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hbm資訊

SK海力士與英偉達(dá)加速HBM研發(fā),供應(yīng)量已敲定

在2025年國際消費(fèi)類電子產(chǎn)品展覽會(huì)(CES 2025)期間,韓國SK集團(tuán)會(huì)長崔泰源透露了與英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛的會(huì)面細(xì)節(jié)。雙方就高帶寬存儲(chǔ)器(HBM...

2025-01-13 標(biāo)簽:AI英偉達(dá)SK海力士 145 0

美光新加坡HBM內(nèi)存封裝工廠破土動(dòng)工

近日,全球領(lǐng)先的HBM內(nèi)存制造商之一——美光宣布,其位于新加坡的HBM內(nèi)存先進(jìn)封裝工廠項(xiàng)目已于當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日正式破土動(dòng)工。這座工廠預(yù)計(jì)將于2026年正式投...

2025-01-09 標(biāo)簽:封裝內(nèi)存美光 311 0

美光科技計(jì)劃大規(guī)模擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能

據(jù)業(yè)內(nèi)消息,美光科技預(yù)計(jì)今年將繼續(xù)積極擴(kuò)大其DRAM產(chǎn)能,與去年相似。得益于美國政府確認(rèn)的巨額補(bǔ)貼,美光近期將具體落實(shí)對(duì)現(xiàn)有DRAM工廠進(jìn)行改造的投資計(jì)...

2025-01-07 標(biāo)簽:DRAM美光科技HBM 350 0

SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應(yīng)對(duì)AI芯片市場旺盛需求

SK海力士今年計(jì)劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存(HBM)的DRAM產(chǎn)能,目標(biāo)是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片,這一增幅達(dá)到了70%。此舉被視為該公司對(duì)...

2025-01-07 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 301 0

2025年CES展:英偉達(dá)CEO黃仁勛將發(fā)表演講并可能進(jìn)行HBM對(duì)談

2025年美國消費(fèi)性電子展(CES)將于1月7日盛大開幕,全球圖形處理器(GPU)巨頭英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛將在此次展會(huì)上發(fā)表專題演講,分享英偉達(dá)在技...

2025-01-06 標(biāo)簽:英偉達(dá)SK海力士HBM 5252 0

AI興起推動(dòng)HBM需求激增,DRAM市場面臨重塑

TechInsights的最新報(bào)告揭示了AI興起對(duì)高帶寬內(nèi)存(HBM)需求的巨大影響。特別是在機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中,HBM的需求呈現(xiàn)出前...

2024-12-26 標(biāo)簽:處理器DRAMAI 272 0

SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計(jì)明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬片

SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計(jì)明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬片

? ? 12 月 20 日消息,據(jù) TheElec 報(bào)道,韓國存儲(chǔ)芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單,但具體額度未知。 ? ...

2024-12-21 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 338 0

SK 海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門,任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

據(jù) Businesses Korea 報(bào)道,SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2...

2024-12-06 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 366 0

熱壓鍵合機(jī)(TC Bonder)在HBM的應(yīng)用

熱壓鍵合機(jī)(TC Bonder)在HBM的應(yīng)用

熱壓鍵合機(jī)TC Bonder(Thermal Compression Bonding)是一種用于半導(dǎo)體封裝過程中熱壓鍵合的專用設(shè)備。在高帶寬內(nèi)存(HBM...

2024-11-29 標(biāo)簽:芯片鍵合HBM 1077 0

芯片的HBM靜電都有哪些測試標(biāo)準(zhǔn),各標(biāo)準(zhǔn)之間有沒有差異

芯片的HBM靜電都有哪些測試標(biāo)準(zhǔn),各標(biāo)準(zhǔn)之間有沒有差異

在做芯片選型的時(shí)候,我們通常會(huì)對(duì)比各廠家芯片的ESD性能,比如A廠家芯片的HBM靜電指標(biāo)為2KV,B廠家的達(dá)到了4KV,如果在各方面條件都差不多的情況下...

