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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲(chǔ)能PCS中的應(yīng)用
在工商業(yè)儲(chǔ)能系統(tǒng)中,儲(chǔ)能變流器(PCS)是核心組件之一,其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅(SiC)功率器件的廣泛應(yīng)用,儲(chǔ)能PCS的效率、...
在現(xiàn)代電子學(xué)的宏偉建筑中,場效應(yīng)晶體管(FET-Field Effect Transistor)是其不可或缺的基石。這些精巧的電子組件以其卓越的性能優(yōu)勢...
基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述
拿到一個(gè)ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過渡到全SiC的中間方案,也找了文章了解了一下原理。資料有限,標(biāo)題的問題沒找到答案。有...
慧能泰PD DRP快充協(xié)議芯片HUSB280A介紹
咱們就不讓各位等太久了,主打一個(gè)效率與激情!這不馬不停蹄地帶著爆款新品:集成兩顆N-MOSFET,能做到雙向100W的PD DRP快充協(xié)議芯片HUSB2...
同步整流芯片U7110W優(yōu)化控制關(guān)斷損耗
同步整流芯片U7110W優(yōu)化控制關(guān)斷損耗同步整流芯片會(huì)實(shí)時(shí)監(jiān)測電路中的相關(guān)參數(shù),比如電壓、電流等信號(hào)。一旦檢測到滿足開通或者需要關(guān)斷的條件,芯片內(nèi)部的控...
2025-02-27 標(biāo)簽:MOSFET監(jiān)測電路同步整流芯片 210 0
產(chǎn)品概述#UCC27714 4A、600V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
UCC27714 是一款 600V 高側(cè)、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 拉電流和 4A 灌電流能力,旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 或 IGBT。該器件由一個(gè)...
技術(shù)資料#LMG3410R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 600V 50mΩ GaN
LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
技術(shù)資料#LMG3411R150 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過流保護(hù)的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
2025-02-25 標(biāo)簽:MOSFET電子系統(tǒng)GaN 266 0
技術(shù)資料#LMG3410R150 具有集成驅(qū)動(dòng)器和過流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
2025-02-25 標(biāo)簽:MOSFET電子系統(tǒng)PFC 247 0
技術(shù)資料#UCC5304 5kVrms,4A/6A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,帶5V UVLO,適用于GaNFETs和MOSFETs
UCC5304器件是一款隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。它旨在驅(qū)動(dòng) PFC、隔離式 AC/DC、DC/DC 和同步整...
2025-02-25 標(biāo)簽:MOSFET光耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器 478 0
技術(shù)資料#UCC24612 高頻多模同步整流控制器
UCC24612 是一款高性能同步整流器控制器和驅(qū)動(dòng)器,適用于標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。通過實(shí)現(xiàn)近乎理想的二極管仿真UCC246...
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗均較低,提供 650 V 和 ...
英飛凌FS03MR12A6MA1LB功率模塊產(chǎn)品概述
英飛凌FS03MR12A6MA1LB HybridPACK? Drive 是一款非常緊湊的六單元功率模塊 (1200V/400A),針對混合動(dòng)力和電動(dòng)汽...
SiC 器件性能表現(xiàn)突出,能實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì),有效應(yīng)對關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn),也因此越來越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 I...
2025-02-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET安森美 677 0
本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfs...
2025-02-19 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET碳化硅 653 0
飛虹半導(dǎo)體MOS管在無刷電機(jī)控制器的應(yīng)用
據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)了解:2024年,全球BLDC控制器市場規(guī)模達(dá)到28.7億美元,并預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到45.5億美元,年復(fù)合增長率為8.0%。面對這一相對高...
小小MOSFET,大有乾坤。在電力電子系統(tǒng)中,MOSFET作為核心元件扮演著至關(guān)重要的角色,支撐從數(shù)據(jù)中心到通訊基站等各種開關(guān)電源應(yīng)用。雖然其應(yīng)用廣泛且...
2025-02-15 標(biāo)簽:MOSFET東芝開關(guān)電源 441 0
基于國產(chǎn)PWM控制器和SiC MOSFET的反激輔助電源設(shè)計(jì)
傾佳電子楊茜提供基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產(chǎn)BTP2843DR與B2M600170H的1000V直流輸入反激輔...
異步內(nèi)置MOS升壓恒壓FP6298,最高輸出5-9V/9-11W,輸入限流可調(diào)
概述FP6298是一個(gè)電流模式升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。它是內(nèi)置PWM電路0.08Ω功率MOSFET,使該調(diào)節(jié)器高效。內(nèi)部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)還可以最小化多達(dá)6個(gè)外部組...
2025-02-14 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器MOSFET 303 0
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