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FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲(chǔ)器。
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選用存儲(chǔ)器時(shí)主要考慮的指標(biāo)包括安全性、使用壽命、讀寫(xiě)速度、產(chǎn)品功耗和存儲(chǔ)容量等。FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機(jī)存取特性,以...
富士通分享三大存儲(chǔ)技術(shù) 各具獨(dú)特堪稱(chēng)黑馬技術(shù)
“FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)用于數(shù)據(jù)記錄;NRAM(碳納米管存儲(chǔ))用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲(chǔ)存, 還可替代NOR Flash;ReRAM(電阻式記憶體)可替代大容...
2018-05-04 標(biāo)簽:framreram非易失性存儲(chǔ)器 1.1萬(wàn) 0
2018汽車(chē)電子如何突破?這三大維度值得關(guān)注
2017下半年,伴隨業(yè)界關(guān)注已久的《乘用車(chē)企業(yè)平均燃料消耗量與新能源汽車(chē)積分并行管理辦法》(簡(jiǎn)稱(chēng)“雙積分辦法”)正式發(fā)布,眾多中外車(chē)企都面臨了更為迫切的...
fram是什么存儲(chǔ)器_FRAM技術(shù)特點(diǎn)
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫(xiě)入訪(fǎng)問(wèn)——它是個(gè)人電腦存...
2020-12-03 標(biāo)簽:fram鐵電存儲(chǔ)器 7237 0
FRAM憑三大優(yōu)勢(shì)如何進(jìn)軍三大目標(biāo)市場(chǎng)?
作為系統(tǒng)關(guān)鍵組成部分,存儲(chǔ)性能至關(guān)重要。各種系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器讀寫(xiě)速度、可重復(fù)讀寫(xiě)次數(shù)、讀寫(xiě)功耗、安全性以及對(duì)供電的要求都各不相同,存儲(chǔ)技術(shù)正在走向細(xì)分。
各大半導(dǎo)體企業(yè)會(huì)帶來(lái)哪些驚喜呢?
富士通繼電器支持從PV到智能電網(wǎng)等各種綠色應(yīng)用,其中FTR-E1系列為DC450V 20A,適用于PV能源DC充電;FTR-K1系列為AC240V 32...
富士通在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的另類(lèi)崛起 用20年專(zhuān)注演繹叢林法則
FRAM的非易失性對(duì)于當(dāng)時(shí)業(yè)界可以說(shuō)是顛覆性的,存儲(chǔ)器的非易失性指在沒(méi)有上電的狀態(tài)下依然可以保存所存儲(chǔ)信息的特性,這意味著電路中無(wú)須加入后備電池,仍可在...
富士通半導(dǎo)體推出低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM MB85RC16
富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM又添小封裝成員-SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)...
2012-11-27 標(biāo)簽:FRAM存儲(chǔ)芯片富士通半導(dǎo)體 4820 2
兩個(gè)MCU之間快速傳輸數(shù)據(jù)的,常用方法
一、MCU之間通信的主要方式 1、采用硬件UART進(jìn)行異步串行通信 這是一種占用口線(xiàn)少,有效、可靠的通信方式;但遺憾的是許多小型單片機(jī)沒(méi)有硬件UART,...
2023-02-05 標(biāo)簽:單片機(jī)mcu數(shù)據(jù) 4668 0
獨(dú)特性能成就技術(shù)“硬核”,F(xiàn)RAM 是存儲(chǔ)界的實(shí)力派。除非易失性以外, FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢(shì):高讀寫(xiě)入耐久性、高速寫(xiě)入以及低功耗,這是絕大多數(shù)同...
盤(pán)點(diǎn)那些FRAM帶來(lái)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)的十大類(lèi)醫(yī)療電子設(shè)備
在醫(yī)院里,都有哪些設(shè)備用到了富士通半導(dǎo)體的FRAM?并且為什么FRAM會(huì)與我們的醫(yī)療保健息息相關(guān)?我們一起來(lái)盤(pán)點(diǎn)盤(pán)點(diǎn)。
基于FRAM實(shí)現(xiàn)低成本“通用”智能表計(jì)方案
經(jīng)過(guò)智能電表市場(chǎng)的長(zhǎng)期驗(yàn)證,富士通FRAM產(chǎn)品在不斷優(yōu)化性能與降低成本的同時(shí),也逐步轉(zhuǎn)向更廣泛的智能表計(jì)市場(chǎng),如水表、熱表、燃?xì)獗淼阮I(lǐng)域。
富士通3大存儲(chǔ)技術(shù)將成黑馬,F(xiàn)RAM,NRAM、ReRAM可替代EEPROM
隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)的爆發(fā)讓存儲(chǔ)器市場(chǎng)也一場(chǎng)火爆,作為電子設(shè)備系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分,性能至關(guān)重要。市面上的存儲(chǔ)器參差不齊,該作何選擇?未來(lái)的存儲(chǔ)技術(shù)又該何去何從呢?
被它神助攻,這些小型醫(yī)療設(shè)備從此與眾不同!
最近在小編的大力科普下,相信筒子們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)身邊的FRAM是個(gè)神奇的小東東。確實(shí),今天的世界,已經(jīng)不能沒(méi)有FRAM了。看看吧,即使是醫(yī)療器械這樣高冷的領(lǐng)域一樣哦!
串行FRAM存儲(chǔ)器64K MB85RS64概述及特點(diǎn)
富士通FRAM是新一代非易失性存儲(chǔ)器,其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次讀寫(xiě)操作。FRAM是非易失性的,但在RA...
FRAM (鐵電RAM) 是一種具有快速寫(xiě)入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器 (如EEPROM、閃存)相比,F(xiàn)RAM不需要備用電池來(lái)保留數(shù)據(jù)...
2021-10-28 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器物聯(lián)網(wǎng)fram 3128 0
128Kbit非易失性存儲(chǔ)器FM25V01A-G的功能及特征
Cypress憑借在分立存儲(chǔ)器半導(dǎo)體領(lǐng)域近40年的經(jīng)驗(yàn),以同類(lèi)最佳的存儲(chǔ)器產(chǎn)品、解決方案和技術(shù)引領(lǐng)行業(yè)。于1982年推出第一款隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,并從這個(gè)吉...
富士通推出了一款能在高達(dá)125攝氏度高溫下正常運(yùn)作的FRAM產(chǎn)品
富士通電子在過(guò)去約20年量產(chǎn)各種FRAM非易失性?xún)?nèi)存產(chǎn)品,具備比EEPROM及閃存更高的讀∕寫(xiě)耐久性、高速寫(xiě)入速度及超低功耗。近幾年來(lái),這些產(chǎn)品被廣泛應(yīng)...
隨風(fēng)而起, FRAM筑造堅(jiān)固數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
針對(duì)這波大規(guī)模的市場(chǎng)熱潮,富士通電子元器件(上海)有限公司產(chǎn)品管理部總監(jiān)馮逸新近日在一次研討會(huì)上也表示:“智能表計(jì)作為富士通長(zhǎng)期關(guān)注的重點(diǎn)業(yè)務(wù),在未來(lái)幾...
2020-05-29 標(biāo)簽:fram智能表電力物聯(lián)網(wǎng) 2836 0
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