的是,中國存儲行業海量投資的相關產線紛紛上馬,并預計在今年逐漸...
FRAM是一種新型存儲器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點,與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫更快、壽命更長,FRAM已經應用于IC卡...
FRAM幾乎可以提供無限的耐力。它實際上是一個SRAM,因為您永遠不會使單元耗盡。 它還以非常低的功耗進行寫入,并且其數據保留能力優于所有其他技術隨著物...
富士通半導體推出基于2.7V-5.5V的寬電壓FRAM產品MB85RC256V
富士通半導體(上海)有限公司今日宣布,推出其V系列的又一款新產品MB85RC256V。
CYPRESS提供全面的鐵電RAM非易失性存儲器產品組合,可在斷電時立即捕獲和保存關鍵數據。在關鍵任務數據記錄應用中,例如需要高可靠性控制和吞吐量的工廠...
FRAM器件提供非易失性存儲,用10年的數據保存時間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現有的基于FRAM存儲器和MCU器件,工...
在最近熱映的影片《環太平洋》中,面對怪獸的沖擊波,采用數字電路控制的機甲戰士瞬間就癱瘓了,而只有模擬電路扛了下來。這可以形象地用來說明,電子元器件能否抗...
富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX
鐵電隨機存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數據的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內容。結合了ROM和RAM的優點,具有快速寫入速度、低功耗和高讀/寫周...
128K串行接口FRAM存儲器MB85RS128B概述及特點
富士通FRAM(鐵電RAM)是新一代非易失性存儲器,性能優于 E2PROM 和閃存等現有存儲器,功耗更低,速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的...
FRAM是一種鐵電存儲器,它使用鐵電膜作為電容來存儲數據,即使數據沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。具有ROM和RAM特性的FRAM...
富士通電子元器件產品管理部高級經理蔡振宇強調,未來富士通會將能源汽車領域作為重點,并不斷擴展其業務,目前還涉及工業類、物聯網、電源管理方向,并逐漸往電子...
ReRAM 代工工藝由臺積電、華邦和 Globalfoundries 提供支持,ReRAM 由瑞薩(通過收購 Adesto)、富士通、Microchip...
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