2024-11-27 標(biāo)簽:芯片測試標(biāo)準(zhǔn)HBM 1653 0

AI帶動(dòng)HBM、LPDDR5暢旺,明年內(nèi)存市場預(yù)判

AI帶動(dòng)HBM、LPDDR5暢旺,明年內(nèi)存市場預(yù)判

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)在日前由TrendForce集邦咨詢主辦的MTS2025存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)上,集邦分析師們都提到AI對(duì)存儲(chǔ)乃至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的...

2024-11-25 標(biāo)簽:AI內(nèi)存市場HBM 2593 0

AI時(shí)代核心存力HBM(中)

AI時(shí)代核心存力HBM(中)

HBM 對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響1. HBM 的核心工藝在于硅通孔技術(shù)(TSV)和堆疊鍵合技術(shù) 硅通孔:TSV(Through-Silicon Via) 是...

2024-11-16 標(biāo)簽:芯片DRAMHBM 531 0

SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片

在近日舉行的SK AI峰會(huì)上,韓國存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在...

2024-11-13 標(biāo)簽:芯片SK海力士HBM 504 0

三星擴(kuò)建HBM生產(chǎn)設(shè)施,預(yù)計(jì)2027年完工

三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重大投資決策,計(jì)劃擴(kuò)建其位于韓國忠清南道的半導(dǎo)體封裝設(shè)施,以提高高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)的產(chǎn)量。這一舉措標(biāo)志著三星在HBM市場領(lǐng)...

2024-11-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體三星電子HBM 369 0

美光:人工智能影響PC內(nèi)存的供需平衡

美光是內(nèi)存業(yè)務(wù)的主要參與者之一,包括分別用于SSD和RAM的NAND和DRAM。 “我們?nèi)揞^,海力士、我們、三星,都在花費(fèi)大量的精力和財(cái)力打造H...

2024-11-12 標(biāo)簽:內(nèi)存美光人工智能 463 0

2025年DRAM展望:位元產(chǎn)出大增25%,HBM成新增長極但供應(yīng)緊張

經(jīng)歷2024年前三個(gè)季度的庫存消化和價(jià)格回升后,DRAM產(chǎn)業(yè)在第四季度的價(jià)格動(dòng)能開始減弱。TrendForce集邦咨詢的資深研究副總吳雅婷指出,由于部分...

2024-11-07 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器HBM 627 0

2024存儲(chǔ)市場冰火交織,時(shí)創(chuàng)意電子如何應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)與機(jī)遇

2024年,AI應(yīng)用市場的持續(xù)升溫推動(dòng)了存儲(chǔ)器需求的不斷攀升,高性能HBM和大容量閃存產(chǎn)品備受市場青睞。然而,與此同時(shí),全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展形勢(shì)仍不明朗,消費(fèi)電...

2024-11-06 標(biāo)簽:存儲(chǔ)AIHBM 610 0

英偉達(dá)加速Rubin平臺(tái)AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲(chǔ)器

日,英偉達(dá)(NVIDIA)的主要高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)供應(yīng)商南韓SK集團(tuán)會(huì)長崔泰源透露,英偉達(dá)執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個(gè)月交付用于英偉達(dá)下一代...

2024-11-05 標(biāo)簽:存儲(chǔ)英偉達(dá)HBM 547 0

HBM4需求激增,英偉達(dá)與SK海力士攜手加速高帶寬內(nèi)存技術(shù)革新

隨著生成式AI技術(shù)的迅猛發(fā)展和大模型參數(shù)量的急劇增加,對(duì)高帶寬、高容量存儲(chǔ)的需求日益迫切,這直接推動(dòng)了高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的快速增長,并對(duì)HBM的性...

2024-11-05 標(biāo)簽:內(nèi)存英偉達(dá)SK海力士 448 0

英偉達(dá)加速推進(jìn)HBM4需求,SK海力士等存儲(chǔ)巨頭競爭加劇

韓國大型財(cái)團(tuán)SK集團(tuán)的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達(dá)的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團(tuán)旗下的存儲(chǔ)芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個(gè)月推...

2024-11-04 標(biāo)簽:存儲(chǔ)英偉達(dá)SK海力士 651 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    MPU-6000(6050)為全球首例整合性6軸運(yùn)動(dòng)處理組件,相較于多組件方案,免除了組合陀螺儀與加速器時(shí)間軸之差的問題,減少了大量的封裝空間。
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    SDK
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    OBD
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