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PMP20873 效率為99%的1kW基于GaN的CCM圖騰柱功率因數校正 (PFC) 轉換器參考設計
連續導通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 是一種簡單但高效的功率轉換器。為了達到 99% 的效率,需要考慮許多設計細節。PMP20873...
技術資料#LMG3411R050 具有集成驅動器和逐周期過流保護的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
適用于集成驅動器的三相1.25kW、200VAC 小型 GaN逆變器參考設計
此參考設計是一款三相逆變器,在 50°C 環境溫度下的連續額定功率為 1.25 kW,在 85°C 環境溫度下的連續額定功率為 550 W,用于驅動 2...
技術資料#LMG3411R150 具有集成驅動器和逐周期過流保護的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
技術資料#LMG3422R030 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 600V 30mΩ GaN FET
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。 LMG3...
具有集成驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計
德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級產品家族,該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無引線(OFN)封裝,封裝尺寸為12毫米x12毫米...
應用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結
德州儀器(TI)提供的一種新的驅動器集成氮化鎵(GaN)功率級產品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳(QFN)封裝中實現,該封裝尺寸為12mm x ...
PMP22244:具有 GaN 的 60W USB Type-C? 高密度有源鉗位反激式參考設計
此參考設計是一款適用于 USB Type-C 應用的高密度 60W 115VAC 輸入電源,使用 UCC28782 有源鉗位反激式控制器、LMG2610...
PMP23146:45W高功率密度有源箝位反激式GaN參考設計用于服務器輔助電源
此參考設計是基于 GaN 的 45W 有源鉗位反激式 (ACF),旨在實現最大功率密度。該電源旨在為服務器和電信電源單元 (PSU) 提供輔助電源。UC...
TIDA-050074:140W 基于 GaN 的 USB PD3.1 USB-C? 適配器參考設計
此參考設計是基于氮化鎵 (GaN) 的 140W AC-DC 電源,具有高效率和功率密度。它支持寬輸入(90V~交流~至 264V ~交流~ ) 和輸出...
技術資料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋,具有集成驅動器、保護和電流感應功能
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關模式電源應用中的 75W 有源鉗位反激式 (ACF) 轉換器<。該LMG2...
PMP40988:可變頻率、ZVS、5kW、基于 GaN 的兩相圖騰柱PFC參考設計
此參考設計是一種高密度、高效率的 5kW 圖騰柱功率因數校正 (PFC) 設計。該設計使用兩相圖騰柱 PFC,以可變頻率和零電壓開關 (ZVS) 運行。...
技術資料#LMG3526R030 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測功能的650V 30mΩ GaN FET
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。 LMG3...
TIDA-010236:適用于電器的 4kW GaN 圖騰柱 PFC參考設計
此參考設計是一款 4kW 連續導通模式 (CCM) 圖騰柱功率因數校正 (PFC),具有頂部冷卻的氮化鎵 (GaN) 子板和TMS320F280025C...
PMP22650:基于GaN的6.6kW雙向車載充電器參考設計
PMP22650 參考設計是一款 6.6kW 雙向車載充電器。該設計采用兩相圖騰柱 PFC 和具有同步整流功能的全橋 CLLLC 轉換器。CLLLC 利...
LMG3522EVM-042用戶指南:具有集成驅動器子卡的 LMG3522R030-Q1 汽車級 650V 30mΩ GaN FET
LMG3522EVM-042 在半橋中配置了兩個 LMG3522R030 GaN FET,具有逐周期過流保護、鎖存短路保護功能和所有必要的輔助外圍電路。...
技術資料#LMG3526R050 具有集成驅動器、保護和零電壓檢測報告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。 LMG3...
技術資料#LMG3522R050 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。 LMG352...
技術文檔:LMG3626 650V 270mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和電流感應
LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3626 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成...
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